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DDR（Double Data Rate）是一種常見(jiàn)的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）技術(shù)，它提供了較高的數(shù)據(jù)傳輸速度和帶寬。以下是DDR系統(tǒng)的概述： 架構(gòu)：DDR系統(tǒng)由多個(gè)組件組成，包括主板、內(nèi)存控制器、內(nèi)存槽和DDR內(nèi)存模塊。主板上的內(nèi)存控制器負(fù)責(zé)管理和控制DDR內(nèi)存模塊的讀寫(xiě)操作。數(shù)據(jù)傳輸方式：DDR采用雙倍數(shù)據(jù)傳輸率，即在每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)進(jìn)行兩次數(shù)據(jù)傳輸，相比于單倍數(shù)據(jù)傳輸率（SDR），DDR具有更高的帶寬。在DDR技術(shù)中，數(shù)據(jù)在上升沿和下降沿時(shí)都進(jìn)行傳輸，從而實(shí)現(xiàn)雙倍數(shù)據(jù)傳輸。速度等級(jí)：DDR技術(shù)有多個(gè)速度等級(jí)，如DDR-200、DDR-400、DDR2-800、DDR3-16...

可以通過(guò)AllegroSigritySI仿真軟件來(lái)仿真CLK信號(hào)。 (1)產(chǎn)品選擇：從產(chǎn)品菜單中選擇AllegroSigritySI產(chǎn)品。 (2)在產(chǎn)品選擇界面選項(xiàng)中選擇AllegroSigritySI(forboard)。 (3)在AllegroSigritySI界面中打開(kāi)DDR_case.brd文件。 (4)選擇菜單Setup-*Crosssection..,設(shè)置電路板層疊參數(shù)。 將DDRController和Memory器件的IBIS模型memorycontroller.ibs和memory.ibs文件放在當(dāng)前DDR_case.brd文件的同一目錄下，這...

使用SystemSI進(jìn)行DDR3信號(hào)仿真和時(shí)序分析實(shí)例 SystemSI是Cadence Allegro的一款系統(tǒng)級(jí)信號(hào)完整性仿真工具，它集成了 Sigrity強(qiáng)大的 電路板、封裝等互連模型及電源分布網(wǎng)絡(luò)模型的提取功能。目前SystemSI提供并行總線分析 和串行通道分析兩大主要功能模塊，本章介紹其中的并行總線分析模塊，本書(shū)第5章介紹串 行通道分析模塊。 SystemSI并行總線分析(Parallel Bus Analysis)模塊支持IBIS和HSPICE晶體管模型， 支持傳輸線模型、S參數(shù)模型和通用SPICE模型，支持非理想電源地的仿真分析。它擁有強(qiáng) 大的眼圖、信號(hào)質(zhì)量、信...

瀏覽選擇控制器的IBIS模型，切換到Bus Definition選項(xiàng)卡，單擊Add按鈕添加一 組新的Buso選中新加的一行Bus使其高亮，將鼠標(biāo)移動(dòng)到Signal Names下方高亮處，單擊 出現(xiàn)的字母E,打開(kāi)Signal列表。勾選組數(shù)據(jù)和DM信號(hào)，單擊0K按鈕確認(rèn)。 同樣，在Timing Ref下方高亮處，單擊出現(xiàn)的字母E打開(kāi)TimingRef列表。在這個(gè)列表 窗口左側(cè)，用鼠標(biāo)左鍵點(diǎn)選DQS差分線的正端，用鼠標(biāo)右鍵點(diǎn)選負(fù)端，單擊中間的“>>”按 鈕將選中信號(hào)加入TimingRefs,單擊OK按鈕確認(rèn)。 很多其他工具都忽略選通Strobe信號(hào)和時(shí)鐘Clock信號(hào)之間的時(shí)序分析功...

