截至 2018 年,絕大多數(shù)晶體管都是使用平坦的二維平面工藝,在硅芯片一側的單層中制造的。研究人員已經生產了幾種有希望的替代品的原型,例如:堆疊幾層晶體管以制造三維集成電路(3DC)的各種方法,例如硅通孔,“單片 3D”, 堆疊引線接合, 和其他方法。由其他材...
測量儀器是將被測量轉換成可供直接觀察的指示值儀器,包括各類指示儀器,比較儀器,記錄儀器,傳感儀器和變送器等。直接測量在測量過程中,能夠直接將被測量與同類標準量進行比較,或能夠直接用事先刻度好的測量儀器對被測量進行測量,直接獲得數(shù)值的測量稱為直接測量。間接測量當...
鍵盤鍵盤是全站儀在測量時輸入操作指令或數(shù)據(jù)的硬件,全站型儀器的鍵盤和顯示屏均為雙面式,便于正、倒鏡作業(yè)時操作。4.存儲器全站儀存儲器的作用是將實時采集的測量數(shù)據(jù)存儲起來,再根據(jù)需要傳送到其它設備如計算機等中,供進一步的處理或利用,全站儀的存儲器有內存儲器和存儲...
被測色碼電感器直流電阻值的大小與繞制電感器線圈所用的漆包線徑、繞制圈數(shù)有直接關系,只要能測出電阻值,則可認為被測色碼電感器是正常的。2 中周變壓器的檢測A 將萬用表撥至R×1擋,按照中周變壓器的各繞組引腳排列規(guī)律,逐一檢查各繞組的通斷情況,進而判斷其是否正常。...
外媒聲音 1、日本《日經亞洲評論》8月12日文章稱,中國招聘了100多名前臺積電工程師以力爭獲得芯片(產業(yè))**地位 。作為全世界比較大的芯片代工企業(yè),臺積電成為中國(大陸)求賢若渴的芯片項目的首要目標。高德納咨詢半導體分析師羅杰·盛(音)說:“中國...
加溫檢測;在常溫測試正常的基礎上,即可進行第二步測試—加溫檢測,將一熱源(例如電烙鐵)靠近PTC熱敏電阻對其加熱,同時用萬用表監(jiān)測其電阻值是否隨溫度的升高而增大,如是,說明熱敏電阻正常,若阻值無變化,說明其性能變劣,不能繼續(xù)使用。注意不要使熱源與PTC熱敏電阻...
2002年OFC展覽會上有十多家自動封裝、自動熔接設備廠商參展,熔接、對準、壓焊等許多認為只能由人工操作的工藝都能由機械手進行。據(jù)ElectroniCast預測,到2005年自動化組裝與測試設備的銷量將達17.1億美元,光電子器件產值中的70%~80%將由全自...
半導體器件是導電性介于良導電體與絕緣體之間,利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產生、控制、接收、變換、放大信號和進行能量轉換。半導體器件的半導體材料是硅、鍺或砷化鎵,可用作整流器、振蕩器、發(fā)光器、放大器、測光器等器材...
半導體制冷技術是目前的制冷技術中應用比較***的。農作物在溫室大棚中生長中,半導體制冷技術可以對環(huán)境溫度有效控制,特別是一些對環(huán)境具有很高要求的植物,采用半導體制冷技術塑造生長環(huán)境,可以促進植物的生長。半導體制冷技術具有可逆性,可以用于制冷,也可...
空間電荷區(qū):擴散到P區(qū)的自由電子與空穴復合,而擴散到N區(qū)的空穴與自由電子復合,所以在交界面附近多子的濃度下降,P區(qū)出現(xiàn)負離子區(qū),N區(qū)出現(xiàn)正離子區(qū),它們是不能移動,稱為空間電荷區(qū)。電場形成:空間電荷區(qū)形成內電場??臻g電荷加寬,內電場增強,其...
芯片是一種集成電路,由大量的晶體管構成。不同的芯片有不同的集成規(guī)模,大到幾億;小到幾十、幾百個晶體管。晶體管有兩種狀態(tài),開和關,用1、0來表示。多個晶體管產生的多個1與0的信號,這些信號被設定成特定的功能(即指令和數(shù)據(jù)),來表示或處理字母、數(shù)字、顏色和圖形等。...
1954年,結型硅晶體管誕生。此后,人們提出了場效應晶體管的構想。隨著無缺陷結晶和缺陷控制等材料技術、晶體外誕生長技術和擴散摻雜技術、耐壓氧化膜的制備技術、腐蝕和光刻技術的出現(xiàn)和發(fā)展,各種性能優(yōu)良的電子器件相繼出現(xiàn),電子元器件逐步從真空管時代進入晶體管時代和大...
晶體管發(fā)明并大量生產之后,各式固態(tài)半導體組件如二極管、晶體管等大量使用,取代了真空管在電路中的功能與角色。到了20世紀中后期半導體制造技術進步,使得集成電路成為可能。相對于手工組裝電路使用個別的分立電子組件,集成電路可以把很大數(shù)量的微晶體管集成到一個小芯片...
1906年美國人德福雷斯特發(fā)明真空三極管,用來放大電話的聲音電流。此后,人們強烈地期待著能夠誕生一種固體器件,用來作為質量輕、價廉和壽命長的放大器和電子開關。1947年,點接觸型鍺晶體管的誕生,在電子器件的發(fā)展史上翻開了新的一頁。但是,這種點接觸型晶...
電解電容器的檢測A 因為電解電容的容量較一般固定電容大得多,所以,測量時,應針對不同容量選用合適的量程。根據(jù)經驗,一般情況下,1~47μF間的電容,可用R×1k擋測量,大于47μF的電容可用R×100擋測量。B 將萬用表紅表筆接負極,黑表筆接正極,在剛接觸的瞬...
