二極管的開關(guān)作用 二極管可以作為電子開關(guān)使用,利用其單向?qū)щ娦詠?lái)控制電路的通斷。在正向偏置時(shí)(陽(yáng)極電壓高于陰極),二極管導(dǎo)通,相當(dāng)于開關(guān)閉合;而在反向偏置時(shí),二極管截止,相當(dāng)于開關(guān)斷開。這一特性被廣泛應(yīng)用于數(shù)字邏輯電路、高頻信號(hào)切換以及自動(dòng)控制系統(tǒng)中。例如,在射頻(RF)電路中,二極管可用于天線切換,使設(shè)備在發(fā)送和接收信號(hào)時(shí)自動(dòng)選擇正確的路徑。此外,高速開關(guān)二極管(如肖特基二極管)因其快速響應(yīng)能力,常用于計(jì)算機(jī)和通信設(shè)備的高頻電路中,確保信號(hào)傳輸?shù)臏?zhǔn)確性。 脈沖電流(IFSM)參數(shù)反映二極管模塊的浪涌耐受能力,啟動(dòng)電路需重點(diǎn)關(guān)注。肖特基二極管品牌推薦二極管肖特基二極管模塊的高頻應(yīng)用 肖...
二極管模塊在醫(yī)療設(shè)備中的精密穩(wěn)壓 醫(yī)療影像設(shè)備(如CT機(jī))的X射線管需要超高穩(wěn)定度的高壓電源。齊納二極管模塊通過(guò)多級(jí)串聯(lián),提供準(zhǔn)確的參考電壓(誤差±0.1%),確保成像質(zhì)量。模塊的真空封裝和陶瓷絕緣設(shè)計(jì)避免高壓擊穿,同時(shí)屏蔽電磁干擾。在生命支持設(shè)備(如呼吸機(jī))中,低漏電流二極管模塊(<1nA)防止微小信號(hào)失真,保障患者安全。此外,模塊的生物相容性材料(如醫(yī)用級(jí)硅膠)通過(guò)ISO 13485認(rèn)證,滿足醫(yī)療電子的嚴(yán)格法規(guī)要求。 Infineon的EconoDUAL?封裝模塊兼容多拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),為風(fēng)電變流器提供高性價(jià)比解決方案。貴州SEMIKRON賽米控二極管二極管二極管的變?nèi)葑饔茫ㄗ內(nèi)荻O管) ...
快恢復(fù)二極管模塊的開關(guān)機(jī)理 快恢復(fù)二極管(FRD)模塊的逆向恢復(fù)特性(trr<100ns)源于芯片的少子壽命控制技術(shù)。通過(guò)電子輻照或鉑摻雜,將PN結(jié)少數(shù)載流子壽命從μs級(jí)縮短至ns級(jí)。以1200V/50A FRD模塊為例,其反向恢復(fù)電流(Irr)與軟度因子(S=ta/tb)直接影響IGBT模塊的開關(guān)損耗。測(cè)試數(shù)據(jù)顯示,當(dāng)di/dt=100A/μs時(shí),優(yōu)化后的模塊Irr<30A,且S>0.8,可減少關(guān)斷電壓尖峰50%以上。模塊內(nèi)部常集成RC緩沖電路,利用10Ω+100nF組合吸收漏感能量,抑制電磁干擾(EMI)。 周期性負(fù)載中,需通過(guò)熱仿真軟件驗(yàn)證二極管模塊的結(jié)溫波動(dòng),避免熱疲勞失效。吉林整...
二極管模塊在工業(yè)焊接設(shè)備中的浪涌抑制 工業(yè)電焊機(jī)、等離子切割機(jī)等設(shè)備頻繁啟停,產(chǎn)生瞬時(shí)浪涌電流。二極管模塊(如TVS陣列模塊)可快速鉗位過(guò)電壓,保護(hù)控制電路。例如,三相整流模塊搭配雪崩二極管模塊,能承受數(shù)千安培的瞬態(tài)電流,響應(yīng)時(shí)間達(dá)皮秒級(jí)。模塊的并聯(lián)設(shè)計(jì)均流特性優(yōu)異,避開單點(diǎn)失效。此外,水冷式二極管模塊(如Infineon的PrimePack)通過(guò)直接冷卻將功率密度提升50%,滿足大功率焊接設(shè)備的連續(xù)作業(yè)需求,有效延長(zhǎng)設(shè)備壽命并降低維護(hù)成本。 整流二極管模塊具備高電流承載能力,常用于AC/DC轉(zhuǎn)換,如充電樁和工業(yè)電源。肖特基二極管報(bào)價(jià)二極管二極管就是由一個(gè)PN結(jié)加上相應(yīng)的電極引線及管殼封裝...