DDR信號(hào)的DC和AC特性要求之后，不知道有什么發(fā)現(xiàn)沒(méi)有?對(duì)于一般信號(hào)而言，DC和AC特性所要求(或限制)的就是信號(hào)的電平大小問(wèn)題。但是在DDR中的AC特性規(guī)范中，我們可以注意一下，其Overshoot和Undershoot指向的位置，到底代表什么含義?有些讀者可能已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，是沒(méi)有辦法從這個(gè)指示當(dāng)中獲得準(zhǔn)確的電壓值的。這是因?yàn)?，在DDR中，信號(hào)的AC特性所要求的不再是具體的電壓值，而是一個(gè)電源和時(shí)間的積分值。影面積所示的大小，而申壓和時(shí)間的積分值，就是能量!因此，對(duì)于DDR信號(hào)而言，其AC特性中所要求的不再是具體的電壓幅值大小，而是能量的大小!這一點(diǎn)是不同于任何一個(gè)其他信號(hào)體制的，而且能量信號(hào)...

DDR 規(guī)范的時(shí)序要求 在明確了規(guī)范中的 DC 和 AC 特性要求之后，下一步，我們還應(yīng)該了解規(guī)范中對(duì)于信號(hào)的時(shí)序要求。這是我們所設(shè)計(jì)的 DDR 系統(tǒng)能夠正常工作的基本條件。 在規(guī)范文件中，有很多時(shí)序圖，筆者大致計(jì)算了一下，有 40 個(gè)左右。作為高速電路設(shè)計(jì)的工程師，我們不可能也沒(méi)有時(shí)間去做全部的仿真波形來(lái)和規(guī)范的要求一一對(duì)比驗(yàn)證，那么哪些時(shí)序圖才是我們關(guān)注的重點(diǎn)？事實(shí)上，在所有的這些時(shí)序圖中，作為 SI 工程師，我們需要關(guān)注的只有兩個(gè)，那就是規(guī)范文件的第 69 頁(yè)，關(guān)于數(shù)據(jù)讀出和寫(xiě)入兩個(gè)基本的時(shí)序圖（注意，這里的讀出和寫(xiě)入是從 DDR 控制器，也即 FPGA 的角度來(lái)講的）。...

· 相關(guān)器件的應(yīng)用手冊(cè)，ApplicationNote：在這個(gè)文檔中，廠家一般會(huì)提出一些設(shè)計(jì)建議，甚至參考設(shè)計(jì)，有時(shí)該文檔也會(huì)作為器件手冊(cè)的一部分出現(xiàn)在器件手冊(cè)文檔中。但是在資料的搜集和準(zhǔn)備中，要注意這些信息是否齊備。 · 參考設(shè)計(jì)，ReferenceDesign：對(duì)于比較復(fù)雜的器件，廠商一般會(huì)提供一些參考設(shè)計(jì)，以幫助使用者盡快實(shí)現(xiàn)解決方案。有些廠商甚至?xí)苯犹峁┰韴D，用戶可以根據(jù)自己的需求進(jìn)行更改。 · IBIS 文件：這個(gè)對(duì)高速設(shè)計(jì)而言是必需的，獲得的方法前面已經(jīng)講過(guò)。 DDR3一致性測(cè)試是否適用于筆記本電腦上的內(nèi)存模塊？四川智能化多端口矩陣測(cè)試DDR3測(cè)試雙擊PCB模塊...

如果模型文件放在其他目錄下，則可以選擇菜單Analyze-Model Browser..,在界面里面單擊 Set Search Path按鈕，然后在彈出的界面里添加模型文件所在的目錄。 選擇菜單Analyze —Model Assignment..,在彈出的模型設(shè)置界面中找到U100 (Controller)來(lái)設(shè)置模型。 在模型設(shè)置界面中選中U100后，單擊Find Model...按鈕，在彈出來(lái)的界面中刪除 工具自認(rèn)的模型名BGA1295-40,將其用“*”取代，再單擊空白處或按下Tab鍵，在列岀的 模型文件中選中memorycontroller.ibs。 單擊Loa...

DDR 規(guī)范的時(shí)序要求 在明確了規(guī)范中的 DC 和 AC 特性要求之后，下一步，我們還應(yīng)該了解規(guī)范中對(duì)于信號(hào)的時(shí)序要求。這是我們所設(shè)計(jì)的 DDR 系統(tǒng)能夠正常工作的基本條件。 在規(guī)范文件中，有很多時(shí)序圖，筆者大致計(jì)算了一下，有 40 個(gè)左右。作為高速電路設(shè)計(jì)的工程師，我們不可能也沒(méi)有時(shí)間去做全部的仿真波形來(lái)和規(guī)范的要求一一對(duì)比驗(yàn)證，那么哪些時(shí)序圖才是我們關(guān)注的重點(diǎn)？事實(shí)上，在所有的這些時(shí)序圖中，作為 SI 工程師，我們需要關(guān)注的只有兩個(gè)，那就是規(guī)范文件的第 69 頁(yè)，關(guān)于數(shù)據(jù)讀出和寫(xiě)入兩個(gè)基本的時(shí)序圖（注意，這里的讀出和寫(xiě)入是從 DDR 控制器，也即 FPGA 的角度來(lái)講的）。...

