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電位器的檢測(cè)。檢查電位器時(shí)，首先要轉(zhuǎn)動(dòng)旋柄，看看旋柄轉(zhuǎn)動(dòng)是否平滑，開(kāi)關(guān)是否靈活，開(kāi)關(guān)通、斷時(shí)“喀噠”聲是否清脆，并聽(tīng)一聽(tīng)電位器內(nèi)部接觸點(diǎn)和電阻體摩擦的聲音，如有“沙沙”聲，說(shuō)明質(zhì)量不好。用萬(wàn)用表測(cè)試時(shí)，先根據(jù)被測(cè)電位器阻值的大小，選擇好萬(wàn)用表的合適電阻擋位，然...

在使用自動(dòng)測(cè)試設(shè)備（ATE）包裝前，每個(gè)設(shè)備都要進(jìn)行測(cè)試。測(cè)試過(guò)程稱(chēng)為晶圓測(cè)試或晶圓探通。晶圓被切割成矩形塊，每個(gè)被稱(chēng)為晶片（“die”）。每個(gè)好的die被焊在“pads”上的鋁線或金線，連接到封裝內(nèi)，pads通常在die的邊上。封裝之后，設(shè)備在晶圓探通中使用...

截至 2018 年，絕大多數(shù)晶體管都是使用平坦的二維平面工藝，在硅芯片一側(cè)的單層中制造的。研究人員已經(jīng)生產(chǎn)了幾種有希望的替代品的原型，例如:堆疊幾層晶體管以制造三維集成電路(3DC)的各種方法，例如硅通孔，“單片 3D”， 堆疊引線接合， 和其他方法。由其他材...

電位器的檢測(cè)。檢查電位器時(shí)，首先要轉(zhuǎn)動(dòng)旋柄，看看旋柄轉(zhuǎn)動(dòng)是否平滑，開(kāi)關(guān)是否靈活，開(kāi)關(guān)通、斷時(shí)“喀噠”聲是否清脆，并聽(tīng)一聽(tīng)電位器內(nèi)部接觸點(diǎn)和電阻體摩擦的聲音，如有“沙沙”聲，說(shuō)明質(zhì)量不好。用萬(wàn)用表測(cè)試時(shí)，先根據(jù)被測(cè)電位器阻值的大小，選擇好萬(wàn)用表的合適電阻擋位，然...

光電與顯示顯示管/顯像管/指示管示波管/攝像管/投影管光電管/發(fā)射器件/其他光電與顯示器件磁性元器件磁頭/鋁鎳磁鋼永磁元件金屬軟磁元件(粉芯)/鐵氧體軟磁元件(磁芯)鐵氧體永磁元件/稀土永磁元件其它磁性元器件集成電路電視機(jī)IC/音響IC/電源模塊影碟機(jī)IC...

具有一個(gè)基座測(cè)量面,以電容擺的平衡原理測(cè)量被側(cè)面相對(duì)水平面微小傾角的測(cè)量器具。其中,以指針式指示裝置指示測(cè)量值的儀器稱(chēng)為指針式電子水平儀,以數(shù)顯式指示裝置指示測(cè)量值的儀器稱(chēng)為數(shù)顯式電子水平儀。擴(kuò)展量程裝置儀器若已處于測(cè)量的極限位置,重新調(diào)整到零位,從而在該...

自20世紀(jì)50年代提出集成電路的設(shè)想后，由于材料技術(shù)、器件技術(shù)和電路設(shè)計(jì)等綜合技術(shù)的進(jìn)步，在20世紀(jì)60年代研制成功了***代集成電路。在半導(dǎo)體發(fā)展史上。集成電路的出現(xiàn)具有劃時(shí)代的意義：它的誕生和發(fā)展推動(dòng)了銅芯技術(shù)和計(jì)算機(jī)的進(jìn)步，使科學(xué)研究的各個(gè)領(lǐng)域以及工業(yè)社...