碳化硅(SiC)二極管模塊的技術(shù)優(yōu)勢(shì) 碳化硅(SiC)二極管模塊是近年來(lái)功率電子領(lǐng)域的重大突破,其性能遠(yuǎn)超傳統(tǒng)硅基二極管。SiC材料的禁帶寬度(3.26eV)和臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度(10倍于硅)使其能夠承受更高的工作溫度和電壓,同時(shí)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通損耗。例如,SiC肖特基二極管模塊的反向恢復(fù)電流幾乎為零,可大幅降低高頻開關(guān)損耗,適用于電動(dòng)汽車電驅(qū)系統(tǒng)和大功率充電樁。此外,SiC模塊的耐溫能力可達(dá)200°C以上,明顯提升了系統(tǒng)可靠性。盡管成本較高,但SiC二極管模塊在新能源發(fā)電、航空航天等**領(lǐng)域的應(yīng)用日益***,成為未來(lái)功率電子技術(shù)的重要發(fā)展方向。 并聯(lián)使用二極管模塊時(shí),需串聯(lián)均流電阻(0.1-0....
萬(wàn)用表對(duì)二極管進(jìn)行測(cè)量的方法 1. 電阻檔測(cè)量將萬(wàn)用表打到電阻檔,選擇適當(dāng)?shù)牧砍蹋ǜ鶕?jù)被測(cè)二極管的型號(hào)和實(shí)際參數(shù)選擇),然后將紅黑表筆分別接觸二極管的兩端。正常情況下,二極管的正向電阻應(yīng)該在幾十到幾百歐姆之間。如果測(cè)得電阻為零或者無(wú)窮大,則說(shuō)明該二極管已經(jīng)短路或者斷路,存在故障。 2. 電壓檔測(cè)量將萬(wàn)用表打到電壓檔,選擇適當(dāng)?shù)牧砍蹋ǜ鶕?jù)被測(cè)二極管的型號(hào)和實(shí)際參數(shù)選擇),然后將紅黑表筆分別接觸二極管的兩端。正常情況下,二極管的正向電壓應(yīng)該為零或者接近于零,而反向電壓應(yīng)該為無(wú)窮大或者接近于無(wú)窮大。如果測(cè)得正向電壓過(guò)高或者反向電壓過(guò)低,則說(shuō)明該二極管存在故障。 快速恢復(fù)二極管模塊可明顯降低開關(guān)損...
二極管的開關(guān)作用 二極管可以作為電子開關(guān)使用,利用其單向?qū)щ娦詠?lái)控制電路的通斷。在正向偏置時(shí)(陽(yáng)極電壓高于陰極),二極管導(dǎo)通,相當(dāng)于開關(guān)閉合;而在反向偏置時(shí),二極管截止,相當(dāng)于開關(guān)斷開。這一特性被廣泛應(yīng)用于數(shù)字邏輯電路、高頻信號(hào)切換以及自動(dòng)控制系統(tǒng)中。例如,在射頻(RF)電路中,二極管可用于天線切換,使設(shè)備在發(fā)送和接收信號(hào)時(shí)自動(dòng)選擇正確的路徑。此外,高速開關(guān)二極管(如肖特基二極管)因其快速響應(yīng)能力,常用于計(jì)算機(jī)和通信設(shè)備的高頻電路中,確保信號(hào)傳輸?shù)臏?zhǔn)確性。 肖特基二極管模塊反向恢復(fù)時(shí)間極短,適用于高頻開關(guān)電源,減少能量損耗和發(fā)熱。廣西二極管有哪些品牌二極管二極管伏安特性 二極管具有單向...
