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保護(hù)電路設(shè)計(jì)：設(shè)計(jì)過(guò)流和過(guò)壓保護(hù)電路，以防止晶閘管因過(guò)流或過(guò)壓而損壞。環(huán)境影響：工作環(huán)境溫度、濕度以及塵埃和污染都可能影響晶閘管的性能和使用壽命，需要采取相應(yīng)的防護(hù)措施。電磁兼容性（EMC）：設(shè)計(jì)相應(yīng)的電磁屏蔽和濾波電路來(lái)減小電磁干擾，并增強(qiáng)晶閘管的電磁抗性。...

IGBT的應(yīng)用范圍一般都在耐壓600V以上、電流10A以上、頻率為1kHz以上的區(qū)域。多使用在工業(yè)用電機(jī)、民用小容量電機(jī)、變換器（逆變器）、照相機(jī)的頻閃觀測(cè)器、感應(yīng)加熱（InductionHeating）電飯鍋等領(lǐng)域。根據(jù)封裝的不同，IGBT大致分為兩種類型，...

整流二極管一般為平面型硅二極管，用于各種電源整流電路中。選用整流二極管時(shí)，主要應(yīng)考慮其比較大整流電流、比較大反向工作電流、截止頻率及反向恢復(fù)時(shí)間等參數(shù)。普通串聯(lián)穩(wěn)壓電源電路中使用的整流二極管，對(duì)截止頻率的反向恢復(fù)時(shí)間要求不高，只要根據(jù)電路的要求選擇比較大整流電...

此外，在冶金、石油化工、新能源等行業(yè)，晶閘管模塊同樣發(fā)揮著重要作用。在冶金過(guò)程中，晶閘管模塊作為電力調(diào)整器的主要組成部分，能夠精確控制電能，提高冶煉過(guò)程的自動(dòng)化水平和能源利用效率。在石油化工行業(yè)中，晶閘管模塊被用于加熱爐、裂解爐等電熱設(shè)備的溫度控制系統(tǒng)中，實(shí)現(xiàn)...

由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見(jiàn)原因之一。 因此使用中要注意以下幾點(diǎn)：1. 在使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子...

BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大，直到BG1、BG2完全導(dǎo)通。實(shí)際這一過(guò)程是“一觸即發(fā)”的過(guò)程，對(duì)可控硅來(lái)說(shuō)，觸發(fā)信號(hào)加入控制極，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，...

晶閘管模塊：現(xiàn)代電力電子技術(shù)的關(guān)鍵器件在當(dāng)今的電力電子技術(shù)領(lǐng)域，晶閘管模塊作為一種關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件，扮演著舉足輕重的角色。它不僅在整流、調(diào)壓、逆變等電力轉(zhuǎn)換過(guò)程中發(fā)揮著重要作用，還在眾多工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域中展現(xiàn)了其獨(dú)特的價(jià)值和優(yōu)勢(shì)。本文將深入探討晶閘管模塊的基本...

4、各種保護(hù)功能相對(duì)**，保護(hù)定值、實(shí)現(xiàn)、閉鎖條件和保護(hù)投退可**整定和配制。5、保護(hù)功能實(shí)現(xiàn)不依賴于通訊網(wǎng)絡(luò)，滿足電力系統(tǒng)保護(hù)的可靠性。整流變壓器微機(jī)保護(hù)裝置具備進(jìn)線保護(hù)、出現(xiàn)保護(hù)，分段保護(hù)、配變保護(hù)、電動(dòng)機(jī)保護(hù)、電容器保護(hù)、主變后備保護(hù)、發(fā)電機(jī)后備保護(hù)、P...

功率半導(dǎo)體模塊就是按一定功能、模式的組合體，功率半導(dǎo)體模塊是大功率電子電力器件按一定的功能組合再灌封成一體。功率半導(dǎo)體模塊可根據(jù)封裝的元器件的不同實(shí)現(xiàn)不同功能，功率半導(dǎo)體模塊配用風(fēng)冷散熱可作風(fēng)冷模塊，配用水冷散熱可作水冷模塊等。功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半...

另外，由于整流元件的特性，可以在整流電爐的閥側(cè)直接控制硅整流元件導(dǎo)通的相位角度，可以平滑的調(diào)整整流電壓的平均值，這種調(diào)壓方式稱為相控調(diào)壓。實(shí)現(xiàn)相控調(diào)壓，一是采用晶閥管，二是采用自飽和電抗器，自飽和電抗器基本上是由一個(gè)鐵芯和兩個(gè)繞組組成的，一個(gè)是工作繞組，它串聯(lián)...

