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創(chuàng)新性的解決方案：芯棄疾JX-8B數(shù)字ELISA 我公司推出的數(shù)字化高靈敏ELISA芯片檢測(cè)產(chǎn)品應(yīng)用場(chǎng)景：適合生物實(shí)驗(yàn)室、醫(yī)學(xué)實(shí)驗(yàn)室、科研市場(chǎng)、產(chǎn)品預(yù)研、產(chǎn)品開發(fā)、ELISA檢測(cè)、動(dòng)物病情檢測(cè)等各種應(yīng)用場(chǎng)景應(yīng)用范圍：各種高靈敏多重免疫檢測(cè)，可替代各種...

MEMS發(fā)展的目標(biāo)在于，通過微型化、集成化來探索新原理、新功能的元件和系統(tǒng)，開辟一個(gè)新技術(shù)領(lǐng)域和產(chǎn)業(yè)。MEMS可以完成大尺寸機(jī)電系統(tǒng)所不能完成的任務(wù)，也可嵌入大尺寸系統(tǒng)中，把自動(dòng)化、智能化和可靠性水平提高到一個(gè)新的水平。21世紀(jì)MEMS將逐步從實(shí)驗(yàn)室走向?qū)嵱没?..

在腦科學(xué)與精細(xì)醫(yī)療領(lǐng)域，公司開發(fā)的MEA柔性電極采用超薄MEMS工藝，兼具物相容性與高導(dǎo)電性，可定制化設(shè)計(jì)“觸凸”電極陣列，***降低植入式腦機(jī)接口的手術(shù)創(chuàng)傷，同時(shí)提升神經(jīng)信號(hào)采集的信噪比。針對(duì)藥物遞送與檢測(cè)需求，通過干濕結(jié)合刻蝕技術(shù)制備的微針器件，既可實(shí)現(xiàn)組...

MEMS特點(diǎn)： 1.微型化：MEMS器件體積小、重量輕、耗能低、慣性小、諧振頻率高、響應(yīng)時(shí)間短。 2.以硅為主要材料，機(jī)械電器性能優(yōu)良：硅的強(qiáng)度、硬度和楊氏模量與鐵相當(dāng)，密度類似鋁，熱傳導(dǎo)率接近鉬和鎢。 3.批量生產(chǎn)：用硅微加工工藝在一片...

MEMS發(fā)展的目標(biāo)在于，通過微型化、集成化來探索新原理、新功能的元件和系統(tǒng)，開辟一個(gè)新技術(shù)領(lǐng)域和產(chǎn)業(yè)。MEMS可以完成大尺寸機(jī)電系統(tǒng)所不能完成的任務(wù)，也可嵌入大尺寸系統(tǒng)中，把自動(dòng)化、智能化和可靠性水平提高到一個(gè)新的水平。21世紀(jì)MEMS將逐步從實(shí)驗(yàn)室走向?qū)嵱没?..

玻璃與硅片微流道精密加工：深圳市勃望初芯半導(dǎo)體科技有限公司依托深硅反應(yīng)離子刻蝕（DRIE）技術(shù)，實(shí)現(xiàn)玻璃與硅片基材的高精度微流道加工。針對(duì)玻璃芯片，通過光刻掩膜與氫氟酸濕法刻蝕工藝，可制備深寬比達(dá)10:1、表面粗糙度低于50nm的微通道網(wǎng)絡(luò)，適用于高通量單細(xì)胞...

單分子陣列化技術(shù)：磁珠捕獲與信號(hào)放大的**支撐，單分子陣列化技術(shù)作為數(shù)字ELISA芯片的底層架構(gòu)，通過微米級(jí)捕獲結(jié)構(gòu)與二次流原理，實(shí)現(xiàn)磁珠的高密度穩(wěn)定捕獲。在芯棄疾單分子芯片中，該技術(shù)使單個(gè)芯片承載數(shù)十萬磁珠，每個(gè)磁珠作為**反應(yīng)單元，***放大熒光信號(hào)，降低...

