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MOSFET選型注意事項(xiàng)：MOSFET的選型基礎(chǔ)MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開關(guān)導(dǎo) 通。導(dǎo)通時(shí)，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻，...

用萬(wàn)用表判斷半導(dǎo)體三極管的極性和類型（用指針式萬(wàn)用表）：a.先選量程：R﹡100或R﹡1K檔位。b.判別半導(dǎo)體三極管基極：用萬(wàn)用表黑表筆固定三極管的某一個(gè)電極，紅表筆分別接半導(dǎo)體三極管另外兩各電極，觀察指針偏轉(zhuǎn)，若兩次的測(cè)量阻值都大或是都小，則改腳所接就是基極...

這些電極的名稱和它們的功能有關(guān)。柵極可以被認(rèn)為是控制一個(gè)物理柵的開關(guān)。這個(gè)柵極可以通過制造或者消除源極和漏極之間的溝道，從而允許或者阻礙電子流過。如果受一個(gè)加上的電壓影響，電子流將從源極流向漏極。體很簡(jiǎn)單的就是指柵、漏、源極所在的半導(dǎo)體的塊體。通常體端和一個(gè)電...

二極管的分類：一、按半導(dǎo)體材料分類，二極管按其使用的材料可分為鍺（Ge）二極管、硅（Si）二極管、砷化鎵（GaAs）二極管、磷化鎵（GaP）二極管等。二、按封裝形式分類，二極管按其封裝形式可分為塑料二極管、玻璃二極管、金屬二極管、片狀二極管、無(wú)引線圓柱形二極管...

二極管是否損壞如何判斷：（1）極性的判別，將萬(wàn)用表置于R×100檔或R×1k檔，兩表筆分別接二極管的兩個(gè)電極，測(cè)出一個(gè)結(jié)果后，對(duì)調(diào)兩表筆，再測(cè)出一個(gè)結(jié)果。兩次測(cè)量的結(jié)果中，有一次測(cè)量出的阻值較大（為反向電阻），一次測(cè)量出的阻值較?。檎螂娮瑁?。在阻值較小的一...

三極管的工作原理：這里主要講一下PNP和NPN。1、PNP，PNP是一種BJT，其中一種n型材料被引入或放置在兩種p型材料之間。在這樣的配置中，設(shè)備將控制電流的流動(dòng)。PNP晶體管由2個(gè)串聯(lián)的晶體二極管組成。二極管的右側(cè)和左側(cè)分別稱為集電極-基極二極管和發(fā)射極-...

電極，所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）、源極（source）三個(gè)端，分別大致對(duì)應(yīng)BJT的基極（base）、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）。除JFET以外，所有的FET也有第四端，被稱為體（body）、基（base）、...

耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管在功率放大器中的優(yōu)勢(shì)：功率放大器的使命是高效放大信號(hào)功率，耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管在這方面具備獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。在無(wú)線通信基站的功率放大器中，信號(hào)強(qiáng)度變化范圍大，需要放大器在大信號(hào)輸入時(shí)仍能保持線性放大，以避免信號(hào)失真。耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管能夠提供穩(wěn)定的偏置電流，確保...

下面對(duì)二極管伏安特性曲線加以說明：正向特性，二極管兩端加正向電壓時(shí)，就產(chǎn)生正向電流，當(dāng)正向電壓較小時(shí)，正向電流極?。◣缀鯙榱悖?，這一部分稱為死區(qū)，相應(yīng)的A（A′）點(diǎn)的電壓稱為死區(qū)電壓或門檻電壓（也稱閾值電壓），硅管約為0.5V，鍺管約為0.1V，如圖中OA（O...

下面介紹的是三極管工作原理，一起來(lái)看看吧。三極管有哪三極？1、NPN型三極管的三極：NPN型三極管，由三塊半導(dǎo)體構(gòu)成，其中兩塊N型和一塊P型半導(dǎo)體組成，P型半導(dǎo)體在中間，兩塊N型半導(dǎo)體在兩側(cè)。有一個(gè)箭頭的電極是發(fā)射極e，箭頭朝外的是NPN型三極管。箭頭方向也表...

