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可選擇的,旋涂光刻膠厚度范圍為1000?!?0000埃。s3,執(zhí)行離子注入:可選擇的,離子注入劑量范圍為1×1013cm-2~1×1016cm-2。s4,采用氮?dú)浠旌蠚怏w執(zhí)行等離子刻蝕,對(duì)光刻膠進(jìn)行干法剝離;如背景技術(shù)中所述,經(jīng)過高劑量或大分子量的源種...
使用當(dāng)前級(jí)腔室相應(yīng)的過濾器過濾來自當(dāng)前級(jí)腔室的剝離液并將過濾后的剝離液傳輸至下一級(jí)腔室;若所述過濾器被所述薄膜碎屑阻塞,則關(guān)閉連接被阻塞的所述過濾器的管道上的閥門開關(guān);取出被阻塞的所述過濾器。在一些實(shí)施例中,所述若所述過濾器被所述薄膜碎屑阻塞,則關(guān)...
參考圖7),這種殘余物在覆蓋一系列柵極堆棧薄膜之后會(huì)被增強(qiáng)呈現(xiàn),傳遞到柵極成型工序時(shí)會(huì)對(duì)柵極圖形產(chǎn)生嚴(yán)重的影響,即在柵極曝光圖形成型之后形成埋層缺陷,在柵極刻蝕圖形成型之后造成柵極斷開或橋接,直接降低了產(chǎn)品良率。另外,在氧氣灰化階段,由于等離子氧可以穿...
濕電子化學(xué)品位于電子信息產(chǎn)業(yè)偏中上游的材料領(lǐng)域。濕電子化學(xué)品上游是基 礎(chǔ)化工產(chǎn)品,下游是電子信息產(chǎn)業(yè)(信息通訊、消費(fèi)電子、家用電器、汽車電子、 LED、平板顯示、太陽能電池、**等領(lǐng)域)。濕電子化學(xué)品的生產(chǎn)工藝主要采用物 理的提純技術(shù)及混配技術(shù),將工業(yè)級(jí)...
所述功能切換口3外部并聯(lián)有高純水輸入管線1和沉淀劑輸入管線2。所述二級(jí)過濾罐13的底部設(shè)有廢液出口20。所述一級(jí)過濾罐16和二級(jí)過濾罐13內(nèi)部均懸設(shè)有攔截固體成分的過濾筒。本實(shí)施例中,所述一級(jí)過濾罐16和二級(jí)過濾罐13的結(jié)構(gòu)相同,以一級(jí)過濾罐16為例,...
利用提升泵將一級(jí)過濾罐中濾液抽取到攪拌釜內(nèi);再向攪拌釜中輸入沉淀劑,如酸性溶液,與前述濾液充分?jǐn)嚢杌旌显俅挝龀龀恋砦铮炊?jí)線性酚醛樹脂,打開二級(jí)過濾罐進(jìn)料管路上的電磁閥,帶有沉淀物的混合液進(jìn)入二級(jí)過濾罐中,由其中的過濾筒過濾得到二級(jí)線性酚醛樹脂,廢液...
本發(fā)明涉及能夠從施加有抗蝕劑的基材剝離抗蝕劑的抗蝕劑的剝離液。背景技術(shù)::印刷布線板的制造、主要是半加成法中使用的干膜抗蝕劑等抗蝕劑的剝離液中,伴隨微細(xì)布線化而使用胺系的剝離液。然而,以往的胺系的抗蝕劑的剝離液有廢液處理性難、海外的法規(guī)制度的問題,而避免其使用...
本發(fā)明提供的光刻膠剝離去除方法第二實(shí)施例,用于半導(dǎo)體制造工藝中,可應(yīng)用于包括但不限于mos、finfet等所有現(xiàn)有技術(shù)中涉及光刻膠剝離去除的生產(chǎn)步驟,主要包括以下步驟:s1,在半導(dǎo)體襯底上淀積一層二氧化硅薄膜作為介質(zhì)層;s2,旋涂光刻膠并曝光顯影,形成...
隨著電子元器件制作要求的提高,相關(guān)行業(yè)應(yīng)用對(duì)濕電子化學(xué)品純度的要求也不斷提高。為了適應(yīng)電子信息產(chǎn)業(yè)微處理工藝技術(shù)水平不斷提高的趨勢(shì),并規(guī)范世界超凈高純?cè)噭┑臉?biāo)準(zhǔn),國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備與材料組織(SEMI)將濕電子化學(xué)品按金屬雜質(zhì)、控制粒徑、顆粒個(gè)數(shù)和應(yīng)用...
