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在微光顯微鏡（EMMI) 操作過程中，當(dāng)對樣品施加合適的電壓時，其失效點會由于載流子加速散射或電子-空穴對復(fù)合效應(yīng)而發(fā)射特定波長的光子。這些光子經(jīng)過采集和圖像處理后，可以形成一張信號圖。隨后，取消施加在樣品上的電壓，在未供電的狀態(tài)下采集一張背景圖。再通過將信號...

鎖相熱成像系統(tǒng)在發(fā)展過程中也面臨著一些技術(shù)難點，其中如何優(yōu)化熱激勵方式與信號處理算法是問題。熱激勵方式的合理性直接影響檢測的靈敏度和準(zhǔn)確性，不同的被測物體需要不同的激勵參數(shù)；而信號處理算法則決定了能否從復(fù)雜的信號中有效提取出有用信息。為此，研究人員不斷進行探索...

在電子產(chǎn)業(yè)中，電激勵與鎖相熱成像系統(tǒng)的結(jié)合為電子元件檢測帶來了前所未有的高效解決方案。電激勵的原理是向電子元件施加特定頻率的周期性電流，利用電流通過導(dǎo)體時產(chǎn)生的焦耳效應(yīng)，使元件內(nèi)部產(chǎn)生均勻且可控的熱量。當(dāng)元件存在短路、虛焊、內(nèi)部裂紋等缺陷時，缺陷區(qū)域的熱傳導(dǎo)特...

考慮到部分客戶的特殊應(yīng)用場景，我們還提供Thermal&EMMI的個性化定制服務(wù)。無論是設(shè)備的功能模塊調(diào)整、性能參數(shù)優(yōu)化，還是外觀結(jié)構(gòu)適配，我們都能根據(jù)您的具體需求進行專屬設(shè)計與研發(fā)。憑借高效的研發(fā)團隊和成熟的生產(chǎn)體系，定制項目通常在 2-3 個月內(nèi)即可完成交...

電子產(chǎn)業(yè)的存儲器芯片檢測中，電激勵的鎖相熱成像系統(tǒng)發(fā)揮著獨特作用，為保障數(shù)據(jù)存儲安全提供了有力支持。存儲器芯片如 DRAM、NAND Flash 等，是電子設(shè)備中用于存儲數(shù)據(jù)的關(guān)鍵部件，其存儲單元的質(zhì)量直接決定了數(shù)據(jù)存儲的可靠性。存儲單元若存在缺陷，如氧化層擊...

通過大量海量熱圖像數(shù)據(jù)，催生出更智能的數(shù)據(jù)分析手段。借助深度學(xué)習(xí)算法，構(gòu)建熱圖像識別模型，可快速準(zhǔn)確地從復(fù)雜熱分布中識別出特定熱異常模式。如在集成電路失效分析中，模型能自動比對正常與異常芯片的熱圖像，定位短路、斷路等故障點，有效縮短分析時間。在數(shù)據(jù)處理軟件中集...

電激勵下的鎖相熱成像系統(tǒng)為電子產(chǎn)業(yè)的 PCB 板檢測提供了強有力的技術(shù)支持，尤其適用于高密度、高精度 PCB 板的質(zhì)量檢測。PCB 板作為電子設(shè)備的 “血管”，其線路密集且復(fù)雜，在生產(chǎn)過程中容易出現(xiàn)線路斷路、過孔堵塞、銅箔起皮等缺陷。這些缺陷若未被及時發(fā)現(xiàn)...

與傳統(tǒng)的熱成像技術(shù)相比，鎖相熱成像系統(tǒng)擁有諸多不可替代的優(yōu)勢。傳統(tǒng)熱成像技術(shù)往往只能檢測到物體表面的溫度分布，對于物體內(nèi)部不同深度的缺陷難以有效區(qū)分，而鎖相熱成像系統(tǒng)通過對相位信息的分析，能夠區(qū)分不同深度的缺陷，實現(xiàn)了分層檢測的突破，完美解決了傳統(tǒng)技術(shù)在判斷缺...

適用場景的分野，進一步凸顯了二者（微光顯微鏡&熱紅外顯微鏡）的互補價值。在邏輯芯片、存儲芯片的量產(chǎn)檢測中，微光顯微鏡通過對細微電缺陷的篩查，助力提升產(chǎn)品良率，降低批量報廢風(fēng)險；而在功率器件、車規(guī)芯片的可靠性測試中，熱紅外顯微鏡對熱分布的監(jiān)測，成為驗證產(chǎn)品穩(wěn)定性...

