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單向可控硅和雙向可控硅，都是三個電極。單向可控硅有陰極（K）、陽極（A）、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連，其引出端稱T2極，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連，其引出端稱T2極，剩下則為控制極（...

另外，變壓器的標稱容量還與允許的溫升有關，例如，如果一臺1000KVA的變壓器，允許溫升為100K，如果在特殊的情況下，可以允許其工作到120K，則其容量就不止1000KVA。由此也可以看出，如果改善變壓器的散熱條件，則可以增大其標稱容量，反過來說，對于相同容...

一、結構與工作原理結構：晶閘管是由四層半導體材料（P-N-P-N）組成的三端器件，具有三個電極：陽極（A）、陰極（K）和控制極或稱為門極（G）。工作原理：當陽極接正向電壓，而控制極無觸發(fā)電壓或觸發(fā)電壓不足以使內(nèi)部的三極管導通時，晶閘管處于阻斷狀態(tài)，電流不能流過...

在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極比較大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來傳送驅動信號，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。此外，在柵極—發(fā)射極間開...

1、“給定”電位器旋鈕逆時針到底置**小位置，2SA 按鈕置“停機”位置，此時無輸出電 壓。再斷開交流接觸器，運行指示燈暗，然后切斷電源。2、整流柜面板上調節(jié)電壓作為“給定” 。3、“穩(wěn)流”或“穩(wěn)壓”通過 1SA 按鈕轉換。4、調節(jié)電流作為調節(jié)板上的偏置電壓，...

晶閘管控制電抗器也稱晶閘管相控變壓器（TCR）。TCR是SVC中**重要的組成部件之一，IEEE將晶閘管相控電抗器(TCR)定義為一種并聯(lián)型晶閘管控制電抗器，通過控制晶閘管的導通時間，它的有效電抗可以連續(xù)變化?；镜膯蜗郥CR由反并聯(lián)的一對晶閘管閥T1、T2與...

散熱性能好：模塊設計通?？紤]了散熱問題，能夠在高功率下穩(wěn)定工作。在使用晶閘管模塊時，需要注意其工作環(huán)境、散熱設計以及觸發(fā)電路的設計，以確保其正常運行和延長使用壽命。晶閘管（Thyristor）是一種半導體器件，廣泛應用于電力電子領域。它是一種具有四層半導體材料...

（4）過載能力強：產(chǎn)品具有較強的過負載能力和過電壓能力，可在額定負載情況下長期安全運行，可在110%過電壓情況下滿負載長期安全運行（環(huán)境溫度40℃）；變壓器與電機相聯(lián)的端子上能承受1.5倍額定電流，歷時5S。產(chǎn)品設計、制造充分考慮負載特性，從溫升、絕緣性能及附...

二、晶閘管模塊的應用領域晶閘管模塊的應用范圍較為廣闊，涵蓋了幾乎所有需要電力電子轉換和控制的領域。在電力行業(yè)，晶閘管模塊被廣泛應用于高壓直流輸電（HVDC）和柔**流輸電系統(tǒng)（FACTS）中。作為換流閥的關鍵部件，晶閘管模塊能夠實現(xiàn)大功率電能的遠距離傳輸，同時...

圖1（a）所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構， N+ 區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N基 區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P 型區(qū)（包括P+ 和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝...

fsw max. : 比較高開關頻率IoutAV :單路的平均電流QG : 門極電壓差時的 IGBT門極總電荷RG extern : IGBT 外部的門極電阻RG intern : IGBT 芯片內(nèi)部的門極電阻但是實際上在很多情況下，數(shù)據(jù)手冊中這個門極電荷參數(shù)...

整流變壓器是整流設備的電源變壓器。整流設備的特點是原方輸入交流，而副方通過整流元件后輸出直流。 變流是整流、逆流和變頻三種工作方式的總稱，整流是其中應用*****的一種。作為整流裝置電源用的變壓器稱為整流變壓器。工業(yè)用的整流直流電源大部分都是由交流電網(wǎng)通過整流...

通常，小規(guī)模的ipm的特點在于其引線框架技術。穿孔銅板用作功率開關和驅動ic的載體。通過一層薄薄的塑料或絕緣金屬板進行散熱。 用于中高功率應用的ipm模塊的設計特點是將模塊分為兩個層次。功率半導體在底部，驅動器和保護電路在上部。本領域內(nèi)名氣比較大的ipm是賽...

二、晶閘管模塊的應用領域晶閘管模塊的應用范圍較為廣闊，涵蓋了幾乎所有需要電力電子轉換和控制的領域。在電力行業(yè)，晶閘管模塊被廣泛應用于高壓直流輸電（HVDC）和柔**流輸電系統(tǒng)（FACTS）中。作為換流閥的關鍵部件，晶閘管模塊能夠實現(xiàn)大功率電能的遠距離傳輸，同時...

若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞?？煽毓枋强煽毓枵髟暮喎Q，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。實際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷...

TCR的作用就像一個可變電納，改變觸發(fā)角就可以改變電納值，因為所加的交流電壓是恒定的，改變電納值就可以改變基波電流，從而導致電抗器吸收無功功率的變化。但是，當觸發(fā)角超過90°以后，電流變?yōu)榉钦业?，隨之就產(chǎn)生諧波。如果兩個晶閘管在正半波和負半波對稱觸發(fā)，就只會...