Infineon英飛凌作為全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的**企業(yè),其二極管模塊產(chǎn)品以高性能、高可靠性著稱,廣泛應(yīng)用于工業(yè)驅(qū)動(dòng)、新能源發(fā)電、汽車電子等領(lǐng)域。英飛凌采用先進(jìn)的薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝工藝,使模塊在功率密度、能效和散熱性能方面處于行業(yè)**水平。例如,其EconoPACK?系列模塊采用TRENCHSTOP?溝槽技術(shù),***降低導(dǎo)通損耗,1200V/300A模塊的正向壓降*1.25V,比傳統(tǒng)方案節(jié)能20%。此外,英飛凌的SiC(碳化硅)肖特基二極管模塊(CoolSiC?系列)憑借零反向恢復(fù)電荷(Qrr)特性,成為高頻、高功率應(yīng)用的理想選擇,特別適用于電動(dòng)汽車和太陽(yáng)能逆變器。熱阻(Rth)越低的二極管...
二極管模塊的電氣絕緣原理 二極管模塊的絕緣性能依賴于封裝內(nèi)部的介質(zhì)層設(shè)計(jì)。在高壓模塊(如1700V SiC二極管模塊)中,氧化鋁(Al?O?)或氮化硅(Si?N?)陶瓷基板作為絕緣層,其介電強(qiáng)度可達(dá)20kV/mm。芯片與基板間采用高導(dǎo)熱絕緣膠(如環(huán)氧樹脂摻Al?O?顆粒)粘接,既保證電氣隔離又實(shí)現(xiàn)熱傳導(dǎo)。模塊外殼采用硅凝膠填充和環(huán)氧樹脂密封,防止?jié)駳馇秩雽?dǎo)致爬電失效。測(cè)試時(shí)需通過(guò)AC 3kV/1分鐘的耐壓測(cè)試和局部放電檢測(cè)(PD<5pC),確保在惡劣環(huán)境下(如光伏電站的鹽霧環(huán)境)長(zhǎng)期可靠工作。 反向重復(fù)峰值電壓(VRRM)需高于電路最大反向電壓 1.5-2 倍,避免擊穿損壞。重慶二極管電子...
英飛凌PrimePACK?系列二極管模塊專為大功率工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì),如電機(jī)驅(qū)動(dòng)、變頻器和重型機(jī)械。該模塊采用創(chuàng)新的彈簧接觸技術(shù),有效降低接觸電阻(0.2mΩ),支持高達(dá)1400A的持續(xù)工作電流。其PressFIT壓接引腳設(shè)計(jì)避免了傳統(tǒng)焊接的疲勞問(wèn)題,大幅提升模塊在振動(dòng)環(huán)境下的可靠性。此外,PrimePACK?模塊內(nèi)置高精度溫度傳感器(±1℃)和電流檢測(cè)端子,可實(shí)時(shí)監(jiān)控運(yùn)行狀態(tài),確保系統(tǒng)安全。實(shí)際應(yīng)用案例顯示,在起重機(jī)變頻系統(tǒng)中采用該模塊后,整體效率提升至98.5%,維護(hù)周期延長(zhǎng)至5萬(wàn)小時(shí)以上,明顯降低運(yùn)營(yíng)成本。根據(jù)封裝形式(如 TO-247、D2PAK),二極管模塊可適配不同散熱片安裝需求。遼寧二...
二極管就是由一個(gè)PN結(jié)加上相應(yīng)的電極引線及管殼封裝而成的。采用不同的摻雜工藝,通過(guò)擴(kuò)散作用,將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體(通常是硅或鍺)基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。PN結(jié)具有單向?qū)щ娦裕赑N結(jié)外加正向電壓V,在這個(gè)外加電場(chǎng)的作用下,PN結(jié)的平衡狀態(tài)被打破,P區(qū)中的空穴和N區(qū)的電子都往PN結(jié)方向移動(dòng),空穴和PN結(jié)P區(qū)的負(fù)離子中和,電子和PN結(jié)N區(qū)的正離子中和,這樣就使PN結(jié)變窄。隨著外加電場(chǎng)的增加,擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)進(jìn)一步增強(qiáng),漂移運(yùn)動(dòng)減弱。當(dāng)外加電壓超過(guò)門檻電壓,PN結(jié)相當(dāng)于一個(gè)阻值很小的電阻,也就是PN結(jié)導(dǎo)通。肖特基二極管模塊反向恢復(fù)時(shí)間極短,適用于高頻開關(guān)電源,...