從20世紀30年代開始,元素周期表中的化學元素中的半導體被研究者如貝爾實驗室的威廉·肖克利(William Shockley)認為是固態(tài)真空管的**可能的原料。從氧化銅到鍺,再到硅,原料在20世紀40到50年代被系統(tǒng)的研究。盡管元素周期表的一些III-V價...
模擬集成電路是指由電阻、電容、晶體管等元件集成在一起用來處理模擬信號的模擬集成電路。有許多的模擬集成電路,如集成運算放大器、比較器、對數(shù)和指數(shù)放大器、模擬乘(除)法器、鎖相環(huán)、電源管理芯片等。模擬集成電路的主要構成電路有:放大器、濾波器、反饋電路、...
在速率上,商用系統(tǒng)大多為2.5Gbit/s或10Gbit/s,更高速率的40Gbit/s系統(tǒng)正在實用化,預計到2004年開始商業(yè)應用,一些電信公司如阿爾卡特的實驗室已進行了160Gbit/s的傳輸實驗。在通道密度方面,通道間的波長間隙已小到25GHz...
穩(wěn)壓二極管型號的后綴。其后綴的***部分是一個字母,表示穩(wěn)定電壓值的容許誤差范圍,字母A、B、C、D、E分別表示容許誤差為±1%、±2%、±5%、±10%、±15%;其后綴第二部分是數(shù)字,表示標稱穩(wěn)定電壓的整數(shù)數(shù)值;后綴的第三部分是字母V,**小數(shù)點,字母V之...
由電力驅動的非常小的機械設備可以集成到芯片上,這種技術被稱為微電子機械系統(tǒng)。這些設備是在 20 世紀 80 年代后期開發(fā)的 并且用于各種商業(yè)和***應用。例子包括 DLP 投影儀,噴碼機,和被用于汽車的安全氣袋上的加速計和微機電陀螺儀.自 21 世紀初以來,將...
行業(yè)基本情況電子測量儀器簡介電子檢測的本質是對電參數(shù)的測量,是科學發(fā)展和生產現(xiàn)代化進程中不可或缺的環(huán)節(jié)。電子測量儀器主要用于器件、材料和設備的電學參數(shù)測量,以電量、非電量、光量的形式,測量被測對象的各項參數(shù)或控制系統(tǒng)的運行。 ...
在2005年,一個制造廠(通常稱為半導體工廠,常簡稱fab,指fabrication facility)建設費用要超過10億美元,因為大部分操作是自動化的。 [1]制造過程芯片制作完整過程包括芯片設計、晶片制作、封裝制作、測試等幾個環(huán)節(jié),其中晶片制作過程尤為的...
這一切背后的動力都是半導體芯片。如果按照舊有方式將晶體管、電阻和電容分別安裝在電路板上,那么不僅個人電腦和移動通信不會出現(xiàn),連基因組研究、計算機輔助設計和制造等新科技更不可能問世。有關**指出,摩爾法則已不僅*是針對芯片技術的法則;不久的將來...
基爾比之后半年,仙童半導體公司的羅伯特·諾伊斯開發(fā)了一種新的集成電路,比基爾比的更實用。諾伊斯的設計由硅制成,而基爾比的芯片由鍺制成。諾伊斯將以下原理歸功于斯普拉格電氣的庫爾特·利霍韋克p–n絕緣結,這也是集成電路背后的關鍵概念。[17]這種絕緣允許每個晶體管...
1906年美國人德福雷斯特發(fā)明真空三極管,用來放大電話的聲音電流。此后,人們強烈地期待著能夠誕生一種固體器件,用來作為質量輕、價廉和壽命長的放大器和電子開關。1947年,點接觸型鍺晶體管的誕生,在電子器件的發(fā)展史上翻開了新的一頁。但是,這種點接觸型晶...
華為和合作伙伴正在朝這個方向走去——華為的計劃是做IDM,業(yè)內人士對投中網表示。 IDM,是芯片領域的一種設計生產模式,從芯片設計、制造、封裝到測試,覆蓋整個產業(yè)鏈。 一方面,華為正在從芯片設計向上游延伸。余承東曾表示,華為將***扎根,突破物...
繼電器電子元器件繼電器是一種電子控制器件,它具有控制系統(tǒng)(又稱輸入回路)和被控制系統(tǒng)(又稱輸出回路),通常應用于自動控制電路中,它實際上是用較小的電流去控制較大電流的一種“自動開關”。故在電路中起著自動調節(jié)、安全保護、轉換電路等作用。 汽車繼電器/信...
這一切背后的動力都是半導體芯片。如果按照舊有方式將晶體管、電阻和電容分別安裝在電路板上,那么不僅個人電腦和移動通信不會出現(xiàn),連基因組研究、計算機輔助設計和制造等新科技更不可能問世。有關**指出,摩爾法則已不僅*是針對芯片技術的法則;不久的將來...
IC由很多重疊的層組成,每層由視頻技術定義,通常用不同的顏色表示。一些層標明在哪里不同的摻雜劑擴散進基層(成為擴散層),一些定義哪里額外的離子灌輸(灌輸層),一些定義導體(多晶硅或金屬層),一些定義傳導層之間的連接(過孔或接觸層)。所有的組件由這些層的特定組合...
因為CMOS設備只引導電流在邏輯門之間轉換,CMOS設備比雙極型組件(如雙極性晶體管)消耗的電流少很多。透過電路的設計,將多顆的晶體管管畫在硅晶圓上,就可以畫出不同作用的集成電路。隨機存取存儲器是**常見類型的集成電路,所以密度比較高的設備是存儲器,但即使是微...