瀏覽選擇控制器的IBIS模型，切換到Bus Definition選項(xiàng)卡，單擊Add按鈕添加一 組新的Buso選中新加的一行Bus使其高亮，將鼠標(biāo)移動(dòng)到Signal Names下方高亮處，單擊 出現(xiàn)的字母E,打開(kāi)Signal列表。勾選組數(shù)據(jù)和DM信號(hào)，單擊0K按鈕確認(rèn)。 同樣，在Timing Ref下方高亮處，單擊出現(xiàn)的字母E打開(kāi)TimingRef列表。在這個(gè)列表 窗口左側(cè)，用鼠標(biāo)左鍵點(diǎn)選DQS差分線的正端，用鼠標(biāo)右鍵點(diǎn)選負(fù)端，單擊中間的“>>”按 鈕將選中信號(hào)加入TimingRefs,單擊OK按鈕確認(rèn)。 很多其他工具都忽略選通Strobe信號(hào)和時(shí)鐘Clock信號(hào)之間的時(shí)序分析功...

單擊Next按鈕，出現(xiàn)Setup Trace Check Wizard窗口，確保網(wǎng)絡(luò)組的所有網(wǎng)絡(luò)都被選中, 單擊Finish按鈕。 單擊Save File with Error Check保存文件，保存結(jié)束后，單擊Start Simulation開(kāi)始仿 真。仿真完成后，仿真結(jié)果包括Workflow中Results and Report的所有內(nèi)容。如果在Setup Trace Check Parameters 的步驟 net selection 時(shí)選的是 check all signal nets 或者 check all enabled signal nets 模式，那么仿真結(jié)果...

閉賦模型窗口，在菜單中選擇 Analyze-*Preferences..,在 InterconnectModels 項(xiàng) 目欄中設(shè)置與提取耦合線模型相關(guān)的參數(shù)，如圖1?125所示。改變Min Coupled Length的值為 lOOmil,也就是說(shuō)當(dāng)耦合線長(zhǎng)度超過(guò)lOOmil時(shí)，按耦合模型提取，少于lOOmil時(shí)，按單線模 型提取。 單擊Via modeling setup按鈕，在過(guò)孔模型設(shè)置界面將Target Frequency設(shè)置成533 MHz (因?yàn)橐抡娴臅r(shí)鐘頻率是533MHz)。 單擊OK按鈕，關(guān)閉參數(shù)設(shè)置窗口。在菜單中選擇Analyze-*Probe..,在...

單擊View Topology按鈕進(jìn)入SigXplorer拓?fù)渚庉嫮h(huán)境，可以按前面161節(jié)反射 中的實(shí)驗(yàn)所學(xué)習(xí)的操作去編輯拓?fù)溥M(jìn)行分析。也可以單擊Waveforms..按鈕去直接進(jìn)行反射和 串?dāng)_的布線后仿真。 在提取出來(lái)的拓?fù)渲校O(shè)置Controller的輸出激勵(lì)為Pulse,然后在菜單Analyze- Preferences..界面中設(shè)置Pulse頻率等參數(shù)， 單擊OK按鈕退出參數(shù)設(shè)置窗口，單擊工具欄中的Signal Simulate進(jìn)行仿真分析， 在波形顯示界面里，只打開(kāi)器件U104 (近端顆粒)管腳上的差分波形進(jìn)行查看, 可以看到，差分時(shí)鐘波形邊沿正常，有一些反射。...

