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微光紅外顯微儀是一種高靈敏度的失效分析設(shè)備，可在非破壞性條件下，對(duì)封裝器件及芯片的多種失效模式進(jìn)行精細(xì)檢測(cè)與定位。其應(yīng)用范圍涵蓋：芯片封裝打線缺陷及內(nèi)部線路短路、介電層（Oxide）漏電、晶體管和二極管漏電、TFT LCD面板及PCB/PCBA金屬線路缺陷與短...

展望未來，隨著半導(dǎo)體技術(shù)持續(xù)創(chuàng)新，EMMI 微光顯微鏡有望迎來更廣闊的應(yīng)用前景。在量子計(jì)算芯片領(lǐng)域，其對(duì)微弱量子信號(hào)的檢測(cè)需求與 EMMI 微光顯微鏡的光信號(hào)探測(cè)特性存在潛在結(jié)合點(diǎn)，或許未來 EMMI 能夠助力量子芯片的研發(fā)與質(zhì)量檢測(cè)，推動(dòng)量子計(jì)算技術(shù)走向成熟...

在半導(dǎo)體市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈的當(dāng)下，產(chǎn)品質(zhì)量與可靠性成為企業(yè)立足的根本。EMMI （微光顯微鏡）作為先進(jìn)的檢測(cè)工具，深刻影響著市場(chǎng)格局。半導(dǎo)體行業(yè)企業(yè)通過借助 EMMI 能在研發(fā)階段快速定位芯片設(shè)計(jì)缺陷，縮短產(chǎn)品開發(fā)周期；在生產(chǎn)環(huán)節(jié)，高效篩選出有潛在質(zhì)量問題的產(chǎn)品...

在微光顯微鏡（EMMI）檢測(cè)中，部分缺陷會(huì)以亮點(diǎn)形式呈現(xiàn)， 例如：漏電結(jié)（JunctionLeakage）接觸毛刺（ContactSpiking）熱電子效應(yīng)（HotElectrons）閂鎖效應(yīng)（Latch-Up）氧化層漏電（GateOxideDefe...

微光顯微鏡(EmissionMicroscope,EMMI)是一種常用的芯片失效分析手段，可以用于確認(rèn)芯片的失效位置。其原理是對(duì)樣品施加適當(dāng)電壓，失效點(diǎn)會(huì)因加速載流子散射或電子-空穴對(duì)的復(fù)合而釋放特定波長(zhǎng)的光子，這時(shí)光子就能被檢測(cè)到，從而檢測(cè)到漏電位置。Obi...

EMMI微光顯微鏡作為集成電路失效分析中的設(shè)備，其漏電定位功能是失效分析工程師不可或缺的利器。在芯片可靠性要求日益嚴(yán)苛的當(dāng)下，微小的漏電現(xiàn)象在芯片運(yùn)行過程中較為常見，然而這些看似微弱的電流，在特定條件下可能被放大，從而引發(fā)器件功能異常，甚至導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)失效。微...

隨著電子器件結(jié)構(gòu)的日益復(fù)雜化，檢測(cè)需求也呈現(xiàn)出多樣化趨勢(shì)?？蒲袑?shí)驗(yàn)室往往需要對(duì)材料、器件進(jìn)行深度探索，而工業(yè)生產(chǎn)線則更注重檢測(cè)效率與穩(wěn)定性。微光顯微鏡在設(shè)計(jì)上充分考慮了這兩方面需求，通過模塊化配置實(shí)現(xiàn)了多種探測(cè)模式的靈活切換。在科研應(yīng)用中，微光顯微鏡可以結(jié)合多...

除了型號(hào)和應(yīng)用場(chǎng)景，失效模式的記錄也至關(guān)重要。常見的失效模式包括短路、漏電以及功能異常等，它們分別對(duì)應(yīng)著不同的潛在風(fēng)險(xiǎn)。例如，短路通常與內(nèi)部導(dǎo)線或金屬互連的損壞有關(guān)，而漏電往往與絕緣層退化或材料缺陷密切相關(guān)。功能異常則可能提示器件邏輯單元或接口模塊的損壞。與此...

