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本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種剝離液機(jī)臺(tái)的工作方法，請(qǐng)參閱圖5，圖5為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)的工作方法的流程示意圖，該方法包括：步驟110、將多級(jí)腔室順序排列，按照處于剝離制程的剝離基板的傳送方向逐級(jí)向剝離基板提供剝離液；步驟120、將來(lái)自于當(dāng)前級(jí)腔...

所述的鏈胺為乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、異丙醇胺、甲基二乙醇胺、amp-95中的任意一種或多種。技術(shù)方案中，所述的環(huán)胺為氨乙基哌嗪、羥乙基哌嗪、氨乙基嗎啉中的任意一種或多種。技術(shù)方案中，所述的緩蝕劑為三唑類物質(zhì)。的技術(shù)方案中，所述的緩蝕劑為苯...

圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)的第二種結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)的第三種結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)的第四種結(jié)構(gòu)示意圖。圖5為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)的工作方法的流程示意圖。具體實(shí)施方式目前剝離液機(jī)臺(tái)在工作...

可選擇的，旋涂光刻膠厚度范圍為1000埃～10000埃。s3，執(zhí)行離子注入：可選擇的，離子注入劑量范圍為1×1013cm-2～1×1016cm-2。s4，采用氮?dú)浠旌蠚怏w執(zhí)行等離子刻蝕，對(duì)光刻膠進(jìn)行干法剝離；如背景技術(shù)中所述，經(jīng)過(guò)高劑量或大分子量的源種...

形成帶有沉淀物的固液混合物，打開(kāi)一級(jí)過(guò)濾罐進(jìn)料管路上的電磁閥18，固液混合物進(jìn)入一級(jí)過(guò)濾罐16的過(guò)濾筒中，先由一級(jí)過(guò)濾罐16的過(guò)濾筒過(guò)濾得到一級(jí)線性酚醛樹(shù)脂，濾液由提升泵6送往攪拌釜的循環(huán)料口7，往復(fù)3次數(shù)后，一級(jí)線性酚醛樹(shù)脂回收完成，關(guān)閉一級(jí)過(guò)濾罐進(jìn)...

剝離液是一種通用濕電子化學(xué)品，主要用于去除金屬電鍍或者蝕刻加工完成后的光刻膠和殘留物質(zhì)，同時(shí)防止對(duì)襯底層造成破壞。剝離液是集成電路、分立器件、顯示面板、太陽(yáng)能電池等生產(chǎn)濕法工藝制造的關(guān)鍵性電子化工材料，下游應(yīng)用領(lǐng)域，但整體應(yīng)用需求較低，因此市場(chǎng)規(guī)模偏小。剝離液...

高世代面板)表面上，或透入其表面，而把固體物料潤(rùn)濕，剝離液親水性良好，能快速高效地剝離溶解光刻膠。因此，本申請(qǐng)中的高世代面板銅制程光刻膠剝離液由酰胺、醇醚、環(huán)胺與鏈胺、緩蝕劑、潤(rùn)濕劑組成。其中，酰胺可以為n-甲基甲酰胺、n-甲基乙酰胺、n，n-二甲基甲...

需要說(shuō)明的是，本發(fā)明剝離液中，推薦*由上述成分構(gòu)成，但只要不阻礙本發(fā)明的效果，可以含有例如聚氧化烯烷基醚系、硅系的消泡劑等其它成分。以上說(shuō)明的本發(fā)明剝離液可以通過(guò)將上述成分溶于水中來(lái)制備。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明剝離液的ph若為堿性則沒(méi)有特別限定，但通常**將上述...

能夠增強(qiáng)親水性，使得剝離液親水性良好，能快速高效地剝離溶解光刻膠。潤(rùn)濕劑含有羥基，為聚乙二醇、甘油中的任意一種。下面通過(guò)具體實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。以下實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)進(jìn)行進(jìn)一步說(shuō)明，不應(yīng)理解為對(duì)本申請(qǐng)的限制。表一：兩種不同組分的剝離液配方一和配...

能夠增強(qiáng)親水性，使得剝離液親水性良好，能快速高效地剝離溶解光刻膠。潤(rùn)濕劑含有羥基，為聚乙二醇、甘油中的任意一種。下面通過(guò)具體實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。以下實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)進(jìn)行進(jìn)一步說(shuō)明，不應(yīng)理解為對(duì)本申請(qǐng)的限制。表一：兩種不同組分的剝離液配方一和配...