為了改善地址信號(hào)多負(fù)載多層級(jí)樹(shù)形拓?fù)湓斐傻男盘?hào)完整性問(wèn)題，DDR3/4的地址、控制、命令和時(shí)鐘信號(hào)釆用了Fly-by的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)種優(yōu)化了負(fù)載樁線的菊花鏈拓?fù)洹Ａ硗?，在主板加?nèi)存條的系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，DDR2的地址命令和控制信號(hào)一般需要在主板上加匹配電阻，而DDR3則將終端匹配電阻設(shè)計(jì)在內(nèi)存條上，在主板上不需要額外電阻，這樣可以方便主板布線，也可以使匹配電阻更靠近接收端。為了解決使用Fly-by拓?fù)鋵绗F(xiàn)的時(shí)鐘信號(hào)和選通信號(hào)“等長(zhǎng)”問(wèn)題,DDR3/4采用了WriteLeveling技術(shù)進(jìn)行時(shí)序補(bǔ)償，這在一定程度上降低了布線難度，特別是弱化了字節(jié)間的等長(zhǎng)要求。不同于以往DDRx使用的SSTL電平接口，新一代...

DDR（Double Data Rate）是一種常見(jiàn)的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）技術(shù)，它提供了較高的數(shù)據(jù)傳輸速度和帶寬。以下是DDR系統(tǒng)的概述： 架構(gòu)：DDR系統(tǒng)由多個(gè)組件組成，包括主板、內(nèi)存控制器、內(nèi)存槽和DDR內(nèi)存模塊。主板上的內(nèi)存控制器負(fù)責(zé)管理和控制DDR內(nèi)存模塊的讀寫(xiě)操作。數(shù)據(jù)傳輸方式：DDR采用雙倍數(shù)據(jù)傳輸率，即在每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)進(jìn)行兩次數(shù)據(jù)傳輸，相比于單倍數(shù)據(jù)傳輸率（SDR），DDR具有更高的帶寬。在DDR技術(shù)中，數(shù)據(jù)在上升沿和下降沿時(shí)都進(jìn)行傳輸，從而實(shí)現(xiàn)雙倍數(shù)據(jù)傳輸。速度等級(jí)：DDR技術(shù)有多個(gè)速度等級(jí)，如DDR-200、DDR-400、DDR2-800、DDR3-16...

重復(fù)步驟6至步驟9,設(shè)置Memory器件U101、U102、U103和U104的模型為 memory.ibs模型文件中的Generic器件。 在所要仿真的時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)中含有上拉電阻(R515和R518),在模型賦置界面中找到 這兩個(gè)電阻，其Device Type都是R0402 47R,可以選中R0402 47R對(duì)這類(lèi)模型統(tǒng)一進(jìn)行設(shè)置, (12) 選中R0402 47R后,選擇Create ESpice Model...按鈕,在彈出的界面中單擊OK按 鈕，在界面中設(shè)置電阻模型后，單擊OK按鈕賦上電阻模型。 同步驟11、步驟12,將上拉電源處的電容(C583)賦置的電容模型。 ...

DDR3拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)規(guī)劃：Fly?by拓?fù)溥€是T拓?fù)? DDR1/2控制命令等信號(hào)，均采用T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。到了 DDR3,由于信號(hào)速率提升，當(dāng)負(fù) 載較多如多于4個(gè)負(fù)載時(shí)，T拓?fù)湫盘?hào)質(zhì)量較差，因此DDR3的控制命令和時(shí)鐘信號(hào)均釆用 Fly.by拓?fù)?。下面是在某?xiàng)目中通過(guò)前仿真比較2片負(fù)載和4片負(fù)載時(shí)，T拓?fù)浜虵ly-by拓 撲對(duì)信號(hào)質(zhì)量的影響，仿真驅(qū)動(dòng)芯片為Altera芯片，IBIS文件 為arria5.ibs, DDR顆粒為Micron顆粒，IBIS模型文件為v70s.ibs。 分別標(biāo)示了兩種拓?fù)湎碌姆抡娌ㄐ魏脱蹐D，可以看到2片負(fù)載 時(shí)，F(xiàn)ly-by拓?fù)鋵?duì)DDR3控制和命令信號(hào)的改善作用...