當(dāng)前級(jí)別腔室101對(duì)應(yīng)的過濾器30被薄膜碎屑阻塞后,通過閥門開關(guān)60關(guān)閉當(dāng)前級(jí)別腔室101對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)箱20與過濾器30之間的液體流通,從而可以在閥門開關(guān)60關(guān)閉后取下被阻塞的過濾器30進(jìn)行清理并不會(huì)導(dǎo)致之后的下一級(jí)腔室102的剝離進(jìn)程無法繼續(xù)。其中...
若所述過濾器被所述薄膜碎屑阻塞,則關(guān)閉連接被阻塞的所述過濾器的管道上的閥門開關(guān);取出被阻塞的所述過濾器。在一些實(shí)施例中,所述若所述過濾器被所述薄膜碎屑阻塞,則關(guān)閉連接被阻塞的所述過濾器的管道上的閥門開關(guān)包括:若所述過濾器包括多個(gè)并列排布的子過濾器,則關(guān)...
高世代面板)表面上,或透入其表面,而把固體物料潤(rùn)濕,剝離液親水性良好,能快速高效地剝離溶解光刻膠。因此,本申請(qǐng)中的高世代面板銅制程光刻膠剝離液由酰胺、醇醚、環(huán)胺與鏈胺、緩蝕劑、潤(rùn)濕劑組成。其中,酰胺可以為n-甲基甲酰胺、n-甲基乙酰胺、n,n-二甲基甲...
利用提升泵將一級(jí)過濾罐中濾液抽取到攪拌釜內(nèi);再向攪拌釜中輸入沉淀劑,如酸性溶液,與前述濾液充分?jǐn)嚢杌旌显俅挝龀龀恋砦?,即二?jí)線性酚醛樹脂,打開二級(jí)過濾罐進(jìn)料管路上的電磁閥,帶有沉淀物的混合液進(jìn)入二級(jí)過濾罐中,由其中的過濾筒過濾得到二級(jí)線性酚醛樹脂,廢液...
本實(shí)用新型涉及光刻膠生產(chǎn)設(shè)備,具體是一種光刻膠廢剝離液回收裝置。背景技術(shù):光刻膠是微電子技術(shù)中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料之一,其是由溶劑、感光樹脂、光引發(fā)劑和添加劑四種成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。在紫外光、深紫外光、電子束、離子束等光照或輻射下,進(jìn)行光化...
所述功能切換口外部并聯(lián)有高純水輸入管線和沉淀劑輸入管線,所述二級(jí)過濾罐的底部設(shè)有廢液出口,所述一級(jí)過濾罐和二級(jí)過濾罐內(nèi)部均懸設(shè)有攔截固體成分的過濾筒。上述的光刻膠廢剝離液回收裝置,所述一級(jí)過濾罐和二級(jí)過濾罐的結(jié)構(gòu)相同,均由外殼、懸設(shè)于外殼內(nèi)的過濾筒、扣...
本實(shí)用新型涉及光刻膠生產(chǎn)設(shè)備,具體是一種光刻膠廢剝離液回收裝置。背景技術(shù):光刻膠是微電子技術(shù)中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料之一,其是由溶劑、感光樹脂、光引發(fā)劑和添加劑四種成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。在紫外光、深紫外光、電子束、離子束等光照或輻射下,進(jìn)行光化...
光刻膠又稱光致抗蝕劑,主要由感光樹脂、增感劑和溶劑三種成分組成。感光樹脂經(jīng)光照后,在曝光區(qū)能很快地發(fā)生光固化反應(yīng),使得這種材料的物理性能,特別是溶解性、親合性等發(fā)生明顯變化。經(jīng)曝光、顯影、刻蝕、擴(kuò)散、離子注入、金屬沉積等工藝將所需的微細(xì)圖形從掩模版...
隨著電子元器件制作要求的提高,相關(guān)行業(yè)應(yīng)用對(duì)濕電子化學(xué)品純度的要求也不斷提高。為了適應(yīng)電子信息產(chǎn)業(yè)微處理工藝技術(shù)水平不斷提高的趨勢(shì),并規(guī)范世界超凈高純?cè)噭┑臉?biāo)準(zhǔn),國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備與材料組織(SEMI)將濕電子化學(xué)品按金屬雜質(zhì)、控制粒徑、顆粒個(gè)數(shù)和應(yīng)用...
參考圖7),這種殘余物在覆蓋一系列柵極堆棧薄膜之后會(huì)被增強(qiáng)呈現(xiàn),傳遞到柵極成型工序時(shí)會(huì)對(duì)柵極圖形產(chǎn)生嚴(yán)重的影響,即在柵極曝光圖形成型之后形成埋層缺陷,在柵極刻蝕圖形成型之后造成柵極斷開或橋接,直接降低了產(chǎn)品良率。另外,在氧氣灰化階段,由于等離子氧可以穿...