二極管模塊在整流電路中的作用 二極管模塊在電源系統(tǒng)中承擔(dān)著高效整流的關(guān)鍵任務(wù),將交流電(AC)轉(zhuǎn)換為直流電(DC)。與分立二極管相比,模塊化設(shè)計(jì)集成多個(gè)二極管(如橋式整流模塊),具有更高的功率密度和散熱性能。例如,三相整流模塊廣泛應(yīng)用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、UPS不間斷電源和新能源逆變器中,可處理數(shù)百安培的大電流,同時(shí)降低導(dǎo)通損耗。模塊內(nèi)部的二極管芯片通常采用快恢復(fù)或超快恢復(fù)技術(shù),減少反向恢復(fù)時(shí)間,提升轉(zhuǎn)換效率。此外,模塊的緊湊結(jié)構(gòu)和標(biāo)準(zhǔn)化封裝(如DBC陶瓷基板)簡(jiǎn)化了電路布局,適用于高可靠性要求的電力電子設(shè)備,如電動(dòng)汽車充電樁和太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)。 西門康的快速恢復(fù)二極管模塊可降低反向恢復(fù)損耗,提升...
二極管模塊在太陽(yáng)能光伏系統(tǒng)中的應(yīng)用 光伏發(fā)電系統(tǒng)中,二極管模塊主要用于旁路(Bypass)和防反灌(Blocking)功能。旁路二極管模塊在太陽(yáng)能電池板部分遮蔭時(shí),為電流提供替代路徑,避免“熱斑效應(yīng)”損壞電池片,典型應(yīng)用如光伏接線盒中的肖特基二極管模塊。防反灌模塊則防止夜間電池板反向消耗電能,通常采用大電流硅二極管模塊,耐壓高達(dá)1000V。模塊化的封裝(如TO-247)增強(qiáng)散熱能力,適應(yīng)戶外高溫環(huán)境。此外,智能二極管模塊(如Tigo的優(yōu)化器)還集成MPPT功能,進(jìn)一步提升發(fā)電效率,成為分布式光伏系統(tǒng)的重要組件。 高頻開關(guān)下,二極管模塊的結(jié)電容(Cj)會(huì)引入額外損耗,需搭配 RC 緩沖電路抑...
碳化硅二極管模塊的物理原理 SiC肖特基二極管模塊利用寬禁帶材料(Eg=3.26eV)的特性實(shí)現(xiàn)超快開關(guān)。其金屬-半導(dǎo)體接觸形成的肖特基勢(shì)壘高度(ΦB≈1.2eV)決定了正向壓降(Vf≈1.5V@25℃)。與硅器件相比,SiC模塊的漂移區(qū)電阻降低90%(因臨界擊穿電場(chǎng)達(dá)3MV/cm),故1200V模塊的比導(dǎo)通電阻2mΩ·cm2。獨(dú)特的JBS(結(jié)勢(shì)壘肖特基)結(jié)構(gòu)在PN結(jié)和肖特基結(jié)并聯(lián),使模塊在高溫下漏電流仍<1μA(175℃時(shí))。羅姆的SiC模塊實(shí)測(cè)顯示,其反向恢復(fù)電荷(Qrr)為硅FRD的1/5,可使逆變器開關(guān)頻率提升至100kHz以上。 Infineon的二極管模塊支持高電流密度設(shè)計(jì),散...
西門康SEMiX系列**了功率二極管模塊的技術(shù)***,其創(chuàng)新性的三明治結(jié)構(gòu)將熱阻降至0.12K/W。以SEMiX453GD12E4為例,該1200V/450A模塊采用納米銀燒結(jié)技術(shù),功率循環(huán)能力達(dá)50萬(wàn)次(ΔTj=80K)。獨(dú)特的彈簧壓接系統(tǒng)(PCS)使接觸電阻*0.18mΩ,較焊接方案降低60%。在電梯變頻器實(shí)測(cè)中,該模塊使系統(tǒng)損耗減少20%,溫升降低18K。模塊還集成溫度傳感器(±1℃精度)和電流檢測(cè)端子,支持實(shí)時(shí)狀態(tài)監(jiān)控。西門康提供的3D熱仿真模型可精確預(yù)測(cè)模塊在不同散熱條件下的性能表現(xiàn)。 西門康SiC二極管模塊利用碳化硅材料特性,實(shí)現(xiàn)高溫穩(wěn)定運(yùn)行,適用于新能源汽車和充電樁...
