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對(duì)于開(kāi)關(guān)頻率小于100kHz的信號(hào)一般?。?00~500)kHz載波頻率較好,變壓器選用較高磁導(dǎo)如5K、7K等高頻環(huán)形磁芯,其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好。這種驅(qū)動(dòng)電路只適合于信號(hào)頻率小于100kHz的場(chǎng)合,因信號(hào)頻率相對(duì)載波頻率太高的話(huà),相對(duì)延時(shí)太多,且所需驅(qū)動(dòng)功率增大,UC3724和UC3725芯片發(fā)熱溫升較高,故100kHz以上開(kāi)關(guān)頻率只對(duì)較小極電容的MOSFET才可以。對(duì)于1kVA左右開(kāi)關(guān)頻率小于100kHz的場(chǎng)合,它是一種良好的驅(qū)動(dòng)電路。該電路具有以下特點(diǎn):?jiǎn)坞娫垂ぷ?,控制信?hào)與驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)隔離,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單尺寸較小,尤其適用于占空比變化不確定或信號(hào)頻率也變化的場(chǎng)合。來(lái)看這個(gè)電路,控制信號(hào)PGC控制V4.2是否給P_GPRS供電。此電路中,源漏兩端沒(méi)有接反,R110與R113存在的意義在于R110控制柵極電流不至于過(guò)大,R113控制柵極的常態(tài),將R113上拉為高,截至PMOS,同時(shí)也可以看作是對(duì)控制信號(hào)的上拉,當(dāng)MCU內(nèi)部管腳并沒(méi)有上拉時(shí),即輸出為開(kāi)漏時(shí),并不能驅(qū)動(dòng)PMOS關(guān)閉,此時(shí),就需要外部電壓給予的上拉,所以電阻R113起到了兩個(gè)作用。R110可以更小,到100歐姆也可。場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入阻抗高、輸出阻抗低、線性度好、溫度穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn),使其在各種電路中表現(xiàn)出色?;葜萁饘侔雽?dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管制造商
場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù):1、開(kāi)啟電壓,開(kāi)啟電壓UT是指加強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。2、跨導(dǎo),跨導(dǎo)gm是表示柵源電壓UGS對(duì)漏極電流ID的控制才能,即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gm是權(quán)衡場(chǎng)效應(yīng)管放大才能的重要參數(shù)。3、漏源擊穿電壓,漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能接受的較大漏源電壓。這是一項(xiàng)極限參數(shù),加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS。4、較大耗散功率,較大耗散功率PDSM也是—項(xiàng)極限參數(shù),是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的較大漏源耗散功率。運(yùn)用時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)踐功耗應(yīng)小于PDSM并留有—定余量。5、較大漏源電流,較大漏源電流IDSM是另一項(xiàng)極限參數(shù),是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí),漏源間所允許經(jīng)過(guò)的較大電流。場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超越IDSM。無(wú)錫VMOS場(chǎng)效應(yīng)管尺寸場(chǎng)效應(yīng)管的響應(yīng)速度快,可以實(shí)現(xiàn)高頻率的信號(hào)處理。
功耗低場(chǎng)效應(yīng)管完美順應(yīng)了當(dāng)今節(jié)能減排的時(shí)代趨勢(shì)。通過(guò)對(duì)溝道結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì),采用新型的低電阻材料,明顯降低了導(dǎo)通電阻,從而大幅減少了電流通過(guò)時(shí)的能量損耗。在可穿戴設(shè)備領(lǐng)域,電池續(xù)航一直是困擾用戶(hù)的難題。以智能手環(huán)為例,其內(nèi)部空間有限,電池容量不大,但卻需要持續(xù)運(yùn)行多種功能,如心率監(jiān)測(cè)、運(yùn)動(dòng)追蹤、信息提醒等。功耗低場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用于智能手環(huán)的電源管理和信號(hào)處理電路后,能夠大幅降低整體功耗。原本只能續(xù)航 1 - 2 天的智能手環(huán),采用此類(lèi)場(chǎng)效應(yīng)管后,續(xù)航可提升至 7 - 10 天,極大地提升了用戶(hù)使用的便利性,讓用戶(hù)無(wú)需頻繁充電,能夠持續(xù)享受智能手環(huán)帶來(lái)的便捷服務(wù),有力地推動(dòng)了可穿戴設(shè)備的普及與發(fā)展,讓健康監(jiān)測(cè)與便捷生活時(shí)刻相伴。