MEMS發(fā)展的目標(biāo)在于，通過微型化、集成化來探索新原理、新功能的元件和系統(tǒng)，開辟一個(gè)新技術(shù)領(lǐng)域和產(chǎn)業(yè)。MEMS可以完成大尺寸機(jī)電系統(tǒng)所不能完成的任務(wù)，也可嵌入大尺寸系統(tǒng)中，把自動(dòng)化、智能化和可靠性水平提高到一個(gè)新的水平。21世紀(jì)MEMS將逐步從實(shí)驗(yàn)室走向?qū)嵱没?..

微納結(jié)構(gòu)的多圖拼接測(cè)量技術(shù)：針對(duì)大尺寸微納結(jié)構(gòu)的完整表征，公司開發(fā)了多圖拼接測(cè)量技術(shù)，結(jié)合SEM與圖像算法實(shí)現(xiàn)亞微米級(jí)精度的全景成像。首先通過自動(dòng)平移臺(tái)對(duì)樣品進(jìn)行網(wǎng)格掃描，獲取多幅局部SEM圖像（分辨率5nm，視野范圍10-100μm）；然后利用特征點(diǎn)匹配算法...

MEMS超表面對(duì)特性的調(diào)控： 1.超表面meta-surface對(duì)偏振的調(diào)控：在偏振方面，超表面可實(shí)現(xiàn)偏振轉(zhuǎn)換、旋光、矢量光束產(chǎn)生等功能。 2.超表面meta-surface對(duì)振幅的調(diào)控。超表面可以實(shí)現(xiàn)光的非對(duì)稱透過、消反射、增透射、磁鏡、類E...

智能手機(jī)迎5G換機(jī)潮，傳感器及RFMEMS用量逐年提升。一方面，5G加速滲透，拉動(dòng)智能手機(jī)市場(chǎng)恢復(fù)增長(zhǎng)：今年10月份國(guó)內(nèi)5G手機(jī)出貨量占比已達(dá)64%；智能手機(jī)整體出貨量方面，在5G的帶動(dòng)下，根據(jù)IDC今年的預(yù)測(cè)，2021年智能手機(jī)出貨量相比2020年將增長(zhǎng)11...

MEMS具有以下幾個(gè)基本特點(diǎn)，微型化、智能化、多功能、高集成度和適于大批量生產(chǎn)。MEMS技術(shù)的目標(biāo)是通過系統(tǒng)的微型化、集成化來探索具有新原理、新功能的元件和系統(tǒng)。 MEMS技術(shù)是一種典型的多學(xué)科交叉的前沿性研究領(lǐng)域，幾乎涉及到自然及工程科學(xué)的所有領(lǐng)域，如電子技...

超聲影像芯片的全集成MEMS設(shè)計(jì)與性能突破：針對(duì)超聲PZT換能器及CMUT/PMUT新型傳感器的收發(fā)需求，公司開發(fā)了**SoC超聲收發(fā)芯片，采用0.18mm高壓SOI工藝實(shí)現(xiàn)發(fā)射與開關(guān)復(fù)用，大幅節(jié)省芯片面積的同時(shí)提升性能。在發(fā)射端，通過MEMS高壓驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)...

MEMS制作工藝-太赫茲超導(dǎo)混頻陣列的MEMS體硅集成天線與封裝技術(shù)： 太赫茲波是天文探測(cè)領(lǐng)域的重要波段，太赫茲波探測(cè)對(duì)提升人類認(rèn)知宇宙的能力有重要意義。太赫茲超導(dǎo)混頻接收機(jī)是具有代表性的高靈敏天文探測(cè)設(shè)備。天線及混頻芯片封裝是太赫茲接收前端系統(tǒng)的關(guān)...

芯棄疾JX-8B數(shù)字ELISA，多重超敏、微量極速、靈活開放，每個(gè)實(shí)驗(yàn)室都用得起的單分子免疫檢測(cè)產(chǎn)品 ，創(chuàng)新型多通道ELISA檢測(cè)； 芯棄疾JX-8B數(shù)字化高靈敏ELISA芯片檢測(cè)產(chǎn)品應(yīng)用場(chǎng)景：適合生物實(shí)驗(yàn)室、醫(yī)學(xué)實(shí)驗(yàn)室、科研市場(chǎng)、產(chǎn)品預(yù)研、產(chǎn)品開發(fā)...