我國(guó)電子元件的產(chǎn)量已占全球的近39%以上。產(chǎn)量居世界***的產(chǎn)品有：電阻器、電容器、電聲器件、磁性材料、壓電石英晶體、微特電機(jī)、電子變壓器、印制電路板。伴隨我國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)規(guī)模的擴(kuò)大，珠江三角洲、長(zhǎng)江三角洲、環(huán)渤海灣地區(qū)、部分中西部地區(qū)四大電子信息產(chǎn)業(yè)基地初步...

導(dǎo)帶中的電子和價(jià)帶中的空穴合稱(chēng)電子 - 空穴對(duì)，均能自由移動(dòng)，即載流子，它們?cè)谕怆妶?chǎng)作用下產(chǎn)生定向運(yùn)動(dòng)而形成宏觀電流，分別稱(chēng)為電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電。這種由于電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生而形成的混合型導(dǎo)電稱(chēng)為本征導(dǎo)電。導(dǎo)帶中的電子會(huì)落入空穴，電子-空穴對(duì)消失，...

把晶體二極管、三極管以及電阻電容都制作在同一塊硅芯片上，稱(chēng)為集成電路。一塊硅芯片上集成的元件數(shù)小于 100個(gè)的稱(chēng)為小規(guī)模集成電路，從 100個(gè)元件到1000 個(gè)元件的稱(chēng)為中規(guī)模集成電路，從1000 個(gè)元件到100000 個(gè)元件的稱(chēng)為大規(guī)模集...

基爾比之后半年，仙童半導(dǎo)體公司的羅伯特·諾伊斯開(kāi)發(fā)了一種新的集成電路，比基爾比的更實(shí)用。諾伊斯的設(shè)計(jì)由硅制成，而基爾比的芯片由鍺制成。諾伊斯將以下原理歸功于斯普拉格電氣的庫(kù)爾特·利霍韋克p–n絕緣結(jié)，這也是集成電路背后的關(guān)鍵概念。[17]這種絕緣允許每個(gè)晶體管...

同時(shí)還配有測(cè)距聯(lián)用接口和聯(lián)用功能，以及數(shù)據(jù)輸出接口，可與紅外測(cè)距機(jī)聯(lián)用，構(gòu)成組合式電子速測(cè)儀，一次觀測(cè)就可獲得所要的距離角度以及歸算結(jié)果等測(cè)定值。而且測(cè)量值可通過(guò)數(shù)據(jù)輸出接口自動(dòng)地記錄到電子手薄上，既簡(jiǎn)化了作業(yè)又減少了讀數(shù)誤差和記錄誤差，從而實(shí)現(xiàn)...

進(jìn)入八九十年代以后，隨著微電子技術(shù)和計(jì)算機(jī)技術(shù)的日趨完善，以及元器件集成度的**提高，情況發(fā)生了很大的變化。從整機(jī)來(lái)看，電子經(jīng)緯儀的體積和重量與光學(xué)經(jīng)緯儀相差不多，用電量減少，成本大幅度下降，價(jià)格降低。目前在日本一臺(tái)電子經(jīng)緯儀的價(jià)格還略低于...

非晶態(tài)半導(dǎo)體。它又被叫做無(wú)定形半導(dǎo)體或玻璃半導(dǎo)體，屬于半導(dǎo)電性的一類(lèi)材料。非晶半導(dǎo)體和其他非晶材料一樣，都是短程有序、長(zhǎng)程無(wú)序結(jié)構(gòu)。它主要是通過(guò)改變?cè)酉鄬?duì)位置，改變?cè)械闹芷谛耘帕校纬煞蔷Ч?。晶態(tài)和非晶態(tài)主要區(qū)別于原子排列是否具有長(zhǎng)程序。非晶...