場(chǎng)效應(yīng)管工作原理用一句話(huà)說(shuō),就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID, 用柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓進(jìn)行控制”。更正確地說(shuō),ID流經(jīng)通路的寬度,即溝道截面積,它是由pn結(jié)反偏的變化,產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域,表示的過(guò)渡層的擴(kuò)展因?yàn)椴缓艽?,根?jù)漏極-源極間所加VDS的電場(chǎng),源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去,即從漏極向源極有電流ID流動(dòng)。從門(mén)極向漏極擴(kuò)展的過(guò)度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型,ID飽和。將這種狀態(tài)稱(chēng)為夾斷。這意味著過(guò)渡層將溝道的一部分阻擋,并不是電流被切斷。JFET常用于低頻放大電路、高輸入阻抗的場(chǎng)合。
場(chǎng)效應(yīng)管與雙極型晶體管比,它的體積小,重量輕,壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn),而且輸入回路的內(nèi)阻特別高,噪聲低、熱穩(wěn)定性好(因?yàn)閹缀踔焕枚嘧訉?dǎo)電)、防輻射能力強(qiáng)以及省電等優(yōu)點(diǎn),幾乎場(chǎng)效應(yīng)管占據(jù)的絕大部分市場(chǎng)。有利就有弊,而場(chǎng)效應(yīng)管的放大倍數(shù)要小于雙極型晶體管的放大倍數(shù)(原因后續(xù)詳解)。根據(jù)制作主要工藝主要分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(Junction Field Effect Transistor,JFET)和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管),下面來(lái)具體來(lái)看這兩種管子。場(chǎng)效應(yīng)管(FET)基礎(chǔ)知識(shí):名稱(chēng),場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor 縮寫(xiě)(FET)),簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(junction FET-JFET),金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 (metal-oxide semiconductor FET,簡(jiǎn)稱(chēng)MOS-FET),由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱(chēng)為單極型晶體管,屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。與之對(duì)應(yīng)的是由兩種載流子參與導(dǎo)電的雙極型晶體管,三極管(BJT),屬于電流控制型半導(dǎo)體器件。場(chǎng)效應(yīng)管也可以用作開(kāi)關(guān),可以控制電路的通斷。上海耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管加工
場(chǎng)效應(yīng)管是一種重要的半導(dǎo)體器件,它利用電場(chǎng)效應(yīng)控制電流,實(shí)現(xiàn)電路的開(kāi)關(guān)和放大功能?;葜萁饘侔雽?dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管制造商
MOS管三個(gè)極分別是什么及判定方法:mos管的三個(gè)極分別是:G(柵極),D(漏極)s(源及),要求柵極和源及之間電壓大于某一特定值,漏極和源及才能導(dǎo)通。判斷柵極G,MOS驅(qū)動(dòng)器主要起波形整形和加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)的作用:假如MOS管的G信號(hào)波形不夠陡峭,在點(diǎn)評(píng)切換階段會(huì)造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉(zhuǎn)換效率,MOS管發(fā)燒嚴(yán)峻,易熱損壞MOS管GS間存在一定電容,假如G信號(hào)驅(qū)動(dòng)能力不夠,將嚴(yán)峻影響波形跳變的時(shí)間。將G-S極短路,選擇萬(wàn)用表的R×1檔,黑表筆接S極,紅表筆接D極,阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無(wú)限大,并且交換表筆后仍為無(wú)限大,則證實(shí)此腳為G極,由于它和另外兩個(gè)管腳是絕緣的?;葜萁饘侔雽?dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管制造商