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半導(dǎo)體發(fā)光二極管半導(dǎo)體發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)是一個(gè)PN結(jié),它正向通電流時(shí),注入的少數(shù)載流子靠復(fù)合而發(fā)光。它可以發(fā)出綠光、黃光、紅光和紅外線等。所用的材料有 GaP、GaAs、GaAs1-xPx、Ga1-xAlxAs、In1-xGaxAs1-yPy等。半導(dǎo)...
目前我國(guó)半導(dǎo)體材料在這方面的發(fā)展背景來看,應(yīng)該在很大程度上去提高超高亮度,紅綠藍(lán)光材料以及光通信材料,在未來的發(fā)展的主要研究方向上,同時(shí)要根據(jù)市場(chǎng)上,更新一代的電子器件以及電路等要求進(jìn)行強(qiáng)化,將這些光電子結(jié)構(gòu)的材料,在未來生產(chǎn)過程中的需求進(jìn)行仔...
分類: 基礎(chǔ)儀器和通用儀器:數(shù)字多用表、電源、函數(shù)發(fā)生器、計(jì)數(shù)器...射頻和微波儀器及系統(tǒng):頻譜分析儀、網(wǎng)絡(luò)分析儀、信號(hào)發(fā)生器、功率計(jì)、噪聲系數(shù)分析儀示波器、邏輯分析儀和數(shù)字測(cè)試:示波器、邏輯分析儀、仿真跡線端口分析儀、BERT…EDA 軟件:電子設(shè)...
場(chǎng)效應(yīng)晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場(chǎng)影響而改變其電阻(簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)),使具有放大信號(hào)的功能。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個(gè)電極稱為源和漏。 控制橫向電場(chǎng)的電極稱為柵。根據(jù)柵的結(jié)構(gòu),場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為三種: ①結(jié)型場(chǎng)...
發(fā)展史: 1906年,美國(guó)發(fā)明家德福雷斯特(De Forest Lee)發(fā)明了真空三極管(電子管)。***代電子產(chǎn)品以電子管為**。四十年代末世界上誕生了***只半導(dǎo)體三極管,它以小巧、輕便、省電、壽命長(zhǎng)等特點(diǎn),很快地被各國(guó)應(yīng)用起來,在很大范圍內(nèi)取代...
行業(yè)基本情況電子測(cè)量?jī)x器簡(jiǎn)介電子檢測(cè)的本質(zhì)是對(duì)電參數(shù)的測(cè)量,是科學(xué)發(fā)展和生產(chǎn)現(xiàn)代化進(jìn)程中不可或缺的環(huán)節(jié)。電子測(cè)量?jī)x器主要用于器件、材料和設(shè)備的電學(xué)參數(shù)測(cè)量,以電量、非電量、光量的形式,測(cè)量被測(cè)對(duì)象的各項(xiàng)參數(shù)或控制系統(tǒng)的運(yùn)行。 ...
光在大氣中的傳播速度會(huì)隨大氣的溫度和氣壓而變化,15℃和760mmHg是儀器設(shè)置的一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)值,此時(shí)的大氣改正為0ppm。實(shí)測(cè)時(shí),可輸入溫度和氣壓值,全站儀會(huì)自動(dòng)計(jì)算大氣改正值(也可直接輸入大氣改正值),并對(duì)測(cè)距結(jié)果進(jìn)行改正。(3)量?jī)x器高、棱鏡高并輸入全站儀。...
電子測(cè)量?jī)x器是什么? 電子測(cè)量?jī)x器是以模擬電路技術(shù)、數(shù)字電路技術(shù)為基礎(chǔ),涵蓋信號(hào)處理技術(shù)、通信技術(shù)、軟件技術(shù)、總線技術(shù)等多學(xué)科融合的高精尖測(cè)量設(shè)備或系統(tǒng),并用于監(jiān)測(cè)、測(cè)量、計(jì)算各類物理參數(shù)和成分的儀器。其用途是對(duì)電特性進(jìn)行定性或定量測(cè)量,目前已經(jīng)廣泛...
中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分(場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部分)組成。 五個(gè)部分意義如下: ***部分:用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管 第...
芯片是一種集成電路,由大量的晶體管構(gòu)成。不同的芯片有不同的集成規(guī)模,大到幾億;小到幾十、幾百個(gè)晶體管。晶體管有兩種狀態(tài),開和關(guān),用1、0來表示。多個(gè)晶體管產(chǎn)生的多個(gè)1與0的信號(hào),這些信號(hào)被設(shè)定成特定的功能(即指令和數(shù)據(jù)),來表示或處理字母、數(shù)字、顏色和圖形等。...