那么在下面的仿真分析過(guò)程中，我們是不是可以就以這兩個(gè)圖中的時(shí)序要求作為衡量標(biāo)準(zhǔn)來(lái)進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)呢?答案是否定的，因?yàn)殡m然這個(gè)時(shí)序是規(guī)范中定義的標(biāo)準(zhǔn)，但是在系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)中，我們所使用的是Micron的產(chǎn)品，而后面系統(tǒng)是否能夠正常工作要取決干我們對(duì)Micron芯片的時(shí)序控制程度。所以雖然我們通過(guò)閱讀DDR規(guī)范文件了解到基本設(shè)計(jì)要求，但是具體實(shí)現(xiàn)的參數(shù)指標(biāo)要以Micron芯片的數(shù)據(jù)手冊(cè)為準(zhǔn)。換句話說(shuō)，DDR的工業(yè)規(guī)范是芯片制造商Micron所依據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)，而我們?cè)O(shè)計(jì)系統(tǒng)時(shí)，既然使用了Micron的產(chǎn)品，那么系統(tǒng)的性能指標(biāo)分析就要以Micron的產(chǎn)品為準(zhǔn)。所以，接下來(lái)的任務(wù)就是我們要在Micron的DDR芯片...

從DDR1、DDR2、DDR3至U DDR4,數(shù)據(jù)率成倍增加，位寬成倍減小，工作電壓持續(xù)降 低，而電壓裕量從200mV減小到了幾十毫伏?？偟膩?lái)說(shuō)，隨著數(shù)據(jù)傳輸速率的增加和電壓裕 量的降低，DDRx內(nèi)存子系統(tǒng)對(duì)信號(hào)完整性、電源完整性及時(shí)序的要求越來(lái)越高，這也給系 統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來(lái)了更多、更大的挑戰(zhàn)。 Bank> Rank及內(nèi)存模塊 1.BankBank是SDRAM顆粒內(nèi)部的一種結(jié)構(gòu)，它通過(guò)Bank信號(hào)BA(BankAddress)控制，可以把它看成是對(duì)地址信號(hào)的擴(kuò)展，主要目的是提高DRAM顆粒容量。對(duì)應(yīng)于有4個(gè)Bank的內(nèi)存顆粒，其Bank信號(hào)為BA[1:O],而高容量DDR2和DDR...

重復(fù)步驟6至步驟9,設(shè)置Memory器件U101、U102、U103和U104的模型為 memory.ibs模型文件中的Generic器件。 在所要仿真的時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)中含有上拉電阻(R515和R518),在模型賦置界面中找到 這兩個(gè)電阻，其Device Type都是R0402 47R,可以選中R0402 47R對(duì)這類(lèi)模型統(tǒng)一進(jìn)行設(shè)置, (12) 選中R0402 47R后,選擇Create ESpice Model...按鈕,在彈出的界面中單擊OK按 鈕，在界面中設(shè)置電阻模型后，單擊OK按鈕賦上電阻模型。 同步驟11、步驟12,將上拉電源處的電容(C583)賦置的電容模型。 ...

DDR 規(guī)范解讀 為了讀者能夠更好地理解 DDR 系統(tǒng)設(shè)計(jì)過(guò)程，以及將實(shí)際的設(shè)計(jì)需求和 DDR 規(guī)范中的主要性能指標(biāo)相結(jié)合，我們以一個(gè)實(shí)際的設(shè)計(jì)分析實(shí)例來(lái)說(shuō)明，如何在一個(gè) DDR 系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，解讀并使用 DDR 規(guī)范中的參數(shù)，應(yīng)用到實(shí)際的系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。是某項(xiàng)目中，對(duì) DDR 系統(tǒng)的功能模塊細(xì)化框圖。在這個(gè)系統(tǒng)中，對(duì) DDR 的設(shè)計(jì)需求如下。 DDR 模塊功能框圖· 整個(gè) DDR 功能模塊由四個(gè) 512MB 的 DDR 芯片組成，選用 Micron 的 DDR 存儲(chǔ)芯片 MT46V64M8BN-75。每個(gè) DDR 芯片是 8 位數(shù)據(jù)寬度，構(gòu)成 32 位寬的 2GBDDR 存...

重復(fù)步驟6至步驟9,設(shè)置Memory器件U101、U102、U103和U104的模型為 memory.ibs模型文件中的Generic器件。 在所要仿真的時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)中含有上拉電阻(R515和R518),在模型賦置界面中找到 這兩個(gè)電阻，其Device Type都是R0402 47R,可以選中R0402 47R對(duì)這類(lèi)模型統(tǒng)一進(jìn)行設(shè)置, (12) 選中R0402 47R后,選擇Create ESpice Model...按鈕,在彈出的界面中單擊OK按 鈕，在界面中設(shè)置電阻模型后，單擊OK按鈕賦上電阻模型。 同步驟11、步驟12,將上拉電源處的電容(C583)賦置的電容模型。 ...