在半導(dǎo)體MEMS器件檢測(cè)領(lǐng)域，微光顯微鏡憑借超靈敏的感知能力，展現(xiàn)出不可替代的技術(shù)價(jià)值。MEMS器件的中心結(jié)構(gòu)多以微米級(jí)尺度存在，這些微小部件在運(yùn)行過程中產(chǎn)生的紅外輻射變化極其微弱——其信號(hào)強(qiáng)度往往低于常規(guī)檢測(cè)設(shè)備的感知閾值，卻能被微光顯微鏡捕捉。借助先進(jìn)的光...

在不同類型的半導(dǎo)體產(chǎn)品中，EMMI（微光顯微鏡） 扮演著差異化卻同樣重要的角色。對(duì)于功率半導(dǎo)體，如 IGBT 模塊，其工作時(shí)承受高電壓、大電流，微小的缺陷極易引發(fā)過熱甚至燒毀。EMMI 能夠檢測(cè)到因缺陷產(chǎn)生的異常光發(fā)射，幫助工程師排查出芯片內(nèi)部的擊穿點(diǎn)或接觸不...

漏電是芯片中另一類常見失效模式，其成因相對(duì)復(fù)雜，既可能與晶體管在長(zhǎng)期運(yùn)行中的老化退化有關(guān)，也可能源于氧化層裂紋或材料缺陷。與短路類似，當(dāng)芯片內(nèi)部出現(xiàn)漏電現(xiàn)象時(shí)，漏電路徑中會(huì)產(chǎn)生微弱的光發(fā)射信號(hào)，但其強(qiáng)度通常遠(yuǎn)低于短路所引發(fā)的光輻射，因此對(duì)檢測(cè)設(shè)備的靈敏度提...

EMMI 技術(shù)自誕生以來，經(jīng)歷了漫長(zhǎng)且關(guān)鍵的發(fā)展歷程。早期的 EMMI 受限于探測(cè)器靈敏度與光學(xué)系統(tǒng)分辨率，只能檢測(cè)較為明顯的半導(dǎo)體缺陷，應(yīng)用范圍相對(duì)狹窄。隨著科技的飛速進(jìn)步，新型深制冷型探測(cè)器問世，極大降低了噪聲干擾，拓寬了光信號(hào)探測(cè)范圍；同時(shí)，高分辨率顯微...

半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)向更小尺寸、更高集成度方向邁進(jìn)，這對(duì)檢測(cè)技術(shù)提出了更高要求。EMMI 順應(yīng)這一趨勢(shì)，不斷創(chuàng)新發(fā)展。一方面，研發(fā)團(tuán)隊(duì)致力于進(jìn)一步提升探測(cè)器靈敏度，使其能夠探測(cè)到更微弱、更罕見的光信號(hào)，以應(yīng)對(duì)未來半導(dǎo)體器件中可能出現(xiàn)的更細(xì)微缺陷；另一方面，通過優(yōu)化光...

隨著電子器件結(jié)構(gòu)的日益復(fù)雜化，檢測(cè)需求也呈現(xiàn)出多樣化趨勢(shì)。科研實(shí)驗(yàn)室往往需要對(duì)材料、器件進(jìn)行深度探索，而工業(yè)生產(chǎn)線則更注重檢測(cè)效率與穩(wěn)定性。微光顯微鏡在設(shè)計(jì)上充分考慮了這兩方面需求，通過模塊化配置實(shí)現(xiàn)了多種探測(cè)模式的靈活切換。在科研應(yīng)用中，微光顯微鏡可以結(jié)合多...

在微光顯微鏡（EMMI）的操作過程中，對(duì)樣品施加適當(dāng)電壓時(shí)，其失效點(diǎn)會(huì)由于載流子加速散射或電子-空穴對(duì)復(fù)合效應(yīng)而發(fā)射特定波長(zhǎng)的光子。這些光子經(jīng)過光學(xué)采集與圖像處理后，可形成一張清晰的信號(hào)圖，用于反映樣品在供電狀態(tài)下的發(fā)光特征。隨后，通過取消施加在樣品上的電壓，...