RTTLIT 系統(tǒng)采用了先進的鎖相熱成像（Lock-In Thermography）技術(shù)，這是一種通過調(diào)制電信號來大幅提升特征分辨率與檢測靈敏度的創(chuàng)新方法。在傳統(tǒng)的熱成像檢測中，由于背景噪聲和熱擴散等因素的影響，往往難以精確檢測到微小的熱異常。而鎖相熱成像...

柵氧化層缺陷顯微鏡發(fā)光技術(shù)定位的失效問題中，薄氧化層擊穿現(xiàn)象尤為關(guān)鍵。然而，當(dāng)多晶硅與阱的摻雜類型一致時，擊穿并不必然伴隨著空間電荷區(qū)的形成。關(guān)于其發(fā)光機制的解釋如下：當(dāng)電流密度達到足夠高的水平時，會在失效區(qū)域產(chǎn)生的電壓降。該電壓降進而引起顯微鏡光譜區(qū)內(nèi)的場加...

得注意的是，兩種技術(shù)均支持對芯片進行正面檢測（從器件有源區(qū)一側(cè)觀測）與背面檢測（透過硅襯底觀測），可根據(jù)芯片結(jié)構(gòu)、封裝形式靈活選擇檢測角度，確保在大范圍掃描中快速鎖定微小失效點（如微米級甚至納米級缺陷）。在實際失效分析流程中，PEM系統(tǒng)先通過EMMI與OBIR...

我司專注于微弱信號處理技術(shù)的深度開發(fā)與場景化應(yīng)用，憑借深厚的技術(shù)積累，已成功推出多系列失效分析檢測設(shè)備及智能化解決方案。更懂本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的需求，軟件界面貼合工程師操作習(xí)慣，無需額外適配成本即可快速融入產(chǎn)線流程。 性價比優(yōu)勢直擊痛點：相比進口設(shè)備，采...

當(dāng)電子設(shè)備中的某個元件發(fā)生故障或異常時，常常伴隨局部溫度升高。熱紅外顯微鏡通過高靈敏度的紅外探測器，能夠捕捉到極其微弱的熱輻射信號。這些探測器通常采用量子級聯(lián)激光器等先進技術(shù)，或其他高性能紅外傳感方案，具備寬溫區(qū)、高分辨率的成像能力。通過對熱輻射信號的精細探測...

電激勵的鎖相熱成像系統(tǒng)在電子產(chǎn)業(yè)的柔性電子檢測中展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景，為柔性電子技術(shù)的發(fā)展提供了關(guān)鍵的質(zhì)量控制手段。柔性電子具有可彎曲、重量輕、便攜性好等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于柔性顯示屏、柔性傳感器、可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域。然而，柔性電子材料通常較薄且易變形，傳統(tǒng)的機械檢...

通過對這些微光信號的成像與定位，它能直接“鎖定”電性能缺陷的物理位置，如同在黑夜中捕捉螢火蟲的微光，實現(xiàn)微米級的定位。而熱紅外顯微鏡則是“溫度的解讀師”，依托紅外熱成像技術(shù)，它檢測的是芯片工作時因能量損耗產(chǎn)生的溫度差異。電流通過芯片時的電阻損耗、電路短路時的異...

我司專注于微弱信號處理技術(shù)的深度開發(fā)與場景化應(yīng)用，憑借深厚的技術(shù)積累，已成功推出多系列失效分析檢測設(shè)備及智能化解決方案。更懂本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的需求，軟件界面貼合工程師操作習(xí)慣，無需額外適配成本即可快速融入產(chǎn)線流程。 性價比優(yōu)勢直擊痛點：相比進口設(shè)備，采...

在電子產(chǎn)業(yè)中，電激勵與鎖相熱成像系統(tǒng)的結(jié)合為電子元件檢測帶來了前所未有的高效解決方案。電激勵的原理是向電子元件施加特定頻率的周期性電流，利用電流通過導(dǎo)體時產(chǎn)生的焦耳效應(yīng)，使元件內(nèi)部產(chǎn)生均勻且可控的熱量。當(dāng)元件存在短路、虛焊、內(nèi)部裂紋等缺陷時，缺陷區(qū)域的熱傳導(dǎo)特...

半導(dǎo)體材料分為直接帶隙半導(dǎo)體和間接帶隙半導(dǎo)體，而Si是典型的直接帶隙半導(dǎo)體，其禁帶寬度為1.12eV。所以當(dāng)電子與空穴復(fù)合時，電子會彈射出一個光子，該光子的能量為1.12eV，根據(jù)波粒二象性原理，該光子的波長為1100nm，屬于紅外光區(qū)。通俗的講就是當(dāng)載流子進...