三極管工作原理，控制水流的閥門好比基極b，水箱中的水好比集電極c的電壓，發(fā)射極e好比流出的水流，閥門開的越大即基極b電流越大，流出的水也就越多即發(fā)射極e電流越大；反之閥門關(guān)閉得越緊即基極b電流越小，流出的水也就越少即發(fā)射極e電流也會(huì)越小，此刻這就是三極管處于放...

場(chǎng)效應(yīng)管的工作方式有兩種：當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏極電流的稱為耗盡型；當(dāng)柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強(qiáng)型。作用：1.場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2.場(chǎng)...

開關(guān)時(shí)間：場(chǎng)效應(yīng)管從完全關(guān)閉到完全導(dǎo)通（或相反）所需的時(shí)間。柵極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)對(duì)開關(guān)時(shí)間有明顯影響，同時(shí)寄生電容的大小也會(huì)影響開關(guān)時(shí)間，此外，器件的物理結(jié)構(gòu)，也會(huì)影響開關(guān)速度。典型應(yīng)用電路：開關(guān)電路：開關(guān)電路是指用于控制場(chǎng)效應(yīng)管開通和關(guān)斷的電路。放大電路：場(chǎng)效...

MOSFET選型注意事項(xiàng)：MOSFET的選型基礎(chǔ)MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開關(guān)導(dǎo) 通。導(dǎo)通時(shí)，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻，...

雪崩失效的預(yù)防措施，雪崩失效歸根結(jié)底是電壓失效，因此預(yù)防我們著重從電壓來(lái)考慮。具體可以參考以下的方式來(lái)處理。1：合理降額使用，目前行業(yè)內(nèi)的降額一般選取80%-95%的降額，具體情況根據(jù)企業(yè)的保修條款及電路關(guān)注點(diǎn)進(jìn)行選取。2：合理的變壓器反射電壓。合理的RCD及...

三極管的分類：晶體三極管按材料分類：鍺管和硅管。晶體三極管按工作頻率分類：小于3MHz為低頻;3MHz。晶體三極管按輸出功率分類：小于1W為小功率管;1W。晶體三極管按結(jié)構(gòu)分類：NPN型和PNP型，區(qū)分兩種三極管的關(guān)鍵是看發(fā)射極的箭頭指向。NPN型三極管： 由...

硅三極管比鍺管反向漏電流小，輸出特性平直、耐壓比較高，溫度特性較好。常用型號(hào)有：3DG系列高頻小功率硅三極管、3DX系列硅低頻管、3DA系列硅高頻大功率管、3CG系列硅高頻管、3CK系列開關(guān)三極管、3CX系列硅低頻管等。高頻管和低頻管（按特征頻率分），特征頻率...

實(shí)際放大電路，三極管在實(shí)際的放大電路中使用時(shí)，還需要加合適的偏置電路。這有幾個(gè)原因。首先是由于三極管BE結(jié)的非線性(相當(dāng)于一個(gè)二極管)，基極電流必須在輸入電壓大到一定程度后才能產(chǎn)生(對(duì)于硅管，常取0.7V)。當(dāng)基極與發(fā)射極之間的電壓小于0.7V時(shí)，基極電流就可...

三極管的性質(zhì)以NPN三極管為例：電流： 從基極B出來(lái)的電子和從集電極C出來(lái)的電子較終都會(huì)回到發(fā)射極E，當(dāng)作注入電子。即IE=IB+IC。UBE： 當(dāng)基極與發(fā)射極間電壓UBE0.7V時(shí)，IB激增，但是IB相對(duì)于IC來(lái)說還是很小。IC： 當(dāng)UC的值低于0.7V時(shí)，...