一、結(jié)構(gòu)與工作原理結(jié)構(gòu)：晶閘管是由四層半導(dǎo)體材料（P-N-P-N）組成的三端器件，具有三個(gè)電極：陽(yáng)極（A）、陰極（K）和控制極或稱為門(mén)極（G）。工作原理：當(dāng)陽(yáng)極接正向電壓，而控制極無(wú)觸發(fā)電壓或觸發(fā)電壓不足以使內(nèi)部的三極管導(dǎo)通時(shí)，晶閘管處于阻斷狀態(tài)，電流不能流過(guò)...

IGBT的應(yīng)用范圍一般都在耐壓600V以上、電流10A以上、頻率為1kHz以上的區(qū)域。多使用在工業(yè)用電機(jī)、民用小容量電機(jī)、變換器（逆變器）、照相機(jī)的頻閃觀測(cè)器、感應(yīng)加熱（InductionHeating）電飯鍋等領(lǐng)域。根據(jù)封裝的不同，IGBT大致分為兩種類型，...

1.模塊電流規(guī)格的選取根據(jù)負(fù)載性質(zhì)及額定電流按模塊比較大輸出電流IT值，進(jìn)行如下選取：（1）阻性負(fù)載：模塊最大電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的2倍。（2）感性負(fù)載：模塊最大電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的3倍。（3）若負(fù)載電流變動(dòng)較大，電流倍數(shù)適當(dāng)增加。（4）保證整個(gè)運(yùn)行過(guò)程中，...

右圖給出三相橋式不控整流電路示意圖，變壓器一次側(cè)繞組為三角形連接，二次側(cè)繞組為星形連接。六個(gè)整流二極管按其導(dǎo)通順序排列，VD1、VD3、VD5三個(gè)二極管構(gòu)成共陰極三相半波整流，VD2、VD4、VD6三個(gè)二極管構(gòu)成共陽(yáng)極三相半波整流，電感L和電阻R串聯(lián)成阻感負(fù)載...

整流橋一般帶有足夠大的電感性負(fù)載， 因此整流橋不出現(xiàn)電流斷續(xù)。 [1]一般整流橋應(yīng)用時(shí), 常在其負(fù)載端接有平波電抗器, 故可將其負(fù)載視為恒流源。 [2]多組三相整流橋相互連接，使得整流橋電路產(chǎn)生的諧波相互抵消。按整流變壓器的類型可以分為傳統(tǒng)的多脈沖變壓整流器和...

確定IGBT 的門(mén)極電荷對(duì)于設(shè)計(jì)一個(gè)驅(qū)動(dòng)器來(lái)說(shuō)，**重要的參數(shù)是門(mén)極電荷QG(門(mén)極電壓差時(shí)的IGBT 門(mén)極總電荷)，如果在IGBT 數(shù)據(jù)手冊(cè)中能夠找到這個(gè)參數(shù)，那么我們就可以運(yùn)用公式計(jì)算出：門(mén)極驅(qū)動(dòng)能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on)...

常用的不控整流電路有四種。三相半波電路（圖2a）指在電源一個(gè)周期內(nèi)有三個(gè)二極管輪流導(dǎo)電，就可得到三脈波整流電壓。該電路優(yōu)點(diǎn)是接線簡(jiǎn)單，但變壓器次級(jí)繞組的導(dǎo)電角*120°，因此繞組的利用率較低，而且電流是單方向的，它的直流分量形成直流安匝的磁通勢(shì)并產(chǎn)生較大的漏磁...

KP型晶閘管（phase control thyristor），又叫普通晶閘管，是用于可控整流的設(shè)備。定義：應(yīng)用PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和三極（陰極，陽(yáng)極，門(mén)極）實(shí)現(xiàn)可控整流功能。晶閘管T在工作過(guò)程中，它的陽(yáng)極（A）和陰極（K）與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電...

應(yīng)用類型雙向可控硅的特性曲線圖4示出了雙向可控硅的特性曲線。由圖可見(jiàn)，雙向可控硅的特性曲線是由一、三兩個(gè)象限內(nèi)的曲線組合成的。***象限的曲線說(shuō)明當(dāng)加到主電極上的電壓使Tc對(duì)T1的極性為正時(shí)，我們稱為正向電壓，并用符號(hào)U21表示。當(dāng)這個(gè)電壓逐漸增加到等于轉(zhuǎn)折電...

fsw max. : 比較高開(kāi)關(guān)頻率IoutAV :單路的平均電流QG : 門(mén)極電壓差時(shí)的 IGBT門(mén)極總電荷RG extern : IGBT 外部的門(mén)極電阻RG intern : IGBT 芯片內(nèi)部的門(mén)極電阻但是實(shí)際上在很多情況下，數(shù)據(jù)手冊(cè)中這個(gè)門(mén)極電荷參數(shù)...