(2) 在風機吊裝完后，吊裝變壓器直接就位于基礎上，利用千斤頂進行找平、找正。(3) 按廠家規(guī)定的固定方式（螺接或焊接）進行變壓器與基礎之間的連接。(4) 若為分體到貨，在變壓器安裝找正后，進行外殼的安裝。(5) 懸掛標志牌，清掃變壓器箱體內(nèi)部。(6) 在下一...

移相方法移相方法就是二次側采用星、角聯(lián)結的兩個繞組，可以使整流電爐的脈波數(shù)提高一倍。10kv干式整流變壓器對于大功率整流設備，需要脈波數(shù)也較多，脈波數(shù)為18、24、36等應用的日益增多，這就必須在整流變壓器一次側設置移相繞組來進行移相。移相繞組與主繞組聯(lián)結方式...

觸發(fā)電壓范圍一般為 1.5V-3V 左右，觸發(fā)電流為 10mA-幾百 mA 左右。峰值觸發(fā) 電壓不宜超過10V，峰值觸發(fā)電流也不宜超過 2A。A、K 間導通壓降為 1-2V [1]。雙向可控硅單向可控硅的工作原理圖雙向可控硅具有兩個方向輪流導通、關斷的特性。雙...

4、故障解除：當整流器故障時，發(fā)出燈光報警信號并停機，操作人員應在排除故障以后可 合閘，否則將擴大故障范圍，造成更大損失，故障排除后，可將 K 主令開關置一下，除去電 笛聲，排除故障后，然后按正常運行程序開機。5、起動后，直流輸出電壓或電流達不到額定值則丟脈沖...

確定IGBT 的門極電荷對于設計一個驅動器來說，**重要的參數(shù)是門極電荷QG(門極電壓差時的IGBT 門極總電荷)，如果在IGBT 數(shù)據(jù)手冊中能夠找到這個參數(shù)，那么我們就可以運用公式計算出：門極驅動能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on)...

建筑與家用電器：在建筑照明系統(tǒng)中，晶閘管模塊通過智能模塊精確控制燈光亮度，可以實現(xiàn)節(jié)能環(huán)保的效果。同時，在空調、洗衣機、微波爐等家電中，晶閘管模塊用于實現(xiàn)準確的溫控和能耗管理，提高了設備的使用壽命和可靠性。醫(yī)療設備：晶閘管模塊用于控制X射線機、CT掃描儀等設備...

一、結構與工作原理結構：晶閘管是由四層半導體材料（P-N-P-N）組成的三端器件，具有三個電極：陽極（A）、陰極（K）和控制極或稱為門極（G）。工作原理：當陽極接正向電壓，而控制極無觸發(fā)電壓或觸發(fā)電壓不足以使內(nèi)部的三極管導通時，晶閘管處于阻斷狀態(tài)，電流不能流過...

fsw max. : 比較高開關頻率IoutAV :單路的平均電流QG : 門極電壓差時的 IGBT門極總電荷RG extern : IGBT 外部的門極電阻RG intern : IGBT 芯片內(nèi)部的門極電阻但是實際上在很多情況下，數(shù)據(jù)手冊中這個門極電荷參數(shù)...

實際應用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td (on) tri 之和。漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 組成。 IGBT的觸發(fā)和關斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負向電壓，柵極電壓可由不同的驅動電路產(chǎn)生。當選擇這些驅動電路時，必須基于以下的...

功率半導體模塊就是按一定功能、模式的組合體，功率半導體模塊是大功率電子電力器件按一定的功能組合再灌封成一體。功率半導體模塊可根據(jù)封裝的元器件的不同實現(xiàn)不同功能，功率半導體模塊配用風冷散熱可作風冷模塊，配用水冷散熱可作水冷模塊等。功率半導體器件以功率金屬氧化物半...

表1 IGBT門極驅動條件與器件特性的關系由于IGBT的開關特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅動電路的變化而變化，因而驅動電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作。IGBT對其驅動電路提出了以下要求。1)向IGBT提供適當?shù)恼驏艍骸２⑶以?..

晶閘管整流器是一種整流器，拖動裝置的直流電源是利用晶閘管整流器的直流電壓向提升電動機供電。這種拖動裝置的直流電源是利用晶閘管整流器的直流電壓向提升電動機供電，所以又稱。電動機的電樞和磁場均可由晶閘管整流器供電，因為該整流器的直流電壓可通過觸發(fā)延遲角均勻調節(jié)，電...

TCR的響應迅速，典型的響應時間為1．5～3個周期。實際的響應時間是測量延遲、TCR控制器的參數(shù)和系統(tǒng)強度的函數(shù)。如果對TCR采用電壓控制的正常運行區(qū)域就被壓縮到一條特性曲線上。這種特性曲線體現(xiàn)了補償器的硬電壓控制特性，它將系統(tǒng)電壓精確地穩(wěn)定在電壓設定值%上。...

普通晶閘管是一種半可控大功率半導體器件，出現(xiàn)于70年代。pnpn四層半導體結構，有三個極：陽極、陰極和門極。 晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，它的出現(xiàn)使半導體器件由弱電領域擴展到強電領域。普通晶閘管t在工作過程中，它的陽極a和陰極k與...