半導(dǎo)體發(fā)光二極管半導(dǎo)體發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)是一個(gè)PN結(jié)，它正向通電流時(shí)，注入的少數(shù)載流子靠復(fù)合而發(fā)光。它可以發(fā)出綠光、黃光、紅光和紅外線等。所用的材料有 GaP、GaAs、GaAs1-xPx、Ga1-xAlxAs、In1-xGaxAs1-yPy等。半導(dǎo)...

這種由于電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生而形成的混合型導(dǎo)電稱(chēng)為本征導(dǎo)電。導(dǎo)帶中的電子會(huì)落入空穴，電子-空穴對(duì)消失，稱(chēng)為復(fù)合。復(fù)合時(shí)釋放出的能量變成電磁輻射（發(fā)光）或晶格的熱振動(dòng)能量（發(fā)熱）。在一定溫度下，電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生和復(fù)合同時(shí)存在并達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，此...

數(shù)字集成電路是將元器件和連線集成于同一半導(dǎo)體芯片上而制成的數(shù)字邏輯電路或系統(tǒng)。根據(jù)數(shù)字集成電路中包含的門(mén)電路或元器件數(shù)量，可將數(shù)字集成電路分為小規(guī)模集成(SSI)電路、中規(guī)模集成(MSI)電路、大規(guī)模集成(LSI)電路、超大規(guī)模集成(VLSI)電路和特大規(guī)模集...

1954年，結(jié)型硅晶體管誕生。此后，人們提出了場(chǎng)效應(yīng)晶體管的構(gòu)想。隨著無(wú)缺陷結(jié)晶和缺陷控制等材料技術(shù)、晶體外誕生長(zhǎng)技術(shù)和擴(kuò)散摻雜技術(shù)、耐壓氧化膜的制備技術(shù)、腐蝕和光刻技術(shù)的出現(xiàn)和發(fā)展，各種性能優(yōu)良的電子器件相繼出現(xiàn)，電子元器件逐步從真空管時(shí)代進(jìn)入晶體管時(shí)代和大...

如果把電源的方向反過(guò)來(lái)接，則空穴和電子都背離偶極層流動(dòng)而使偶極層變厚，同時(shí)電流被限制在一個(gè)很小的飽和值內(nèi)(稱(chēng)反向飽和電流)。因此，PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?。此外，PN結(jié)的偶極層還起一個(gè)電容的作用，這電容隨著外加電壓的變化而變化。在偶極層內(nèi)部電場(chǎng)很強(qiáng)。...

2002年OFC展覽會(huì)上有十多家自動(dòng)封裝、自動(dòng)熔接設(shè)備廠商參展，熔接、對(duì)準(zhǔn)、壓焊等許多認(rèn)為只能由人工操作的工藝都能由機(jī)械手進(jìn)行。據(jù)ElectroniCast預(yù)測(cè)，到2005年自動(dòng)化組裝與測(cè)試設(shè)備的銷(xiāo)量將達(dá)17.1億美元，光電子器件產(chǎn)值中的70%~80%將由全自...

總之，隨著外形尺寸縮小，幾乎所有的指標(biāo)改善了，單位成本和開(kāi)關(guān)功率消耗下降，速度提高。但是，集成納米級(jí)別設(shè)備的IC也存在問(wèn)題，主要是泄漏電流。因此，對(duì)于**終用戶(hù)的速度和功率消耗增加非常明顯，制造商面臨改進(jìn)芯片結(jié)構(gòu)的尖銳挑戰(zhàn)。這個(gè)過(guò)程和在未來(lái)幾年所期望的進(jìn)步，在...

應(yīng)注意，有些型號(hào)的全站儀在距離測(cè)量時(shí)不能設(shè)定儀器高和棱鏡高，顯示的高差值是全站儀橫軸中心與棱鏡中心的高差。3）坐標(biāo)測(cè)量（1）設(shè)定測(cè)站點(diǎn)的三維坐標(biāo)。（2）設(shè)定后視點(diǎn)的坐標(biāo)或設(shè)定后視方向的水平度盤(pán)讀數(shù)為其方位角。當(dāng)設(shè)定后視點(diǎn)的坐標(biāo)時(shí)，全站儀會(huì)自動(dòng)計(jì)算后視方向的方位...