右圖給出三相橋式不控整流電路示意圖，變壓器一次側(cè)繞組為三角形連接，二次側(cè)繞組為星形連接。六個(gè)整流二極管按其導(dǎo)通順序排列，VD1、VD3、VD5三個(gè)二極管構(gòu)成共陰極三相半波整流，VD2、VD4、VD6三個(gè)二極管構(gòu)成共陽(yáng)極三相半波整流，電感L和電阻R串聯(lián)成阻感負(fù)載...

1、盡量減小柵極回路的電感阻抗，具體的措施有：a)驅(qū)動(dòng)器靠近IGBT減小引線長(zhǎng)度；b) 驅(qū)動(dòng)的柵射極引線絞合，并且不要用過(guò)粗的線；c) 線路板上的 2 根驅(qū)動(dòng)線的距離盡量靠近；d) 柵極電阻使用無(wú)感電阻；e) 如果是有感電阻，可以用幾個(gè)并聯(lián)以減小電感。2、IG...

而對(duì)于5次和7次諧波電流，以及更高次16(2n+1)±1，n=0，1，2，…的諧波電流來(lái)說(shuō)，兩組6脈波TCR在變壓器的一次側(cè)產(chǎn)生的諧波電流幅值相等，但相位剛好相反，二者相互抵消。所以在一次側(cè)的線電流里將*含12n±1(13為整數(shù))次諧波，也使得對(duì)諧波濾波器的要...

整流二極管一般為平面型硅二極管，用于各種電源整流電路中。選用整流二極管時(shí)，主要應(yīng)考慮其比較大整流電流、比較大反向工作電流、截止頻率及反向恢復(fù)時(shí)間等參數(shù)。普通串聯(lián)穩(wěn)壓電源電路中使用的整流二極管，對(duì)截止頻率的反向恢復(fù)時(shí)間要求不高，只要根據(jù)電路的要求選擇比較大整流電...

同時(shí)，晶閘管模塊的智能化和模塊化趨勢(shì)也日益明顯。通過(guò)集成先進(jìn)的控制算法和通信技術(shù)，晶閘管模塊能夠?qū)崿F(xiàn)更復(fù)雜的電力電子控制和能源管理功能，為未來(lái)的智能電網(wǎng)和分布式能源系統(tǒng)提供有力支持。綜上所述，晶閘管模塊作為現(xiàn)代電力電子技術(shù)中的重要器件，以其獨(dú)特的性能和廣闊的應(yīng)...

另一方面，非穿通(NPT)技術(shù)則是基于不對(duì)少子壽命進(jìn)行殺傷而有很好的輸運(yùn)效率，不過(guò)其載流子注入系數(shù)卻比較低。進(jìn)而言之，非穿通(NPT)技術(shù)又被軟穿通(LPT)技術(shù)所代替，它類似于某些人所謂的“軟穿通”(SPT)或“電場(chǎng)截止”(FS)型技術(shù)，這使得“成本—性能”...

為了克服上述問(wèn)題，可以在端子MT1和MT2之間加一個(gè)RC網(wǎng)絡(luò)來(lái)限制電壓的變化，以防止誤觸發(fā)。一般，電阻取100R，電容取100nF。值得注意的是此電阻不能省掉。3、關(guān)于轉(zhuǎn)換電流變化率當(dāng)負(fù)載電流增大，電源頻率的增高或電源為非正弦波時(shí)，會(huì)使轉(zhuǎn)換電流變化率變高，這種...

性能的差別將旋鈕撥至R×1擋，對(duì)于1~6A單向可控硅，紅筆接K極，黑筆同時(shí)接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開(kāi)G極，指針應(yīng)指示幾十歐至一百歐，此時(shí)可控硅已被觸發(fā)，且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流?。?。然后瞬時(shí)斷開(kāi)A極再接通，指針應(yīng)退回∞位置，則表明可控硅良好。...

該電子為p+n-p晶體管的少數(shù)載流子，從集電極襯底p+層開(kāi)始流入空穴，進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制（雙極工作），所以可以降低集電極－發(fā)射極間飽和電壓。在發(fā)射極電極側(cè)形成n+pn－寄生晶體管。若n+pn－寄生晶體管工作，又變成p+n－ pn+晶閘管。電流繼續(xù)流動(dòng)，直到輸出側(cè)停...

它的缺點(diǎn)是對(duì)電網(wǎng)無(wú)功沖擊大，從而產(chǎn)生較大的起動(dòng)壓降;它的高次諧波會(huì)影響電網(wǎng)電壓波形，干擾其他用電設(shè)備;它的運(yùn)行功率因數(shù)低等。但整流變壓器采取特殊接線，電樞回路的晶閘管整流器分成兩組串接，采取所謂“順序控制”方法，可以減少無(wú)功的需要量，可以消除危害較大的5次和7...