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三極管的開(kāi)關(guān)功能，三極管的集電極電流在一定范圍內(nèi)隨基極電流呈線性變化，這就是放大特性。當(dāng)基極電流高過(guò)此范圍時(shí)，三極管集電極電流會(huì)達(dá)到飽和值 （導(dǎo)通），基極電流低于此范圍時(shí)，三極管會(huì)進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)（斷路）， 這種導(dǎo)通或截止的特性在電路中還可起到開(kāi)關(guān)作用。三極管的其...

階躍二極管，階躍二極管一種特殊的變?nèi)莨?，又稱為階躍恢復(fù)二極管或電荷存儲(chǔ)二極管,簡(jiǎn)稱階躍管，英文名稱為Step-Recovary Diode，它具有高度非線性的電抗，應(yīng)用于倍頻器時(shí)代獨(dú)有的特點(diǎn)，利用其反向恢復(fù)電流的快速突變中所包含的豐富諧波，可獲得高效率的高次倍...

場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)：（1）結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵源電壓不能接反，可以在開(kāi)路狀態(tài)下保存，而絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管在不使用時(shí)，由于它的輸入電阻非常高，須將各電極短路，以免外電場(chǎng)作用而使管子損壞。（2）焊接時(shí)，電烙鐵外殼必須裝有外接地線，以防止由于電烙鐵帶電而損壞管子。對(duì)于少量焊...

發(fā)光二極管，施加正向偏置，可以發(fā)光的二極管。由發(fā)光種類(lèi)與特性又有紅外線二極管、各種顏色的可見(jiàn)光二極管、紫外線二極管等。激光二極管，當(dāng)LED產(chǎn)生的光是帶寬極窄的同調(diào)光（Coherent Light）時(shí)，則稱為激光二極管。光電二極管，光線射入PN結(jié)，P區(qū)空穴、N區(qū)...

如果我們?cè)趫D1中，將電阻Rc換成一個(gè)燈泡，那么當(dāng)基極電流為0時(shí)，集電極電流為0，燈泡滅。如果基極電流比較大時(shí)(大于流過(guò)燈泡的電流除以三極管的放大倍數(shù)β)，三極管就飽和，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合，燈泡就亮了。由于控制電流只需要比燈泡電流的β分之一大一點(diǎn)就行了，所以就可以用...

發(fā)光二極管，發(fā)光二極管名稱名稱為L(zhǎng)ight-emitting diode，簡(jiǎn)稱LED。是一種常用的發(fā)光器件，通過(guò)電子與空穴復(fù)合釋放能量發(fā)光。發(fā)光二極管可高效地將電能轉(zhuǎn)化為光能，在現(xiàn)代社會(huì)具有普遍的用途，如照明、平板顯示、醫(yī)療器件等。發(fā)光二極管與普通二極管一樣是...

下面介紹的是三極管工作原理，一起來(lái)看看吧。三極管有哪三極？1、NPN型三極管的三極：NPN型三極管，由三塊半導(dǎo)體構(gòu)成，其中兩塊N型和一塊P型半導(dǎo)體組成，P型半導(dǎo)體在中間，兩塊N型半導(dǎo)體在兩側(cè)。有一個(gè)箭頭的電極是發(fā)射極e，箭頭朝外的是NPN型三極管。箭頭方向也表...

VMOS場(chǎng)效應(yīng)管，VMOS場(chǎng)效應(yīng)管（VMOSFET）簡(jiǎn)稱VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的高效、功率開(kāi)關(guān)器件。它不只繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W）、驅(qū)動(dòng)電流?。ㄗ笥?.1μA左右），還具有耐...

三極管具有放大信號(hào)、開(kāi)關(guān)電路和穩(wěn)壓等多種功能，對(duì)電子設(shè)備的正常運(yùn)行起著至關(guān)重要的作用。放大信號(hào)，三極管可以將微弱的輸入信號(hào)放大成較大的輸出信號(hào)。它通過(guò)調(diào)節(jié)輸入電流或電壓的變化，使輸出信號(hào)得以放大。這種放大作用在無(wú)線電、音頻設(shè)備和通信系統(tǒng)中起著關(guān)鍵作用。在無(wú)線電...

晶體二極管分類(lèi)如下：1、臺(tái)面型二極管，PN結(jié)的制作方法雖然與擴(kuò)散型相同，但是，只保留PN結(jié)及其必要的部分，把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩余的部分便呈現(xiàn)出臺(tái)面形，因而得名。初期生產(chǎn)的臺(tái)面型，是對(duì)半導(dǎo)體材料使用擴(kuò)散法而制成的。因此，又把這種臺(tái)面型稱為擴(kuò)散臺(tái)面型。...