雙極型晶體管它是由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成,其中一個(gè)PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié),另一個(gè)稱為集電結(jié)。兩個(gè)結(jié)之間的一薄層半導(dǎo)體材料稱為基區(qū)。接在發(fā)射結(jié)一端和集電結(jié)一端的兩個(gè)電極分別稱為發(fā)射極和集電極。接在基區(qū)上的電極稱為基極。在應(yīng)用時(shí),發(fā)射結(jié)處于正向偏置,集電極處于反向偏...
檢測(cè)10pF~0.01μF固定電容器是否有充電現(xiàn)象,進(jìn)而判斷其好壞。萬用表選用R×1k擋。兩只三極管的β值均為100以上,且穿透電流要選用3DG6等型號(hào)硅三極管組成復(fù)合管。萬用表的紅和黑表筆分別與復(fù)合管的發(fā)射極e和集電極c相接。由于復(fù)合三極管的放大作用,把被測(cè)...
計(jì)算機(jī)系統(tǒng)和大規(guī)模集成電路的使用,徹底改變了人們?cè)O(shè)計(jì)思想,對(duì)設(shè)計(jì)人員提出了很高的要求,更重要的是測(cè)試儀器可以直接采用***的計(jì)算機(jī)成果,使儀器的更新?lián)Q代速度與計(jì)算機(jī)保持同步。國(guó)內(nèi)測(cè)試儀器的總體技術(shù)水平:通用臺(tái)式儀器:微波毫米波儀器門類基本齊全,寬帶...
公司規(guī)模雖不大,但擁有專業(yè)的團(tuán)隊(duì)和先進(jìn)的技術(shù),能夠?yàn)榭蛻籼峁└哔|(zhì)量的產(chǎn)品和服務(wù)。無錫微原電子科技有限公司在行業(yè)內(nèi)具有一定的**度和影響力。隨著科技的飛速發(fā)展,無錫微原電子科技有限公司將繼續(xù)加大在技術(shù)研發(fā)方面的投入,致力于開發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的**技術(shù)和產(chǎn)品,特...
光電與顯示顯示管/顯像管/指示管示波管/攝像管/投影管光電管/發(fā)射器件/其他光電與顯示器件磁性元器件磁頭/鋁鎳磁鋼永磁元件金屬軟磁元件(粉芯)/鐵氧體軟磁元件(磁芯)鐵氧體永磁元件/稀土永磁元件其它磁性元器件集成電路電視機(jī)IC/音響IC/電源模塊影碟機(jī)IC...
目前我國(guó)半導(dǎo)體材料在這方面的發(fā)展背景來看,應(yīng)該在很大程度上去提高超高亮度,紅綠藍(lán)光材料以及光通信材料,在未來的發(fā)展的主要研究方向上,同時(shí)要根據(jù)市場(chǎng)上,更新一代的電子器件以及電路等要求進(jìn)行強(qiáng)化,將這些光電子結(jié)構(gòu)的材料,在未來生產(chǎn)過程中的需求進(jìn)行仔...
以GaN(氮化鎵)為**的第三代半導(dǎo)體材料及器件的開發(fā)是新興半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的**和基礎(chǔ),其研究開發(fā)呈現(xiàn)出日新月異的發(fā)展勢(shì)態(tài)。GaN基光電器件中,藍(lán)色發(fā)光二極管LED率先實(shí)現(xiàn)商品化生產(chǎn)成功開發(fā)藍(lán)光LED和LD之后,科研方向轉(zhuǎn)移到GaN紫外光探測(cè)器上GaN材...
估測(cè)溫度系數(shù)αt 先在室溫t1下測(cè)得電阻值Rt1,再用電烙鐵作熱源,靠近熱敏電阻Rt,測(cè)出電阻值RT2,同時(shí)用溫度計(jì)測(cè)出此時(shí)熱敏電阻RT表面的平均溫度t2再進(jìn)行計(jì)算。7 壓敏電阻的檢測(cè)。用萬用表的R×1k擋測(cè)量壓敏電阻兩引腳之間的正、反向絕緣電阻,均為無窮大,...
Small-Outline Integrated Circuit(SOIC)和PLCC封裝。20世紀(jì)90年代,盡管PGA封裝依然經(jīng)常用于**微處理器。PQFP和thin small-outline package(TSOP)成為高引腳數(shù)設(shè)備的通常封裝。Inte...