近年來，國產(chǎn)微光顯微鏡 EMMI 設(shè)備在探測(cè)靈敏度、成像速度和算法處理能力方面取得***進(jìn)步。一些本土廠商針對(duì)國內(nèi)芯片制造和封測(cè)企業(yè)的需求，優(yōu)化了光路設(shè)計(jì)和信號(hào)處理算法，使得設(shè)備在弱信號(hào)條件下依然能夠保持清晰成像。例如，通過深度去噪算法和 AI 輔助識(shí)別，系統(tǒng)...

EMMI 的技術(shù)基于半導(dǎo)體物理原理，當(dāng)半導(dǎo)體器件內(nèi)部存在缺陷導(dǎo)致異常電學(xué)行為時(shí)，會(huì)引發(fā)電子 - 空穴對(duì)的復(fù)合，進(jìn)而產(chǎn)生光子發(fā)射。設(shè)備中的高靈敏度探測(cè)器如同敏銳的 “光子獵手”，能將這些微弱的光信號(hào)捕獲。例如，在制造工藝中，因光刻偏差或蝕刻過度形成的微小短路，傳...

在微光顯微鏡（EMMI）檢測(cè)中，部分缺陷會(huì)以亮點(diǎn)形式呈現(xiàn)， 例如：漏電結(jié)（JunctionLeakage）接觸毛刺（ContactSpiking）熱電子效應(yīng)（HotElectrons）閂鎖效應(yīng)（Latch-Up）氧化層漏電（GateOxideDefe...

隨著電子器件結(jié)構(gòu)的日益復(fù)雜化，檢測(cè)需求也呈現(xiàn)出多樣化趨勢(shì)?？蒲袑?shí)驗(yàn)室往往需要對(duì)材料、器件進(jìn)行深度探索，而工業(yè)生產(chǎn)線則更注重檢測(cè)效率與穩(wěn)定性。微光顯微鏡在設(shè)計(jì)上充分考慮了這兩方面需求，通過模塊化配置實(shí)現(xiàn)了多種探測(cè)模式的靈活切換。在科研應(yīng)用中，微光顯微鏡可以結(jié)合多...

在電子器件和半導(dǎo)體元件的檢測(cè)環(huán)節(jié)中，如何在不損壞樣品的情況下獲得可靠信息，是保證研發(fā)效率和產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵。傳統(tǒng)分析手段，如剖片、電鏡掃描等，雖然能夠提供一定的內(nèi)部信息，但往往具有破壞性，導(dǎo)致樣品無法重復(fù)使用。微光顯微鏡在這一方面展現(xiàn)出明顯優(yōu)勢(shì)，它通過非接觸的光...

在致晟光電EMMI微光顯微鏡的成像中，背景被完全壓暗，缺陷位置呈現(xiàn)高亮發(fā)光斑點(diǎn)，形成極高的視覺對(duì)比度。公司研發(fā)團(tuán)隊(duì)在圖像采集算法中引入了多幀累積與動(dòng)態(tài)背景抑制技術(shù)，使得信號(hào)在極低亮度下仍能清晰顯現(xiàn)。該設(shè)備能夠捕捉納秒至毫秒級(jí)的瞬態(tài)光信號(hào)，適用于分析ESD擊穿、...

微光顯微鏡下可以產(chǎn)生亮點(diǎn)的缺陷，如：1.漏電結(jié)(JunctionLeakage);2.接觸毛刺(Contactspiking);3.熱電子效應(yīng)(Hotelectrons);4.閂鎖效應(yīng)(Latch-Up);5.氧化層漏電(Gateoxidedefects/Le...