開關(guān)二極管，開關(guān)二極管是專門設(shè)計(jì)制造的一類二極管，用于在電路上“開”、“關(guān)”。與普通二極管相比，其由導(dǎo)通轉(zhuǎn)變?yōu)榻刂够蛴山刂棺優(yōu)閷?dǎo)通的時(shí)間較短。半導(dǎo)體二極管的導(dǎo)通相當(dāng)于一個(gè)閉合開關(guān)，截止時(shí)等效于開啟(斷開)，因此二極管可用作開關(guān)，常用型號(hào)1N4148開關(guān)二極管。...

晶體三極管的種類：硅管和鍺管（按半導(dǎo)體材料分），鍺管比硅管的起始工工作電壓低、飽和壓降較低。三極管導(dǎo)通時(shí)，發(fā)射極和集電極的電壓鍺管比硅管更低。因?yàn)殒N材料制成的PN結(jié)比硅材料制成的PN結(jié)的正向?qū)妷旱?，前者?.2～0.3V，后者為0.6～0.7V。所以鍺三極...

三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào)， 也用作無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)。晶體三極管，是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的主要元件。三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個(gè)...

二極管（英語(yǔ)：Diode），是一種具有不對(duì)稱電導(dǎo)的雙電極電子元件。理想的二極管在正向?qū)〞r(shí)兩個(gè)電極（陽(yáng)極和陰極）間擁有零電阻，而反向時(shí)則有無(wú)窮大電阻，即電流只允許由單一方向流過二極管。肖特基二極管，基本原理是：在金屬（例如鉛）和半導(dǎo)體（N型硅片）的接觸面上，用...

三極管簡(jiǎn)介，三極管，全稱為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種電流控制電流的半導(dǎo)體器件，其作用是把基極電流的微小變化去控制集電極電流的巨大變化， 也用作無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)。單片機(jī)應(yīng)用電路中三極管主要的作用就是開關(guān)作用。三極管的常用型號(hào)，三極管常用的型號(hào)有...

多晶硅金場(chǎng)效應(yīng)管在半導(dǎo)體制造工藝中獨(dú)樹一幟。多晶硅作為柵極材料，其晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，與金屬電極巧妙配合，如同精密的指揮家，能夠精細(xì)地調(diào)控溝道電流。在集成電路制造的復(fù)雜環(huán)境里，它展現(xiàn)出了良好的熱穩(wěn)定性與電學(xué)穩(wěn)定性。以電腦 CPU 為例，CPU 內(nèi)部集成了數(shù)十億個(gè)晶體...

二極管反向區(qū)也分兩個(gè)區(qū)域：當(dāng)VBR＜V＜0時(shí)，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時(shí)的反向電流也稱反向飽和電流IS。當(dāng)V≥VBR時(shí)，反向電流急劇增加，VBR稱為反向擊穿電壓。在反向區(qū)，硅二極管和鍺二極管的特性有所不同。硅二極管的反向擊穿特性比較硬、...

場(chǎng)效應(yīng)管工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID， 用柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓進(jìn)行控制”。更正確地說，ID流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結(jié)反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域，表示的過渡層的擴(kuò)...

1873年，弗雷德里克·格思里（ Frederick Guthrie ）發(fā)現(xiàn)了熱離子二極管的基本操作原理 [6] 。他發(fā)現(xiàn)了當(dāng)白熱化的接地金屬接近帶正電的驗(yàn)電器時(shí)，驗(yàn)電器的電會(huì)被引走；然而帶負(fù)電的驗(yàn)電器則不會(huì)發(fā)生類似情況。這表明了電流只能向一個(gè)方向流動(dòng)。188...

印度人賈格迪什·錢德拉·博斯在1894年成為了頭一個(gè)使用晶體檢測(cè)無(wú)線電波的科學(xué)家。他也在厘米和毫米級(jí)別對(duì)微波進(jìn)行了研究 [10] [11] 。1903年，格林里夫·惠特勒·皮卡德（ Greenleaf Whittier Pickard ）發(fā)明了硅晶檢波器，并在...

場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)：為了防止場(chǎng)效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿，要求一切測(cè)試儀器、工作臺(tái)、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時(shí)，先焊源極；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài)，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時(shí)，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地如采...