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發(fā)布時(shí)間:2025-08-20
某半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室采用 Polos 光刻機(jī)開發(fā)氮化鎵(GaN)基高電子遷移率晶體管(HEMT)。其激光直寫技術(shù)在藍(lán)寶石襯底上實(shí)現(xiàn)了 50nm 柵極長度的precise曝光,較傳統(tǒng)光刻工藝線寬偏差降低 60%。通過自定義多晶硅柵極圖案,器件的電子遷移率達(dá) 2000 cm/(Vs),擊穿電壓提升至 1200V,遠(yuǎn)超商用產(chǎn)品水平。該技術(shù)還被用于 SiC 基功率器件的臺面刻蝕,刻蝕深度均勻性誤差小于 ±3%,助力我國新能源汽車電控系統(tǒng)core器件的國產(chǎn)化突破。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。微流體3D成型:復(fù)雜流道快速曝光,助力tumor篩查芯片與藥物遞送系統(tǒng)研發(fā)。湖北POLOSBEAM光刻機(jī)
低成本桌面化光刻:SPS POLOS 的科研普惠!Polos系列在微流體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)復(fù)雜3D流道結(jié)構(gòu)的快速成型。例如,中科院理化所利用類似技術(shù)制備跨尺度微盤陣列,研究細(xì)胞浸潤行為,為組織工程提供新策略3。Polos的高精度與靈活性支持仿生結(jié)構(gòu)批量生產(chǎn),推動(dòng)醫(yī)療診斷芯片研發(fā),如tumor篩查與藥物遞送系統(tǒng)的微型化64。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。湖北POLOSBEAM光刻機(jī)軟件高效兼容:BEAM Xplorer支持GDS文件導(dǎo)入,簡化復(fù)雜圖案設(shè)計(jì)流程。
某材料科學(xué)研究中心在探索新型納米復(fù)合材料的性能時(shí),需要在材料表面構(gòu)建特殊的納米圖案。德國 Polos 光刻機(jī)成為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的得力工具。研究人員利用其無掩模激光光刻技術(shù),在不同的納米材料表面制作出各種周期性和非周期性的圖案結(jié)構(gòu)。經(jīng)過測試發(fā)現(xiàn),帶有特定圖案的納米復(fù)合材料,其電學(xué)、光學(xué)和力學(xué)性能發(fā)生了remarkable改變。例如,一種原本光學(xué)性能普通的納米材料,在經(jīng)過 Polos 光刻機(jī)處理后,對特定波長光的吸收率提高了 30%,為開發(fā)新型光電器件和光學(xué)傳感器提供了新的材料選擇和設(shè)計(jì)思路 。
SPS POLOS 以桌面化設(shè)計(jì)降低設(shè)備投入成本,無需掩膜制備費(fèi)用。其光束引擎通過壓電驅(qū)動(dòng)快速掃描,單次寫入?yún)^(qū)域達(dá)400 m,支持光刻膠如AZ5214E的高效曝光。研究案例顯示,該設(shè)備成功制備了間距3 m的微圖案陣列和叉指電容器,助力納米材料與柔性電子器件的快速原型驗(yàn)證。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級圖案化,無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下,將該技術(shù)帶到了桌面上,進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢。無掩模技術(shù)優(yōu)勢:摒棄傳統(tǒng)掩模,圖案實(shí)時(shí)調(diào)整,研發(fā)成本降低 70%,小批量生產(chǎn)經(jīng)濟(jì)性突出。
Polos系列通過無掩模技術(shù)減少化學(xué)廢料產(chǎn)生,同時(shí)低能耗設(shè)計(jì)(如固態(tài)激光光源)符合綠色實(shí)驗(yàn)室標(biāo)準(zhǔn)。例如,其光源系統(tǒng)較傳統(tǒng)DUV光刻機(jī)能耗降低30%,助力科研機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)碳中和目標(biāo)。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。能源收集:微型壓電收集器效率 35%,低頻振動(dòng)發(fā)電支持無源物聯(lián)網(wǎng)。四川德國PSP-POLOS光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米
微流體領(lǐng)域:支持 1-100μm 微通道定制,助力organ芯片血管網(wǎng)絡(luò)precise建模。湖北POLOSBEAM光刻機(jī)
在微流體領(lǐng)域,Polos系列光刻機(jī)通過無掩模技術(shù)實(shí)現(xiàn)了復(fù)雜3D流道結(jié)構(gòu)的快速成型。例如,中科院理化所利用類似技術(shù)制備跨尺度微盤陣列,研究細(xì)胞球浸潤行為,為組織工程提供了新型生物界面設(shè)計(jì)策略10。Polos設(shè)備的精度與靈活性可支持此類仿生結(jié)構(gòu)的批量生產(chǎn),推動(dòng)醫(yī)療診斷芯片的研發(fā)。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級圖案化,無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下,將該技術(shù)帶到了桌面上,進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢。湖北POLOSBEAM光刻機(jī)
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