DDR信號(hào)的DC和AC特性要求之后，不知道有什么發(fā)現(xiàn)沒(méi)有?對(duì)于一般信號(hào)而言，DC和AC特性所要求(或限制)的就是信號(hào)的電平大小問(wèn)題。但是在DDR中的AC特性規(guī)范中，我們可以注意一下，其Overshoot和Undershoot指向的位置，到底代表什么含義?有些讀者可能已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，是沒(méi)有辦法從這個(gè)指示當(dāng)中獲得準(zhǔn)確的電壓值的。這是因?yàn)?，在DDR中，信號(hào)的AC特性所要求的不再是具體的電壓值，而是一個(gè)電源和時(shí)間的積分值。影面積所示的大小，而申壓和時(shí)間的積分值，就是能量!因此，對(duì)于DDR信號(hào)而言，其AC特性中所要求的不再是具體的電壓幅值大小，而是能量的大小!這一點(diǎn)是不同于任何一個(gè)其他信號(hào)體制的，而且能量信號(hào)...

單擊Check Stackup,設(shè)置PCB板的疊層信息。比如每層的厚度(Thickness)、介 電常數(shù)(Permittivity (Er))及介質(zhì)損耗(LossTangent)。 單擊 Enable Trace Check Mode,確保 Enable Trace Check Mode 被勾選。在走線檢查 流程中，可以選擇檢查所有信號(hào)網(wǎng)絡(luò)、部分信號(hào)網(wǎng)絡(luò)或者網(wǎng)絡(luò)組(Net Gr。叩s)。可以通過(guò) Prepare Nets步驟來(lái)選擇需要檢查的網(wǎng)絡(luò)。本例釆用的是檢查網(wǎng)絡(luò)組。檢查網(wǎng)絡(luò)組會(huì)生成較詳 細(xì)的阻抗和耦合檢查結(jié)果。單擊Optional： Setup Net Groups,出現(xiàn)Set...

還可以給這個(gè)Bus設(shè)置一個(gè)容易區(qū)分的名字，例如把這個(gè)Byte改為ByteO,這樣就把 DQ0-DQ7, DM和DQS, DQS與Clock的總線關(guān)系設(shè)置好了。 重復(fù)以上操作，依次創(chuàng)建：DQ8?DQ15、DM1信號(hào)；DQS1/NDQS1選通和時(shí)鐘 CK/NCK的第2個(gè)字節(jié)Bytel,包括DQ16?DQ23、DM2信號(hào)；DQS2/NDQS2選通和時(shí)鐘 CK/NCK的第3個(gè)字節(jié)Byte2,包括DQ24?DQ31、DM3信號(hào)；DQS3/NDQS3選通和時(shí)鐘 CK/NCK的第4個(gè)字節(jié)Byte3。 開(kāi)始創(chuàng)建地址、命令和控制信號(hào)，以及時(shí)鐘信號(hào)的時(shí)序關(guān)系。因?yàn)闆](méi)有多個(gè)Rank, 所以本例將把地...

DDR3： DDR3釆用SSTL_15接口，I/O 口工作電壓為1.5V；時(shí)鐘信號(hào)頻率為400? 800MHz；數(shù)據(jù)信號(hào)速率為800?1600Mbps,通過(guò)差分選通信號(hào)雙沿釆樣；地址/命令/控制信 號(hào)在1T模式下速率為400?800Mbps,在2T模式下速率為200?400Mbps；數(shù)據(jù)和選通信號(hào) 仍然使用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)或樹(shù)形拓?fù)?，時(shí)鐘/地址/命令/控制信號(hào)則改用Fly-by的拓?fù)洳季€；數(shù)據(jù)和選 通信號(hào)有動(dòng)態(tài)ODT功能；使用Write Leveling功能調(diào)整時(shí)鐘和選通信號(hào)間因不同拓?fù)湟鸬?延時(shí)偏移，以滿足時(shí)序要求。是否可以通過(guò)調(diào)整時(shí)序設(shè)置來(lái)解決一致性問(wèn)題？海南DDR3測(cè)試項(xiàng)目有其特殊含義的，也是D...