基于這些信息，可以初步判斷失效現(xiàn)象是否具有可重復(fù)性，并進(jìn)一步區(qū)分是由設(shè)計(jì)問題、制程工藝偏差還是應(yīng)用不當(dāng)（如過壓、靜電沖擊）所引發(fā)。其次，電性能驗(yàn)證能為失效定位提供更加直觀的依據(jù)。通過自動(dòng)測(cè)試設(shè)備（ATE）或探針臺(tái)（ProbeStation）對(duì)失效芯片進(jìn)行測(cè)試，...

借助EMMI對(duì)芯片進(jìn)行全區(qū)域掃描，技術(shù)人員在短時(shí)間內(nèi)便在特定功能模塊檢測(cè)到光發(fā)射信號(hào)。結(jié)合電路設(shè)計(jì)圖和芯片版圖信息，進(jìn)一步分析顯示，該故障點(diǎn)位于兩條相鄰鋁金屬布線之間，由于絕緣層局部損傷而形成短路。這一精細(xì)定位為后續(xù)的故障修復(fù)及工藝改進(jìn)提供了可靠依據(jù)，同時(shí)也為...

芯片出問題不用慌！致晟光電專門搞定各類失效難題～不管是靜電放電擊穿的芯片、過壓過流燒斷的導(dǎo)線，還是過熱導(dǎo)致的晶體管損傷、熱循環(huán)磨斷的焊點(diǎn)，哪怕是材料老化引發(fā)的漏電、物理磕碰造成的裂紋，我們都有辦法定位。致晟的檢測(cè)設(shè)備能捕捉到細(xì)微的失效信號(hào)，從電氣應(yīng)力到熱力學(xué)問...

在電子器件和半導(dǎo)體元件的檢測(cè)環(huán)節(jié)中，如何在不損壞樣品的情況下獲得可靠信息，是保證研發(fā)效率和產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵。傳統(tǒng)分析手段，如剖片、電鏡掃描等，雖然能夠提供一定的內(nèi)部信息，但往往具有破壞性，導(dǎo)致樣品無法重復(fù)使用。微光顯微鏡在這一方面展現(xiàn)出明顯優(yōu)勢(shì)，它通過非接觸的光...

Thermal和EMMI是半導(dǎo)體失效分析中常用的兩種定位技術(shù)，主要區(qū)別在于信號(hào)來源和應(yīng)用場(chǎng)景不同。Thermal（熱紅外顯微鏡）通過紅外成像捕捉芯片局部發(fā)熱區(qū)域，適用于分析短路、功耗異常等因電流集中引發(fā)溫升的失效現(xiàn)象，響應(yīng)快、直觀性強(qiáng)。而EMMI（微光顯微鏡）...

EMMI的全稱是Electro-OpticalEmissionMicroscopy，也叫做光電發(fā)射顯微鏡。這是一種在半導(dǎo)體器件失效分析中常用的技術(shù)，通過檢測(cè)半導(dǎo)體器件中因漏電、擊穿等缺陷產(chǎn)生的微弱光輻射（如載流子復(fù)合發(fā)光），實(shí)現(xiàn)對(duì)微小缺陷的定位和分析，***...

在不同類型的半導(dǎo)體產(chǎn)品中，EMMI（微光顯微鏡） 扮演著差異化卻同樣重要的角色。對(duì)于功率半導(dǎo)體，如 IGBT 模塊，其工作時(shí)承受高電壓、大電流，微小的缺陷極易引發(fā)過熱甚至燒毀。EMMI 能夠檢測(cè)到因缺陷產(chǎn)生的異常光發(fā)射，幫助工程師排查出芯片內(nèi)部的擊穿點(diǎn)或接觸不...

ThermalEMMI（熱紅外顯微鏡）是一種先進(jìn)的非破壞性檢測(cè)技術(shù)，廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備和半導(dǎo)體器件的精細(xì)故障定位。它能夠在不干擾或破壞被測(cè)對(duì)象的前提下，捕捉電子元件在工作狀態(tài)下釋放的微弱熱輻射和光信號(hào)，為工程師提供可靠的故障診斷和性能分析依據(jù)。尤其在復(fù)雜集成電...