隨著國(guó)內(nèi)電子制造產(chǎn)業(yè)和光電產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展,光刻膠剝離液等電子化學(xué)品的使用量也大為増加。特別是縱觀近幾年度的光電行業(yè),風(fēng)靡全球的智能手持設(shè)備、移動(dòng)終端等簡(jiǎn)直成為了光電行業(yè)的風(fēng)向標(biāo):與之相關(guān)的光電領(lǐng)域得到了飛速的發(fā)展,鏡頭模組、濾光片、LTPS液晶顯示...
按照玻璃基板傳送方向從當(dāng)前腔室101開始逐級(jí)由各腔室10向玻璃基板供給剝離液以進(jìn)行剝離制程。剝離液從當(dāng)前腔室101進(jìn)入相應(yīng)的存儲(chǔ)箱20,在剝離液的水平面超過預(yù)設(shè)高度后流入過濾器30,再經(jīng)過過濾器30的過濾將過濾后的剝離液傳送至下一級(jí)腔室102內(nèi)。其中,...
高世代面板)表面上,或透入其表面,而把固體物料潤(rùn)濕,剝離液親水性良好,能快速高效地剝離溶解光刻膠。因此,本申請(qǐng)中的高世代面板銅制程光刻膠剝離液由酰胺、醇醚、環(huán)胺與鏈胺、緩蝕劑、潤(rùn)濕劑組成。其中,酰胺可以為n-甲基甲酰胺、n-甲基乙酰胺、n,n-二甲基甲...
單片清洗工藝避免了不同硅片之間相互污染,降低了產(chǎn)品缺陷,提高了產(chǎn)品良率??蛇x擇的,清洗液采用氧化硫磺混合物溶液和過氧化氨混合物溶液??蛇x的,進(jìn)一步改進(jìn),清洗液采用h2so4:h2o2配比范圍為6:1~4:1且溫度范圍為110℃~140℃的過氧化硫磺混合...
光刻膠殘留大,殘留分布不均勻,并且產(chǎn)生邊緣聚集殘留。為了能夠進(jìn)一步地表示配方一和配方二之間的光刻膠殘留量對(duì)比,圖2中將多張單張檢測(cè)圖進(jìn)行疊加,可以更加清楚地看出兩者之間的區(qū)別,能夠明顯地看出使用配方一的剝離液,高世代面板邊緣光刻膠殘留量大。下面列舉更多...
本發(fā)明涉及化學(xué)制劑技術(shù)領(lǐng)域:,特別涉及一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液。背景技術(shù)::隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)以及立體封裝技術(shù)的不斷發(fā)展,電子器件和電子產(chǎn)品對(duì)多功能化和微型化的要求越來越高。在這種小型化趨勢(shì)的推動(dòng)下,要求芯片的封裝尺寸不斷減小。3d疊層粉妝技術(shù)的封裝體積...
所述過濾器包括多個(gè)并列排布的子過濾器,所述道包括多個(gè)子管道,每一所述子管道與一子過濾器連通,且所述多個(gè)子管道與當(dāng)前級(jí)腔室對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)箱連通。在一些實(shí)施例中,所述第二管道包括公共子管道及多個(gè)第二子管道,每一所述第二子管道與一子過濾器連通,每一所述第二子管道...
所述功能切換口3外部并聯(lián)有高純水輸入管線1和沉淀劑輸入管線2。所述二級(jí)過濾罐13的底部設(shè)有廢液出口20。所述一級(jí)過濾罐16和二級(jí)過濾罐13內(nèi)部均懸設(shè)有攔截固體成分的過濾筒。本實(shí)施例中,所述一級(jí)過濾罐16和二級(jí)過濾罐13的結(jié)構(gòu)相同,以一級(jí)過濾罐16為例,...
本發(fā)明涉及化學(xué)制劑技術(shù)領(lǐng)域:,特別涉及一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液。背景技術(shù)::隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)以及立體封裝技術(shù)的不斷發(fā)展,電子器件和電子產(chǎn)品對(duì)多功能化和微型化的要求越來越高。在這種小型化趨勢(shì)的推動(dòng)下,要求芯片的封裝尺寸不斷減小。3d疊層粉妝技術(shù)的封裝體積...
每一所述第二子管道502與所述公共子管道501連通,所述公共子管道501與所述下一級(jí)腔室102連通。其中,閥門開關(guān)60設(shè)置在每一子管道301上。在一些實(shí)施例中,閥門開關(guān)60設(shè)置在每一***子管道401及每一所述第二子管道502上。在一些實(shí)施例中,閥...
每一所述第二子管道502與所述公共子管道501連通,所述公共子管道501與所述下一級(jí)腔室102連通。其中,閥門開關(guān)60設(shè)置在每一子管道301上。在一些實(shí)施例中,閥門開關(guān)60設(shè)置在每一***子管道401及每一所述第二子管道502上。在一些實(shí)施例中,閥...