二極管模塊的電氣絕緣原理 二極管模塊的絕緣性能依賴于封裝內(nèi)部的介質(zhì)層設(shè)計(jì)。在高壓模塊(如1700V SiC二極管模塊)中,氧化鋁(Al?O?)或氮化硅(Si?N?)陶瓷基板作為絕緣層,其介電強(qiáng)度可達(dá)20kV/mm。芯片與基板間采用高導(dǎo)熱絕緣膠(如環(huán)氧樹脂摻Al?O?顆粒)粘接,既保證電氣隔離又實(shí)現(xiàn)熱傳導(dǎo)。模塊外殼采用硅凝膠填充和環(huán)氧樹脂密封,防止?jié)駳馇秩雽?dǎo)致爬電失效。測(cè)試時(shí)需通過(guò)AC 3kV/1分鐘的耐壓測(cè)試和局部放電檢測(cè)(PD<5pC),確保在惡劣環(huán)境下(如光伏電站的鹽霧環(huán)境)長(zhǎng)期可靠工作。 二極管模塊搭配散熱基板,有效降低溫升,提高系統(tǒng)可靠性,延長(zhǎng)使用壽命。CRRC 二極管產(chǎn)品介紹二極...
二極管模塊在航空航天中的抗輻射設(shè)計(jì) 衛(wèi)星和航天器電子系統(tǒng)需承受宇宙射線和單粒子效應(yīng)(SEE)。特種二極管模塊采用寬禁帶材料(如SiC)和抗輻射加固工藝(如鈦合金屏蔽),確保在太空環(huán)境中穩(wěn)定工作。例如,太陽(yáng)翼電源調(diào)節(jié)器中,二極管模塊實(shí)現(xiàn)電池陣的隔離和分流,耐輻射劑量達(dá)100krad以上。模塊的金線鍵合和密封焊接工藝防止真空環(huán)境下的氣化失效。這類模塊通常需通過(guò)MIL-STD-883和ESCC認(rèn)證,成本雖高但關(guān)乎任務(wù)成敗,是航天級(jí)電源的重要部件。 英飛凌模塊提供多種電壓/電流等級(jí),兼容IGBT和SiC技術(shù),滿足新能源逆變器的嚴(yán)苛需求。中國(guó)香港二極管模塊二極管二極管模塊的電氣絕緣原理 二極管模...
二極管的穩(wěn)壓作用(齊納二極管) 齊納二極管是一種特殊類型的二極管,利用反向擊穿特性來(lái)穩(wěn)定電壓。當(dāng)反向電壓達(dá)到齊納電壓(如3.3V、5.1V等)時(shí),二極管進(jìn)入擊穿區(qū),此時(shí)即使電流變化較大,電壓仍保持穩(wěn)定。這一特性使其廣泛應(yīng)用于穩(wěn)壓電路中,例如為微控制器、傳感器等提供穩(wěn)定的參考電壓。齊納二極管通常與限流電阻配合使用,構(gòu)成簡(jiǎn)單的線性穩(wěn)壓電路。與復(fù)雜的穩(wěn)壓芯片相比,齊納二極管成本低、電路簡(jiǎn)單,適用于低功耗、小電流的場(chǎng)合,如電池供電設(shè)備或精密測(cè)量?jī)x器。 英飛凌二極管模塊通過(guò)RoHS認(rèn)證,環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì),符合全球綠色能源的發(fā)展趨勢(shì)。調(diào)制二極管哪里有賣二極管碳化硅(SiC)二極管模塊的技術(shù)優(yōu)勢(shì) 碳化硅...