微針器件的干濕法刻蝕與集成傳感：基于MEMS干濕法混合刻蝕工藝，公司開發(fā)出多尺度微針器件。通過光刻膠模板與各向異性刻蝕，制備前列曲率半徑<100nm、高度500微米的中空微針陣列，可無創(chuàng)穿透表皮提取組織間液。結(jié)合微注塑工藝，在微針內(nèi)部集成直徑10微米的流體通道...

硅基金屬電極加工工藝與生物相容性優(yōu)化：在硅片、LN（鈮酸鋰）、LT（鉭酸鋰）、藍(lán)寶石、石英等基板上加工金屬電極，需兼顧電學(xué)性能與生物相容性。公司采用濺射沉積與剝離工藝，首先在基板表面沉積50-200nm的鈦/金種子層，增強(qiáng)金屬與基板的附著力；然后旋涂光刻膠并曝...

PDMS金屬流道芯片的復(fù)合加工工藝：PDMS金屬流道芯片通過在柔性PDMS流道內(nèi)集成金屬鍍層，實(shí)現(xiàn)流體控制與電信號(hào)檢測(cè)的一體化設(shè)計(jì)。加工流程包括：首先利用軟光刻技術(shù)在硅模上制備50-200μm寬度的流道結(jié)構(gòu)，澆筑PDMS預(yù)聚體并固化成型；然后通過氧等離子體處理...

MEMS發(fā)展的目標(biāo)在于，通過微型化、集成化來探索新原理、新功能的元件和系統(tǒng)，開辟一個(gè)新技術(shù)領(lǐng)域和產(chǎn)業(yè)。MEMS可以完成大尺寸機(jī)電系統(tǒng)所不能完成的任務(wù)，也可嵌入大尺寸系統(tǒng)中，把自動(dòng)化、智能化和可靠性水平提高到一個(gè)新的水平。21世紀(jì)MEMS將逐步從實(shí)驗(yàn)室走向?qū)嵱没?..

MEMS制作工藝-太赫茲特性： 1.相干性由于它是由相千電流驅(qū)動(dòng)的電偶極子振蕩產(chǎn)生，或又相千的激光脈沖通過非線性光學(xué)頻率差頻產(chǎn)生，因此有很好的相干性。THz的相干測(cè)量技術(shù)能夠直接測(cè)量電場(chǎng)振幅和相位，從而方便提取檢測(cè)樣品的折射率，吸收系數(shù)等。 2...

創(chuàng)新性的解決方案：芯棄疾JX-8B數(shù)字ELISA 我公司推出的數(shù)字化高靈敏ELISA芯片檢測(cè)產(chǎn)品應(yīng)用場(chǎng)景：適合生物實(shí)驗(yàn)室、醫(yī)學(xué)實(shí)驗(yàn)室、科研市場(chǎng)、產(chǎn)品預(yù)研、產(chǎn)品開發(fā)、ELISA檢測(cè)、動(dòng)物病情檢測(cè)等各種應(yīng)用場(chǎng)景應(yīng)用范圍：各種高靈敏多重免疫檢測(cè)，可替代各種...

微納結(jié)構(gòu)的臺(tái)階儀與SEM測(cè)量技術(shù)：臺(tái)階儀與掃描電子顯微鏡（SEM）是微納加工中關(guān)鍵的計(jì)量手段，確保結(jié)構(gòu)尺寸與表面形貌符合設(shè)計(jì)要求。臺(tái)階儀采用觸針式或光學(xué)式測(cè)量，可精確獲取0.1nm-500μm高度范圍內(nèi)的輪廓信息，分辨率達(dá)0.1nm，適用于薄膜厚度、刻蝕深度、...