微光顯微鏡技術(shù)特性差異 探測靈敏度方向：EMMI 追求對微弱光子的高靈敏度（可檢測單光子級別信號），需配合暗場環(huán)境減少干擾；熱紅外顯微鏡則強調(diào)溫度分辨率（部分設(shè)備可達 0.01℃），需抑制環(huán)境熱噪聲。 空間分辨率：EMMI 的分辨率受光學(xué)系統(tǒng)和...

例如，當(dāng)某批芯片在測試中發(fā)現(xiàn)漏電失效時，我們的微光顯微鏡能定位到具體的失效位置，為后續(xù)通過聚焦離子束（FIB）切割進行截面分析、追溯至柵氧層缺陷及氧化工藝異常等環(huán)節(jié)提供關(guān)鍵前提。可以說，我們的設(shè)備是半導(dǎo)體行業(yè)失效分析中定位失效點的工具，其的探測能力和高效的...

這一技術(shù)不僅有助于快速定位漏電根源（如特定晶體管的柵氧擊穿、PN結(jié)邊緣缺陷等），更能在芯片量產(chǎn)階段實現(xiàn)潛在漏電問題的早期篩查，為采取針對性修復(fù)措施（如優(yōu)化工藝參數(shù)、改進封裝設(shè)計）提供依據(jù)，從而提升芯片的長期可靠性。例如，某批次即將交付的電源管理芯片在出廠前的E...

EMMI 技術(shù)基于半導(dǎo)體器件在工作時因電子 - 空穴復(fù)合產(chǎn)生的光子輻射現(xiàn)象，通過高靈敏度光學(xué)探測器捕捉微弱光子信號，能夠以皮安級電流精度定位漏電、短路等微觀缺陷。這種技術(shù)尤其適用于檢測芯片內(nèi)部的柵極氧化層缺陷、金屬導(dǎo)線短路等肉眼難以察覺的故障，為工程師提供...

近年來，非制冷熱紅外顯微鏡價格呈下行趨勢。在技術(shù)進步層面，國內(nèi)紅外焦平面陣列芯片技術(shù)不斷突破，像元間距縮小、陣列規(guī)模擴大，從早期的 17μm、384×288 發(fā)展到如今主流的 12μm 像元，1280 ×1 024、1920 × 1080 陣列規(guī)模實現(xiàn)量產(chǎn)，如...

在失效分析中，零成本簡單且常用的三個方法基于“觀察-驗證-定位”的基本邏輯，無需復(fù)雜設(shè)備即可快速縮小失效原因范圍： 1.外觀檢查法（VisualInspection） 2.功能復(fù)現(xiàn)與對比法（FunctionReproduction&Compar...

除了熱輻射，電子設(shè)備在出現(xiàn)故障或異常時，還可能伴隨微弱的光發(fā)射增強。熱紅外顯微鏡搭載高靈敏度的光學(xué)探測器，如光電倍增管（PMT）或電荷耦合器件（CCD），能夠有效捕捉這些低強度的光信號。這類光發(fā)射通常源自電子在半導(dǎo)體材料中發(fā)生的能級躍遷、載流子復(fù)合或其他物理過...

定位短路故障點短路是造成芯片失效的關(guān)鍵誘因之一。 當(dāng)芯片內(nèi)部電路發(fā)生短路時，短路區(qū)域會形成異常電流通路，引發(fā)局部溫度驟升，并伴隨特定波長的光發(fā)射現(xiàn)象。EMMI（微光顯微鏡）憑借其超高靈敏度，能夠捕捉這些由短路產(chǎn)生的微弱光信號，再通過對光信號的強度分布...

熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI) 也是科研與教學(xué)領(lǐng)域的利器，其設(shè)備能捕捉微觀世界的熱信號。它將紅外探測與顯微技術(shù)結(jié)合，呈現(xiàn)物體表面溫度分布，分辨率達微米級，可觀察半導(dǎo)體芯片熱點、電子器件熱分布等。非接觸式測量是其一大優(yōu)勢，無需與被測物體直接接觸，避...

從技術(shù)原理來看，該設(shè)備構(gòu)建了一套完整的 “熱信號捕捉 - 解析 - 成像” 體系。其搭載的高性能探測器（如 RTTLIT P20 采用的 100Hz 高頻深制冷型紅外探測器）能敏銳捕捉中波紅外波段的熱輻射，配合 InGaAs 微光顯微鏡模塊，可同時實現(xiàn)熱信號與...

鎖相熱成像系統(tǒng)與電激勵結(jié)合，為電子產(chǎn)業(yè)的芯片失效分析提供了一種全新的方法，幫助企業(yè)快速定位失效原因，改進生產(chǎn)工藝。芯片失效的原因復(fù)雜多樣，可能是設(shè)計缺陷、材料問題、制造過程中的污染，也可能是使用過程中的靜電損傷、熱疲勞等。傳統(tǒng)的失效分析方法如切片分析、探針測試...