賽米控SKiiP系列智能功率模塊集成了優(yōu)化的二極管單元,其重要技術(shù)包括: 1.動(dòng)態(tài)均流技術(shù):通過(guò)銅基板的三維布局實(shí)現(xiàn)多芯片電流自動(dòng)均衡 2.集成NTC溫度傳感器:精度達(dá)±1℃,響應(yīng)時(shí)間<50ms 3.**性的SKiN互連:采用25μm厚柔性銅帶,熱阻降低40%在注塑機(jī)伺服驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,SKiiP模塊的二極管單元表現(xiàn)出***的可靠性,連續(xù)工作5年無(wú)故障記錄。***一代SKiiP4模塊更集成了電流檢測(cè)功能,通過(guò)霍爾傳感器實(shí)現(xiàn)±1%的精度測(cè)量。 賽米控Skiip系列二極管模塊是高鐵牽引系統(tǒng)的重要部件,其技術(shù)亮點(diǎn)包括: 1.采用燒結(jié)銀技術(shù)連接6英寸晶圓芯片,通流能力達(dá)2400A 2.雙面水冷設(shè)計(jì)使熱...
二極管模塊的雪崩失效機(jī)理 當(dāng)電壓超過(guò)額定VRRM時(shí),二極管模塊進(jìn)入雪崩擊穿狀態(tài)。二極管模塊(如IXYS的雪崩系列)通過(guò)精確控制摻雜濃度,使雪崩能量EAS均勻分布(如100mJ/A)。在測(cè)試中,對(duì)600V模塊施加單次脈沖(tp=10ms,IAR=50A),芯片溫度因碰撞電離驟升,但通過(guò)銅鉬電極的快速散熱可避免熱失控。模塊的失效模式分析顯示,90%的損毀源于局部電流集中導(dǎo)致的金屬遷移,因此現(xiàn)代設(shè)計(jì)采用多胞元結(jié)構(gòu)(如1000個(gè)并聯(lián)微胞),即使部分損壞仍能維持功能,顯著提高抗浪涌能力。 超快恢復(fù)二極管模塊可減少EMI噪聲,優(yōu)化電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器的電磁兼容性。海南二極管產(chǎn)品介紹二極管二極管模塊的散熱技...
二極管就是由一個(gè)PN結(jié)加上相應(yīng)的電極引線及管殼封裝而成的。采用不同的摻雜工藝,通過(guò)擴(kuò)散作用,將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體(通常是硅或鍺)基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?,在PN結(jié)外加正向電壓V,在這個(gè)外加電場(chǎng)的作用下,PN結(jié)的平衡狀態(tài)被打破,P區(qū)中的空穴和N區(qū)的電子都往PN結(jié)方向移動(dòng),空穴和PN結(jié)P區(qū)的負(fù)離子中和,電子和PN結(jié)N區(qū)的正離子中和,這樣就使PN結(jié)變窄。隨著外加電場(chǎng)的增加,擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)進(jìn)一步增強(qiáng),漂移運(yùn)動(dòng)減弱。當(dāng)外加電壓超過(guò)門檻電壓,PN結(jié)相當(dāng)于一個(gè)阻值很小的電阻,也就是PN結(jié)導(dǎo)通。Infineon模塊內(nèi)置NTC溫度監(jiān)測(cè),實(shí)時(shí)保護(hù)過(guò)載,...
高頻二極管模塊的寄生參數(shù)影響 在MHz級(jí)應(yīng)用(如RFID讀卡器)中,高頻二極管模塊的寄生電感(Ls≈5nH)和電容(Cj≈10pF)成為關(guān)鍵因素。Ls會(huì)與開關(guān)速度(di/dt)共同導(dǎo)致電壓振蕩,實(shí)測(cè)顯示當(dāng)di/dt>100A/μs時(shí),TO-247模塊的關(guān)斷過(guò)沖電壓可達(dá)額定值2倍。解決方案包括:①采用低感封裝(如SMD-8L,Ls<1nH);②集成磁珠抑制高頻振蕩;③優(yōu)化綁定線長(zhǎng)度(如從5mm縮短至1mm)。ANSYS仿真表明,這些措施可使100MHz應(yīng)用的開關(guān)損耗降低40%。 二極管模塊擊穿時(shí),萬(wàn)用表測(cè)量正向電阻會(huì)明顯減小,反向電阻趨近于零。西門康二極管哪家強(qiáng)二極管賽米控SKiiP系列智能...