集成電路技術(shù)的進(jìn)步,主要是更小的特征和更大的芯片,使得集成電路中晶體管的數(shù)量每?jī)赡攴环?,這種趨勢(shì)被稱為摩爾定律。這種增加的容量已被用于降低成本和增加功能。一般來說,隨著特征尺寸的縮小,集成電路操作的幾乎每個(gè)方面都得到改善。每個(gè)晶體管的成本和每個(gè)晶體管的開...
儀器工作條件儀器在15~25℃條件下工作。2、外觀儀器的工作面不得有砂眼、氣孔、碰傷、劃傷、毛刺、銹跡及其他影響使用的缺陷;裸露的非工作面不得有氣孔、砂眼、裂紋、銹蝕及其他明顯的缺陷。儀器的電鍍層應(yīng)均勻光潔。儀器的噴漆表面不得有明顯的影響外觀質(zhì)量的脫漆、斑點(diǎn)、...
芯片是一種集成電路,由大量的晶體管構(gòu)成。不同的芯片有不同的集成規(guī)模,大到幾億;小到幾十、幾百個(gè)晶體管。晶體管有兩種狀態(tài),開和關(guān),用1、0來表示。多個(gè)晶體管產(chǎn)生的多個(gè)1與0的信號(hào),這些信號(hào)被設(shè)定成特定的功能(即指令和數(shù)據(jù)),來表示或處理字母、數(shù)字、顏色和圖形等。...
在使用自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE)包裝前,每個(gè)設(shè)備都要進(jìn)行測(cè)試。測(cè)試過程稱為晶圓測(cè)試或晶圓探通。晶圓被切割成矩形塊,每個(gè)被稱為晶片(“die”)。每個(gè)好的die被焊在“pads”上的鋁線或金線,連接到封裝內(nèi),pads通常在die的邊上。封裝之后,設(shè)備在晶圓探通中使用...
它在電路中用字母“IC”表示。集成電路的發(fā)明者是JackKilby(集成電路基于鍺(Ge))和RobertNoyth(基于硅(Si)的集成電路)。當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)的大多數(shù)應(yīng)用都是基于硅的集成電路。集成電路是1950年代末和1960年代發(fā)展起來的一種新型半導(dǎo)體器件...
帶有“視距絲”的光學(xué)速測(cè)儀,由于其快速、簡(jiǎn)易,而在短距離(100米以內(nèi))、低精度 (1/200(1/500)的測(cè)量中,如碎部點(diǎn)測(cè)定中,有其優(yōu)勢(shì),得到了廣泛的應(yīng)用。隨著電子測(cè)距技術(shù)的出現(xiàn),**地推動(dòng)了速測(cè)儀的發(fā)展。用電磁波測(cè)距儀代替光學(xué)視距經(jīng)緯儀,使得測(cè)程更...
半導(dǎo)體 -----指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域都有應(yīng)用,如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子...
電子經(jīng)緯儀型號(hào)眾多,有相同的特點(diǎn)如下:1、儀器橫軸和豎軸采用相同的合金鋼制造的密珠式軸系,軸與軸套之間是螺旋形排列的滾珠,采用輕壓過盈配合。其間隙為零,它的誤差**是加工形狀誤差,因此這樣軸系具有精度高,溫度影響小,低溫轉(zhuǎn)動(dòng)靈活,抗震性能好,...
直讀法用直接指出被測(cè)量大小的指示儀表進(jìn)行測(cè)量,能夠直接從儀表刻度盤商或從顯示器上讀取被測(cè)量數(shù)值的測(cè)量方法,稱為直讀法。比較法將被測(cè)量與標(biāo)準(zhǔn)量在比較儀器中直接比較,從而獲得被測(cè)量數(shù)值的方法,稱為比較法。 時(shí)域測(cè)量時(shí)域測(cè)量也叫作瞬時(shí)測(cè)量,主要是測(cè)量被測(cè)量...
三極管三極管在中文含義里面只是對(duì)三個(gè)腳的放大器件的統(tǒng)稱,我們常說的三極管,可能有多種器件??梢钥吹剑m然都叫三極管,其實(shí)在英文里面的說法是千差萬別的,三極管這個(gè)詞匯其實(shí)也是中文特有的一個(gè)象形意義上的的詞匯電子三極管 Triode 這個(gè)是英漢字典里面“三極管”這...
以上就是關(guān)于集成電路和芯片區(qū)別的介紹了,總的來說,集成電路也稱為芯片,因?yàn)槊鍵C的封裝類似于芯片。一組集成電路通常稱為芯片組,而不是IC組。集成電路或IC是當(dāng)今幾乎所有電子設(shè)備中使用的設(shè)備。半導(dǎo)體技術(shù)和制造方法的發(fā)展導(dǎo)致了集成電路的發(fā)明。在IC發(fā)明之前,所有用...