制作方式不同集成電路采用一定的工藝，把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個(gè)管殼內(nèi)。而芯片使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層，然后使用光刻、摻雜、CMP等技術(shù)制成...

無(wú)錫微原電子科技有限公司是一家專(zhuān)注于電子/半導(dǎo)體/集成電路領(lǐng)域的服務(wù)商，成立時(shí)間在2022年1月18日。坐落于無(wú)錫市新吳區(qū)菱湖大道111號(hào)軟件園天鵝座C座19層1903室，目前有的板塊有集成電路芯片、半導(dǎo)體器件、電子測(cè)量?jī)x器、電子元器件等相...

電子測(cè)量?jī)x器是什么？ 電子測(cè)量?jī)x器是以模擬電路技術(shù)、數(shù)字電路技術(shù)為基礎(chǔ)，涵蓋信號(hào)處理技術(shù)、通信技術(shù)、軟件技術(shù)、總線技術(shù)等多學(xué)科融合的高精尖測(cè)量設(shè)備或系統(tǒng)，并用于監(jiān)測(cè)、測(cè)量、計(jì)算各類(lèi)物理參數(shù)和成分的儀器。其用途是對(duì)電特性進(jìn)行定性或定量測(cè)量，目前已經(jīng)廣泛...

針對(duì)不同的測(cè)量對(duì)象，測(cè)量?jī)x器的傳感器的形式也不同，但各傳感器的作用都是相同的，即把自然界的模擬量（信號(hào)）轉(zhuǎn)換成電信號(hào)(電壓或電流)；信號(hào)變換和調(diào)理電路對(duì)來(lái)自傳感器的電信號(hào)進(jìn)行放大、衰減、變換(包括變頻、檢波等)、濾波以及調(diào)整到適合于模擬數(shù)字轉(zhuǎn)化的狀態(tài)。在可以...

半導(dǎo)體五大特性∶電阻率特性，導(dǎo)電特性，光電特性，負(fù)的電阻率溫度特性，整流特性。在形成晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體中，人為地?fù)饺胩囟ǖ碾s質(zhì)元素，導(dǎo)電性能具有可控性。在光照和熱輻射條件下，其導(dǎo)電性有明顯的變化。晶格：晶體中的原子在空間形成排列整齊的點(diǎn)陣，稱(chēng)為晶格。共價(jià)...

它在電路中用字母“IC”表示。集成電路的發(fā)明者是JackKilby（集成電路基于鍺(Ge)）和RobertNoyth（基于硅(Si)的集成電路）。當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)的大多數(shù)應(yīng)用都是基于硅的集成電路。集成電路是1950年代末和1960年代發(fā)展起來(lái)的一種新型半導(dǎo)體器件...

載流子的濃度與溫度的關(guān)系：溫度一定，本征半導(dǎo)體中載流子的濃度是一定的，并且自由電子與空穴的濃度相等。當(dāng)溫度升高時(shí)，熱運(yùn)動(dòng)加劇，掙脫共價(jià)鍵束縛的自由電子增多，空穴也隨之增多（即載流子的濃度升高），導(dǎo)電性能增強(qiáng)；當(dāng)溫度降低，則載流子的濃度降低，導(dǎo)...

在速率上，商用系統(tǒng)大多為2.5Gbit/s或10Gbit/s，更高速率的40Gbit/s系統(tǒng)正在實(shí)用化，預(yù)計(jì)到2004年開(kāi)始商業(yè)應(yīng)用，一些電信公司如阿爾卡特的實(shí)驗(yàn)室已進(jìn)行了160Gbit/s的傳輸實(shí)驗(yàn)。在通道密度方面，通道間的波長(zhǎng)間隙已小到25GHz...