快恢復(fù)二極管模塊的開關(guān)機(jī)理 快恢復(fù)二極管(FRD)模塊的逆向恢復(fù)特性(trr<100ns)源于芯片的少子壽命控制技術(shù)。通過(guò)電子輻照或鉑摻雜,將PN結(jié)少數(shù)載流子壽命從μs級(jí)縮短至ns級(jí)。以1200V/50A FRD模塊為例,其反向恢復(fù)電流(Irr)與軟度因子(S=ta/tb)直接影響IGBT模塊的開關(guān)損耗。測(cè)試數(shù)據(jù)顯示,當(dāng)di/dt=100A/μs時(shí),優(yōu)化后的模塊Irr<30A,且S>0.8,可減少關(guān)斷電壓尖峰50%以上。模塊內(nèi)部常集成RC緩沖電路,利用10Ω+100nF組合吸收漏感能量,抑制電磁干擾(EMI)。 英飛凌二極管模塊采用PressFIT壓接技術(shù),簡(jiǎn)化安裝流程,降低工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備...
二極管的溫度傳感作用 二極管的導(dǎo)通電壓與溫度呈線性關(guān)系(約-2mV/℃),這一特性使其可作為溫度傳感器使用。例如,硅二極管在恒定電流下,其正向壓降會(huì)隨溫度升高而降低,通過(guò)測(cè)量電壓變化即可推算環(huán)境溫度。這種方案成本低、電路簡(jiǎn)單,適用于工業(yè)控制、家電溫控系統(tǒng)等場(chǎng)合。此外,集成電路(如CPU)內(nèi)部常集成二極管溫度傳感器,用于實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)芯片溫度,防止過(guò)熱損壞。雖然精度不如專業(yè)溫度傳感器(如熱電偶),但二極管測(cè)溫在大多數(shù)電子設(shè)備中已足夠可靠。 通過(guò)灌封環(huán)氧樹脂,二極管模塊可實(shí)現(xiàn) IP67 級(jí)防塵防水,適用于戶外設(shè)備。江西肖特基二極管二極管二極管的結(jié)構(gòu)組成 二極管就是由一個(gè)PN結(jié)加上相應(yīng)的電極引線及...
發(fā)光二極管是一種將電能直接轉(zhuǎn)換成光能的半導(dǎo)體固體顯示器件,簡(jiǎn)稱LED(Light Emitting Diode)。和普通二極管相似,發(fā)光二極管也是由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成。發(fā)光二極管的PN結(jié)封裝在透明塑料殼內(nèi),外形有方形、矩形和圓形等。發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電壓低、工作電流小,具有很強(qiáng)的抗振動(dòng)和沖擊能力、體積小、可靠性高、耗電省和壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn),常用于信號(hào)指示等電路中。 在電子技術(shù)中常用的數(shù)碼管,發(fā)光二極管的原理與光電二極管相反。當(dāng)發(fā)光二極管正向偏置通過(guò)電流時(shí)會(huì)發(fā)出光來(lái),這是由于電子與空穴直接復(fù)合時(shí)放出能量的結(jié)果。它的光譜范圍比較窄,其波長(zhǎng)由所使用的基本材料而定。脈沖電流(IFSM)參數(shù)反映二極管模塊的浪涌耐...
西門康SKiiP智能功率模塊中的二極管技術(shù) SKiiP系列智能模塊集成了西門康優(yōu)化的二極管單元,具有三大主要技術(shù):動(dòng)態(tài)均流架構(gòu)通過(guò)三維銅基板布局實(shí)現(xiàn)多芯片自動(dòng)均衡;25μm厚SKiN銅帶互連使熱阻降低40%;集成NTC和霍爾傳感器實(shí)現(xiàn)±1%精度監(jiān)測(cè)。在注塑機(jī)伺服系統(tǒng)中,該模塊連續(xù)運(yùn)行8萬(wàn)小時(shí)無(wú)故障。SKiiP4更創(chuàng)新性地將柵極驅(qū)動(dòng)與二極管單元單片集成,開關(guān)速度提升至30ns,特別適合50kHz以上高頻應(yīng)用。實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)顯示,在200kW伺服驅(qū)動(dòng)中采用該模塊后,系統(tǒng)效率提升至98.5%。 英飛凌二極管模塊采用PressFIT壓接技術(shù),簡(jiǎn)化安裝流程,降低工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備的維護(hù)成本。寧夏二極管批...