二極管的反向性，外加反向電壓不超過(guò)一定范圍時(shí)，通過(guò)二極管的電流是少數(shù)載流子漂移運(yùn)動(dòng)所形成反向電流。由于反向電流很小，二極管處于截止?fàn)顟B(tài)。這個(gè)反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流，二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。擊穿，外加反向電壓超過(guò)某一數(shù)值時(shí)，反向電流會(huì)突然...

光敏（光電）三極管，光敏三極管的基區(qū)面積比普通三極管大，而發(fā)射區(qū)面積較小。光敏三極管具有對(duì)光電信號(hào)的放大作用，當(dāng)光電信號(hào)從基極（大多數(shù)光窗口即為基極）輸入時(shí)，激發(fā)了基區(qū)半導(dǎo)體，產(chǎn)生電子和空穴的運(yùn)動(dòng)，從而在發(fā)射區(qū)有空穴的積累，相等于在發(fā)射極施加了正向偏壓，使光敏...

單極型場(chǎng)效應(yīng)管以其簡(jiǎn)單而獨(dú)特的結(jié)構(gòu)區(qū)別于雙極型晶體管，它依靠一種載流子（電子或空穴）來(lái)導(dǎo)電。這種結(jié)構(gòu)使得它的輸入電阻極高，幾乎沒(méi)有柵極電流，就像一個(gè)幾乎不消耗能量的信號(hào)接收站。在高阻抗信號(hào)放大與處理領(lǐng)域，它大顯身手。在傳感器信號(hào)調(diào)理電路中，以光電傳感器為例，當(dāng)...

場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)：（1）結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的柵源電壓不能接反，可以在開(kāi)路狀態(tài)下保存，而絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管在不使用時(shí)，由于它的輸入電阻非常高，須將各電極短路，以免外電場(chǎng)作用而使管子損壞。（2）焊接時(shí)，電烙鐵外殼必須裝有外接地線，以防止由于電烙鐵帶電而損壞管子。對(duì)于少量焊...

導(dǎo)電溝道的形成：當(dāng)vGS數(shù)值較小，吸引電子的能力不強(qiáng)時(shí)，漏——源極之間仍無(wú)導(dǎo)電溝道出現(xiàn)，如圖1(b)所示。vGS增加時(shí)，吸引到P襯底表面層的電子就增多，當(dāng)vGS達(dá)到某一數(shù)值時(shí)，這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個(gè)N型薄層，且與兩個(gè)N+區(qū)相連通，在漏——源極...

三極管的作用是什么？1、電流放大。這也是其較基本的作用。以共發(fā)射極接法為例，一旦由基極輸入一個(gè)微小的電流，在集電極輸出的電流大小便是輸入電流的β倍，β被叫做三極管的電流放大系數(shù)。將輸入的微弱信號(hào)擴(kuò)大β倍后輸出，這便是三極管的電流放大作用。2、用作開(kāi)關(guān)。三極管在...

三極管的參數(shù)。三極管主要性能參數(shù)：直流參數(shù)： 1、共射直流電流放大系數(shù)β;2、ICBO是發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，集電結(jié)的反向飽和電流;3、ICEO是基極開(kāi)路時(shí)，集電極與發(fā)射極之間的穿透電流。交流參數(shù)： 1、共射交流電流放大系數(shù)β;2、特征頻率fT，頻率升高，β降為1時(shí)對(duì)...

二極管是否損壞如何判斷：?jiǎn)呜?fù)導(dǎo)電性能的檢測(cè)及好壞的判斷，通常，鍺材料二極管的正向電阻值為1kΩ左右，反向電阻值為300左右。硅材料二極管的電阻值為5kΩ左右，反向電阻值為（無(wú)窮大）。正向電阻越小越好，反向電阻越大越好。正、反向電阻值相差越懸殊，說(shuō)明二極管的單向...

三極管的構(gòu)造，三極管有三個(gè)區(qū)域，分別被命名為發(fā)射結(jié)、基極和集電結(jié)。它的基本原理是利用半導(dǎo)體材料中P型和N型材料間的PN結(jié)和PNP結(jié)的特性來(lái)實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大。三極管的白色瓷體上標(biāo)注著三個(gè)觸點(diǎn)，分別為發(fā)射極、基極和集電極。三極管的工作原理，三極管的工作原理很復(fù)雜，但可...