在MEMS微納加工領(lǐng)域，公司通過“材料創(chuàng)新+工藝突破”雙輪驅(qū)動(dòng)，為醫(yī)療健康、生物傳感等場(chǎng)景提供高精度、定制化的微納器件解決方案。公司依托逾700平米的6英寸MEMS產(chǎn)線，可加工玻璃、硅片、PDMS、硬質(zhì)塑料等多種基材的微納結(jié)構(gòu)，覆蓋從納米級(jí)（0.5-5μm）到...

新材料或?qū)⒊蔀閲?guó)產(chǎn)MEMS發(fā)展的新機(jī)會(huì)。截止到目前，硅基MEMS發(fā)展已經(jīng)有40多年的發(fā)展歷程，如何提高產(chǎn)品性能、降低成本是全球企業(yè)都在思考的問題，而基于新材料的MEMS器件則成為擺在眼前的大奶酪，PZT、氮化鋁、氧化釩、鍺等新材料MEMS器件的研究正在進(jìn)行中，...

創(chuàng)新性的解決方案：芯棄疾JX-8B數(shù)字ELISA 我公司推出的數(shù)字化高靈敏ELISA芯片檢測(cè)產(chǎn)品應(yīng)用場(chǎng)景：適合生物實(shí)驗(yàn)室、醫(yī)學(xué)實(shí)驗(yàn)室、科研市場(chǎng)、產(chǎn)品預(yù)研、產(chǎn)品開發(fā)、ELISA檢測(cè)、動(dòng)物病情檢測(cè)等各種應(yīng)用場(chǎng)景應(yīng)用范圍：各種高靈敏多重免疫檢測(cè)，可替代各種...

芯棄疾JX-8B數(shù)字ELISA產(chǎn)品 每個(gè)生物實(shí)驗(yàn)室都用得起的單分子免疫檢測(cè) 從TNF-α數(shù)字ELISA測(cè)定的檢測(cè)限為~150aM（2.5fg/mL），相當(dāng)于全血中的~600aM（10fg/mL）；市場(chǎng)上可用的ELISA對(duì)TNF-α的比較高靈敏度...

PDMS金屬流道芯片的復(fù)合加工工藝：PDMS金屬流道芯片通過在柔性PDMS流道內(nèi)集成金屬鍍層，實(shí)現(xiàn)流體控制與電信號(hào)檢測(cè)的一體化設(shè)計(jì)。加工流程包括：首先利用軟光刻技術(shù)在硅模上制備50-200μm寬度的流道結(jié)構(gòu)，澆筑PDMS預(yù)聚體并固化成型；然后通過氧等離子體處理...

基于MEMS技術(shù)的SAW器件的工作模式和原理： 聲表面波器件一般使用壓電晶體(例如石英晶體等)作為媒介，然后通過外加一正電壓產(chǎn)生聲波，并通過襯底進(jìn)行傳播，然后轉(zhuǎn)換成電信號(hào)輸出。聲表面波傳感器中起主導(dǎo)作用的主要是壓電效應(yīng)，其設(shè)計(jì)時(shí)需要考慮多種因素:如相...

硅基金屬電極加工工藝與生物相容性優(yōu)化：在硅片、LN（鈮酸鋰）、LT（鉭酸鋰）、藍(lán)寶石、石英等基板上加工金屬電極，需兼顧電學(xué)性能與生物相容性。公司采用濺射沉積與剝離工藝，首先在基板表面沉積50-200nm的鈦/金種子層，增強(qiáng)金屬與基板的附著力；然后旋涂光刻膠并曝...

MEMS制作工藝壓電器件的常用材料： 氧化鋅是一種眾所周知的寬帶隙半導(dǎo)體材料（室溫下3.4eV，晶體），它有很多應(yīng)用，如透明導(dǎo)體，壓敏電阻，表面聲波，氣體傳感器，壓電傳感器和UV檢測(cè)器。并因?yàn)榭赡軕?yīng)用于薄膜晶體管方面正受到相當(dāng)?shù)年P(guān)注。同時(shí)氧化鋅還具有...