二極管正向特性 外加正向電壓時(shí),在正向特性的起始部分,正向電壓很小,不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)的阻擋作用,正向電流幾乎為零,這一段稱為死區(qū)。這個(gè)不能使二極管導(dǎo)通的正向電壓稱為死區(qū)電壓。當(dāng)正向電壓大于死區(qū)電壓以后,PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)被克服,二極管正向?qū)?,電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內(nèi),導(dǎo)通時(shí)二極管的端電壓幾乎維持不變,這個(gè)電壓稱為二極管的正向電壓。當(dāng)二極管兩端的正向電壓超過(guò)一定數(shù)值 ,內(nèi)電場(chǎng)很快被削弱,特性電流迅速增長(zhǎng),二極管正向?qū)ā?叫做門坎電壓或閾值電壓,硅管約為0.5V,鍺管約為0.1V。硅二極管的正向?qū)▔航导s為0.6~0.8V,鍺二極管的正向?qū)▔航导s為0.2~0.3V...
二極管正向特性 外加正向電壓時(shí),在正向特性的起始部分,正向電壓很小,不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)的阻擋作用,正向電流幾乎為零,這一段稱為死區(qū)。這個(gè)不能使二極管導(dǎo)通的正向電壓稱為死區(qū)電壓。當(dāng)正向電壓大于死區(qū)電壓以后,PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)被克服,二極管正向?qū)?,電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內(nèi),導(dǎo)通時(shí)二極管的端電壓幾乎維持不變,這個(gè)電壓稱為二極管的正向電壓。當(dāng)二極管兩端的正向電壓超過(guò)一定數(shù)值 ,內(nèi)電場(chǎng)很快被削弱,特性電流迅速增長(zhǎng),二極管正向?qū)ā?叫做門坎電壓或閾值電壓,硅管約為0.5V,鍺管約為0.1V。硅二極管的正向?qū)▔航导s為0.6~0.8V,鍺二極管的正向?qū)▔航导s為0.2~0.3V...
Infineon英飛凌作為全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的**企業(yè),其二極管模塊產(chǎn)品以高性能、高可靠性著稱,廣泛應(yīng)用于工業(yè)驅(qū)動(dòng)、新能源發(fā)電、汽車電子等領(lǐng)域。英飛凌采用先進(jìn)的薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝工藝,使模塊在功率密度、能效和散熱性能方面處于行業(yè)**水平。例如,其EconoPACK?系列模塊采用TRENCHSTOP?溝槽技術(shù),***降低導(dǎo)通損耗,1200V/300A模塊的正向壓降*1.25V,比傳統(tǒng)方案節(jié)能20%。此外,英飛凌的SiC(碳化硅)肖特基二極管模塊(CoolSiC?系列)憑借零反向恢復(fù)電荷(Qrr)特性,成為高頻、高功率應(yīng)用的理想選擇,特別適用于電動(dòng)汽車和太陽(yáng)能逆變器。整流二極管模塊具備高電流承...
碳化硅二極管模塊的物理原理 SiC肖特基二極管模塊利用寬禁帶材料(Eg=3.26eV)的特性實(shí)現(xiàn)超快開關(guān)。其金屬-半導(dǎo)體接觸形成的肖特基勢(shì)壘高度(ΦB≈1.2eV)決定了正向壓降(Vf≈1.5V@25℃)。與硅器件相比,SiC模塊的漂移區(qū)電阻降低90%(因臨界擊穿電場(chǎng)達(dá)3MV/cm),故1200V模塊的比導(dǎo)通電阻2mΩ·cm2。獨(dú)特的JBS(結(jié)勢(shì)壘肖特基)結(jié)構(gòu)在PN結(jié)和肖特基結(jié)并聯(lián),使模塊在高溫下漏電流仍<1μA(175℃時(shí))。羅姆的SiC模塊實(shí)測(cè)顯示,其反向恢復(fù)電荷(Qrr)為硅FRD的1/5,可使逆變器開關(guān)頻率提升至100kHz以上。 模塊化設(shè)計(jì)將整流二極管、快恢復(fù)二極管等組合,適配復(fù)...