但現(xiàn)有的回收裝置普遍存在如下問(wèn)題：剝離廢液利用水洗裝置水洗過(guò)濾出光刻膠樹(shù)脂成分，回收率低。為了解決這一問(wèn)題，現(xiàn)有技術(shù)通常再向剝離廢液中加入沉淀劑繼續(xù)反應(yīng)，而后沉淀過(guò)濾出光刻膠樹(shù)脂成分，但所得到的光刻膠樹(shù)脂成分品質(zhì)不宜再用于光刻膠原料，只能用于其他要求較...

光刻作為IC制造的關(guān)鍵一環(huán)常常被人重視，但是光刻膠都是作為層被去掉的，如何快速、干凈的去除工藝后的光刻膠是一個(gè)經(jīng)常被疏忽的問(wèn)題，但是很重要，直接影響了產(chǎn)品質(zhì)量。如何快速有效的去除光刻膠。筆者**近就碰到一些去膠的問(wèn)題，比如正膠和負(fù)膠去除需要的工藝有...

常在印刷電路板，液晶顯示面板，半導(dǎo)體集成電路等工藝制造過(guò)程中，需要通過(guò)多次圖形掩膜照射曝光及蝕刻等工序在硅晶圓或玻璃基片上形成多層精密的微電路，形成微電路之后，進(jìn)一步用剝離液將涂覆在微電路保護(hù)區(qū)域上作為掩膜的光刻膠除去。比如光電TFT-LCD生產(chǎn)工...

本發(fā)明下述示例性實(shí)施例可以多種不同的形式來(lái)實(shí)施，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為只限于這里所闡述的具體實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解的是，提供這些實(shí)施例是為了使得本發(fā)明的公開(kāi)徹底且完整，并且將這些示例性具體實(shí)施例的技術(shù)方案充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。如圖1所示，本發(fā)明提供的光刻膠剝...

本實(shí)用新型涉及資源回收再利用領(lǐng)域，特別是涉及含銅蝕刻液氣液分離裝置。背景技術(shù)：線路板生產(chǎn)工業(yè)中，會(huì)對(duì)已經(jīng)使用于蝕刻線路板的含銅蝕刻廢液進(jìn)行回收利用，在回收過(guò)程中，廢液在加熱器中通過(guò)蒸汽進(jìn)行換熱，換熱完的廢液在高溫狀態(tài)下進(jìn)入分離器，會(huì)在分離器中發(fā)生閃蒸，...

當(dāng)前級(jí)別腔室101對(duì)應(yīng)的過(guò)濾器30被薄膜碎屑阻塞后，通過(guò)閥門開(kāi)關(guān)60關(guān)閉當(dāng)前級(jí)別腔室101對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)箱20與過(guò)濾器30之間的液體流通，從而可以在閥門開(kāi)關(guān)60關(guān)閉后取下被阻塞的過(guò)濾器30進(jìn)行清理并不會(huì)導(dǎo)致之后的下一級(jí)腔室102的剝離進(jìn)程無(wú)法繼續(xù)。其中...

按照組成成分和應(yīng)用工藝不同，濕電子化學(xué)品可分為通用性和功能性濕電子化學(xué)品。通用濕電子化學(xué)品以超凈高純?cè)噭橹鳎话銥閱谓M份、單功能、被大量使用的液體化學(xué)品，按照性質(zhì)劃分可分為：酸類、堿類、有機(jī)溶劑類和其他類。酸類包括氫氟酸、硝酸、鹽酸、硫酸、磷酸等...

砷化鎵也有容易被腐蝕的特點(diǎn)，比如堿性的氨水、酸性的鹽酸、硫酸、硝酸等。去膠，也成為光刻膠的剝離。即完成光刻鍍膜等處理之后，需要去除光刻膠之后進(jìn)行下一步。有時(shí)直接采用+異丙醇的方式就可以去除。但是對(duì)于等離子體處理過(guò)的光刻膠，一般就比較難去除干凈。有的人把加...

本技術(shù)通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)上述目的：一種印刷品膠面印刷剝離復(fù)合裝置，包括主支撐架、橫向支架、伺服變頻電機(jī)、電機(jī)減速箱、印刷品放置箱、表面印刷結(jié)構(gòu)、膠面剝離結(jié)構(gòu)，所述主支撐架上方設(shè)置有所述橫向支架，所述橫向支架上方設(shè)置有所述伺服變頻電機(jī)，所述伺服變頻電機(jī)上方設(shè)...