DDR（Double Data Rate）是一種常見(jiàn)的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）標(biāo)準(zhǔn)。以下是對(duì)DDR規(guī)范的一些解讀：DDR速度等級(jí)：DDR規(guī)范中定義了不同的速度等級(jí)，如DDR-200、DDR-400、DDR2-800、DDR3-1600等。這些速度等級(jí)表示內(nèi)存模塊的速度和帶寬，通常以頻率來(lái)表示（例如DDR2-800表示時(shí)鐘頻率為800 MHz）。數(shù)據(jù)傳輸方式：DDR采用雙倍數(shù)據(jù)傳輸率，即在每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)進(jìn)行兩次數(shù)據(jù)傳輸，相比于單倍數(shù)據(jù)傳輸率（SDR），DDR具有更高的帶寬。時(shí)序要求：DDR規(guī)范定義了內(nèi)存模塊的各種時(shí)序要求，包括初始時(shí)序、數(shù)據(jù)傳輸時(shí)序、刷新時(shí)序等。這些時(shí)序要求確保內(nèi)存模塊能夠...

多數(shù)電子產(chǎn)品，從智能手機(jī)、PC到服務(wù)器，都用著某種形式的RAM存儲(chǔ)設(shè)備。由于相 對(duì)較低的每比特的成本提供了速度和存儲(chǔ)很好的結(jié)合，SDRAM作為大多數(shù)基于計(jì)算機(jī)產(chǎn)品 的主流存儲(chǔ)器技術(shù)被廣泛應(yīng)用于各種高速系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。 DDR是雙倍數(shù)率的SDRAM內(nèi)存接口，其規(guī)范于2000年由JEDEC （電子工程設(shè)計(jì)發(fā)展 聯(lián)合協(xié)會(huì)）發(fā)布。隨著時(shí)鐘速率和數(shù)據(jù)傳輸速率不斷增加帶來(lái)的性能提升，電子工程師在確 保系統(tǒng)性能指標(biāo)，或確保系統(tǒng)內(nèi)部存儲(chǔ)器及其控制設(shè)備的互操作性方面的挑戰(zhàn)越來(lái)越大。存 儲(chǔ)器子系統(tǒng)的信號(hào)完整性早已成為電子工程師重點(diǎn)考慮的棘手問(wèn)題。 DDR3一致性測(cè)試是否適用于筆記本電腦上的內(nèi)存模塊？多端口矩...

如果模型文件放在其他目錄下，則可以選擇菜單Analyze-Model Browser..,在界面里面單擊 Set Search Path按鈕，然后在彈出的界面里添加模型文件所在的目錄。 選擇菜單Analyze —Model Assignment..,在彈出的模型設(shè)置界面中找到U100 (Controller)來(lái)設(shè)置模型。 在模型設(shè)置界面中選中U100后，單擊Find Model...按鈕，在彈出來(lái)的界面中刪除 工具自認(rèn)的模型名BGA1295-40,將其用“*”取代，再單擊空白處或按下Tab鍵，在列岀的 模型文件中選中memorycontroller.ibs。 單擊Loa...

DDR3拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)規(guī)劃：Fly?by拓?fù)溥€是T拓?fù)? DDR1/2控制命令等信號(hào)，均采用T拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。到了 DDR3,由于信號(hào)速率提升，當(dāng)負(fù) 載較多如多于4個(gè)負(fù)載時(shí)，T拓?fù)湫盘?hào)質(zhì)量較差，因此DDR3的控制命令和時(shí)鐘信號(hào)均釆用 Fly.by拓?fù)?。下面是在某?xiàng)目中通過(guò)前仿真比較2片負(fù)載和4片負(fù)載時(shí)，T拓?fù)浜虵ly-by拓 撲對(duì)信號(hào)質(zhì)量的影響，仿真驅(qū)動(dòng)芯片為Altera芯片，IBIS文件 為arria5.ibs, DDR顆粒為Micron顆粒，IBIS模型文件為v70s.ibs。 分別標(biāo)示了兩種拓?fù)湎碌姆抡娌ㄐ魏脱蹐D，可以看到2片負(fù)載 時(shí)，F(xiàn)ly-by拓?fù)鋵?duì)DDR3控制和命令信號(hào)的改善作用...