MOS管的三個(gè)管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的。寄生電容的存在使得在設(shè)計(jì)或選擇驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候要麻煩一些，但沒(méi)有辦法避免，后邊再詳細(xì)介紹。在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管。這個(gè)叫體二極管，在驅(qū)動(dòng)感性負(fù)...

場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較：（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。（2）場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體...

交流參數(shù)：a.交流電流放大系數(shù)β（或hFE）交流電流放大系數(shù)是指采用共發(fā)射極接法時(shí)，集電極輸出電流的變化量ΔIC與基極輸入電流的變化量ΔIB之比。b.截止頻率fβ、fα晶體管的頻率參數(shù)描述晶體管的電流放大系數(shù)對(duì)高頻信號(hào)的適應(yīng)能力。根據(jù)fβ的定義，所謂共射截止頻...

在1882年的時(shí)候，他們突然想了一個(gè)辦法，將一片銅片放在燈絲和玻璃之間，以為能阻止燈絲的老化。很遺憾，這個(gè)辦法不行。他們接下來(lái)在這個(gè)銅片上施加一定的電壓希望能夠改善燈絲的壽命，可是這樣做依然無(wú)濟(jì)于事。雖然，提高燈絲壽命的實(shí)驗(yàn)失敗了，但是在這個(gè)過(guò)程中，他們發(fā)現(xiàn)了...

三極管的兩個(gè)PN結(jié)，類(lèi)似于兩個(gè)共陰或共陽(yáng)的二極管。與晶閘管和MOS管相比，三極管的特點(diǎn)是具有放大功能，而晶閘管和MOS管則沒(méi)有這種功能。三極管的工作原理。三極管的工作原理基于小電流控制大電流的原則，其工作機(jī)制像一個(gè)可控制的閥門(mén)。根據(jù)不同的工作狀態(tài)和連接方式，三...

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類(lèi)型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱MOS...

在要求輸入阻抗較高的場(chǎng)合使用時(shí)，必須采取防潮措施，以免由于溫度影響使場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻降低。如果用四引線的場(chǎng)效應(yīng)管，其襯底引線應(yīng)接地。陶瓷封裝的芝麻管有光敏特性，應(yīng)注意避光使用。對(duì)于功率型場(chǎng)效應(yīng)管，要有良好的散熱條件。因?yàn)楣β市蛨?chǎng)效應(yīng)管在高負(fù)荷條件下運(yùn)用，必須...

N溝道耗盡型MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的基本結(jié)構(gòu)：a.結(jié)構(gòu)：N溝道耗盡型MOS管與N溝道增強(qiáng)型MOS管基本相似。b.區(qū)別：耗盡型MOS管在vGS=0時(shí)，漏——源極間已有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生，而增強(qiáng)型MOS管要在vGS≥VT時(shí)才出現(xiàn)導(dǎo)電溝道。c.原因：制造N溝道耗盡型MOS管...

SOA失效（電流失效）再簡(jiǎn)單說(shuō)下第二點(diǎn)，SOA失效，SOA失效是指電源在運(yùn)行時(shí)異常的大電流和電壓同時(shí)疊加在MOSFET上面，造成瞬時(shí)局部發(fā)熱而導(dǎo)致的破壞模式。或者是芯片與散熱器及封裝不能及時(shí)達(dá)到熱平衡導(dǎo)致熱積累，持續(xù)的發(fā)熱使溫度超過(guò)氧化層限制而導(dǎo)致的熱擊穿模式...

三極管是一種控制元件，主要用來(lái)控制電流的大小，以共發(fā)射極接法為例（信號(hào)從基極輸入，從集電極輸出，發(fā)射極接地），當(dāng)基極電壓UB有一個(gè)微小的變化時(shí)，基極電流IB也會(huì)隨之有一小的變化，受基極電流IB的控制，集電極電流IC會(huì)有一個(gè)很大的變化，基極電流IB越大，集電極電...

LED 燈具的驅(qū)動(dòng)。設(shè)計(jì)LED燈具的時(shí)候經(jīng)常要使用MOS管，對(duì)LED恒流驅(qū)動(dòng)而言，一般使用NMOS。功率MOSFET和雙極型晶體管不同，它的柵極電容比較大，在導(dǎo)通之前要先對(duì)該電容充電，當(dāng)電容電壓超過(guò)閾值電壓(VGS-TH)時(shí)MOSFET才開(kāi)始導(dǎo)通。因此，設(shè)計(jì)時(shí)...