所述功能切換口外部并聯(lián)有高純水輸入管線和沉淀劑輸入管線，所述二級(jí)過(guò)濾罐的底部設(shè)有廢液出口，所述一級(jí)過(guò)濾罐和二級(jí)過(guò)濾罐內(nèi)部均懸設(shè)有攔截固體成分的過(guò)濾筒。上述的光刻膠廢剝離液回收裝置，所述一級(jí)過(guò)濾罐和二級(jí)過(guò)濾罐的結(jié)構(gòu)相同，均由外殼、懸設(shè)于外殼內(nèi)的過(guò)濾筒、扣...

按照組成成分和應(yīng)用工藝不同，濕電子化學(xué)品可分為通用性和功能性濕電子化學(xué)品。通用濕電子化學(xué)品以超凈高純?cè)噭橹?，一般為單組份、單功能、被大量使用的液體化學(xué)品，按照性質(zhì)劃分可分為：酸類、堿類、有機(jī)溶劑類和其他類。酸類包括氫氟酸、硝酸、鹽酸、硫酸、磷酸等...

本技術(shù)通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)上述目的：一種印刷品膠面印刷剝離復(fù)合裝置，包括主支撐架、橫向支架、伺服變頻電機(jī)、電機(jī)減速箱、印刷品放置箱、表面印刷結(jié)構(gòu)、膠面剝離結(jié)構(gòu)，所述主支撐架上方設(shè)置有所述橫向支架，所述橫向支架上方設(shè)置有所述伺服變頻電機(jī)，所述伺服變頻電機(jī)上方設(shè)...

隨著電子元器件制作要求的提高，相關(guān)行業(yè)應(yīng)用對(duì)濕電子化學(xué)品純度的要求也不斷提高。為了適應(yīng)電子信息產(chǎn)業(yè)微處理工藝技術(shù)水平不斷提高的趨勢(shì)，并規(guī)范世界超凈高純?cè)噭┑臉?biāo)準(zhǔn)，國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備與材料組織（SEMI）將濕電子化學(xué)品按金屬雜質(zhì)、控制粒徑、顆粒個(gè)數(shù)和應(yīng)用...

本發(fā)明下述示例性實(shí)施例可以多種不同的形式來(lái)實(shí)施，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為只限于這里所闡述的具體實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解的是，提供這些實(shí)施例是為了使得本發(fā)明的公開(kāi)徹底且完整，并且將這些示例性具體實(shí)施例的技術(shù)方案充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。如圖1所示，本發(fā)明提供的光刻膠剝...

在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)的種結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)的第二種結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)的第三種結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別是涉及一種用于包括但不限于半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中光刻膠去除步驟的光刻膠剝離去除方法。背景技術(shù)：光刻膠是一大類具有光敏化學(xué)作用(或?qū)﹄娮幽芰棵舾?的高分子聚合物材料，是轉(zhuǎn)移紫外曝光或電子束曝照?qǐng)D案的媒介。光刻膠的也稱為光致抗蝕劑、...

目前的平面顯示裝置，尤其是有機(jī)電激發(fā)光顯示器，多使用鉻金屬作為導(dǎo)線的材料。但是因?yàn)殂t金屬的阻值高，因此研究者一直在尋求利用阻值較低的金屬作為導(dǎo)線的材料。以往曾經(jīng)有提議以銀作為平面顯示裝置的導(dǎo)線材料，但是因?yàn)闊o(wú)適當(dāng)穩(wěn)定的蝕刻液組成物，所以并未有***...

本發(fā)明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，通過(guò)在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑，來(lái)改善磷酸的浸潤(rùn)性和表面張力，使之均勻蝕刻氮化硅。背景技術(shù)：氮化硅是一種具有很高的化學(xué)穩(wěn)定性的絕緣材料，氫氟酸和熱磷酸能對(duì)氮化硅進(jìn)行緩慢地腐蝕。在半導(dǎo)體制造工藝中，一般...

所述卷邊輥與所述膠面收卷輥通過(guò)皮帶連接，所述收卷驅(qū)動(dòng)電機(jī)與所述膠面收卷輥通過(guò)導(dǎo)線連接。進(jìn)一步的，所述電加熱箱與所述干燥度感應(yīng)器通過(guò)導(dǎo)線連接，所述電氣控制箱與所述液晶操作面板通過(guò)導(dǎo)線連接。進(jìn)一步的，所述主支撐架由合金鋼壓制而成，厚度為5mm。進(jìn)一步的，所述干燥度...

本發(fā)明下述示例性實(shí)施例可以多種不同的形式來(lái)實(shí)施，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為只限于這里所闡述的具體實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解的是，提供這些實(shí)施例是為了使得本發(fā)明的公開(kāi)徹底且完整，并且將這些示例性具體實(shí)施例的技術(shù)方案充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。如圖1所示，本發(fā)明提供的光刻膠剝...