大尺寸晶圓的高效處理：Polos-BESM XL的優(yōu)勢！Polos-BESM XL Mk2專為6英寸晶圓設計，寫入區(qū)域達155×155 mm，平臺重復性精度0.1 m，滿足工業(yè)級需求。搭配20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭，實時觀測與多層對準功能使其成為光子晶體和柔性電子器件研究的理想工具。其BEAM Xplorer軟件簡化復雜圖案設計，內置高性能筆記本實現(xiàn)快速數(shù)據(jù)處理62。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。實時觀測系統(tǒng)：120 FPS高清攝像頭搭配20x尼康物鏡，實現(xiàn)加工過程動態(tài)監(jiān)控。河南BEAM-XL光刻機不需要緩慢且昂貴的光掩模
植入式神經電極需要兼具生物相容性與導電性能，表面微圖案可remarkable影響細胞 - 電極界面。Polos 光刻機在鉑銥合金電極表面刻制出 10μm 間距的蜂窩狀微孔，某神經工程團隊發(fā)現(xiàn)該結構使神經元突觸密度提升 20%，信號采集噪聲降低 35%。其無掩模特性支持根據(jù)不同腦區(qū)結構定制電極陣列，在大鼠海馬區(qū)電生理實驗中，單神經元信號識別率從 60% 提升至 85%，為腦機接口技術的臨床轉化奠定了硬件基礎。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。重慶POLOSBEAM-XL光刻機可以自動聚焦波長高頻元件驗證：成功開發(fā)射頻器件與IDC電容器，加速國產芯片產業(yè)鏈突破。
低成本桌面化光刻：SPS POLOS 的科研普惠！Polos系列在微流體領域實現(xiàn)復雜3D流道結構的快速成型。例如，中科院理化所利用類似技術制備跨尺度微盤陣列，研究細胞浸潤行為，為組織工程提供新策略3。Polos的高精度與靈活性支持仿生結構批量生產，推動醫(yī)療診斷芯片研發(fā)，如tumor篩查與藥物遞送系統(tǒng)的微型化64。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。
在制備用于柔性顯示的納米壓印模板時，Polos 光刻機的亞微米級定位精度（±50nm）確保了圖案的均勻復制。某光電實驗室使用該設備，在石英基底上刻制出周期 100nm 的柱透鏡陣列，模板的圖案保真度達 99.8%，邊緣缺陷率低于 0.1%�；诖四０迳a的柔性 OLED 背光模組，亮度均勻性提升至 98%，厚度減至 50μm，成功應用于下一代折疊屏手機，相關技術已授權給三家面板制造商。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。無掩模技術優(yōu)勢：摒棄傳統(tǒng)掩模，圖案實時調整，研發(fā)成本降低 70%，小批量生產經濟性突出。
石墨烯、二硫化鉬等二維材料的器件制備依賴高精度圖案轉移，Polos 光刻機的激光直寫技術避免了傳統(tǒng)濕法轉移的污染問題。某納米電子實驗室在 SiO基底上直接曝光出 10nm 間隔的電極陣列，成功制備出石墨烯場效應晶體管，其電子遷移率達 2×10 cm/(Vs)，接近理論極限。該技術支持快速構建多種二維材料異質結，使器件研發(fā)效率提升 5 倍，相關成果推動二維材料在柔性電子、量子計算領域的應用研究進入快車道。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。未來技術儲備：持續(xù)研發(fā)光束整形與多材料兼容工藝，lead微納制造前沿。上海BEAM-XL光刻機MAX層厚可達到10微米
圖案靈活性：支持 STL 模型直接導入，30 分鐘完成從設計到曝光全流程。河南BEAM-XL光刻機不需要緩慢且昂貴的光掩模
上海有機化學研究所通過光刻技術制備多組分納米纖維，實現(xiàn)了功能材料的精確組裝。類似地，Polos系列設備可支持此類結構的可控加工，為新能源器件（如柔性電池）和智能材料提供技術基礎3。設備的高重復性（0.1 m）確保了科研成果的可轉化性。掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優(yōu)勢。河南BEAM-XL光刻機不需要緩慢且昂貴的光掩模
