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TL594IPWRG4穩(wěn)壓IC

來源： 發(fā)布時(shí)間：2023-05-24
取消繞組-TI穩(wěn)壓IC技術(shù)專題

與非隔離變流器不同，隔離邊界上的額外發(fā)射路徑是隔離變流器***模（CM）EMI的關(guān)鍵原因。下頁的圖14顯示了標(biāo)準(zhǔn)反激變換器中隔離變壓器上存在的寄生電容。CM電流可通過與每個(gè)開關(guān)節(jié)點(diǎn)相關(guān)的寄生電容直接從一次側(cè)流向接地。由于繞組之間的寄生電容，CM電流也從初級(jí)流向次級(jí)，導(dǎo)致測(cè)量的CM EMI增加。按照慣例，您可以通過在輸入功率路徑中使用大型CM扼流圈來衰減這種額外干擾。

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真回轉(zhuǎn)率控制
盡管有上述技術(shù)，在一些設(shè)計(jì)中，高頻EMI（60至250 MHz）可能仍不在規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)限值范圍內(nèi)。為了通過行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，減輕和提高裕度的一種方法是使用與開關(guān)轉(zhuǎn)換器的啟動(dòng)電容串聯(lián)的電阻器。使用電阻器可以降低開關(guān)邊緣轉(zhuǎn)換率，從而降低EMI，但會(huì)帶來效率降低的預(yù)期損失。
LM61440-Q1和LM62440-Q1等開關(guān)轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)使得可以使用電阻器來選擇高側(cè)FET驅(qū)動(dòng)器在開啟期間的強(qiáng)度。如下頁圖22所示，通過RBOOT引腳（teal虛線環(huán)）的電流被倍增，并從CBOOT（紅色虛線）穿過，以打開高壓側(cè)功率MOSFET。通過這樣做，電阻器可以控制轉(zhuǎn)換速率，但不會(huì)遭受串聯(lián)啟動(dòng)電阻器運(yùn)行大部分電流時(shí)發(fā)生的效率損失。當(dāng)RBOOT對(duì)CBOOT短路時(shí)，上升時(shí)間很快；開關(guān)節(jié)點(diǎn)諧波在高于150 MHz之前不會(huì)衰減。如果CBOOT和RBOOT通過700Ω保持連接，則在將13.5 V轉(zhuǎn)換為5 V時(shí)，回轉(zhuǎn)時(shí)間將增加到10 ns。此緩慢上升時(shí)間可使開關(guān)節(jié)點(diǎn)諧波中的能量在大多數(shù)情況下在50 MHz附近衰減。
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德州儀器 穩(wěn)壓IC技術(shù)專題

圖13顯示了在400 kHz開關(guān)頻率下運(yùn)行的buck變換器的EMI測(cè)量結(jié)果，比較了有源和無源EMI濾波方法。為了有效滿足CISPR 25 5級(jí)頻譜屏蔽，無源EMI濾波器需要一個(gè)3.3μH的DM電感和一個(gè)10μF的DM電容。有源濾波方法可以通過*1μH的DM電感器以及100 nF的傳感和注入電容實(shí)現(xiàn)相同的有效衰減。這有助于將無源濾波器的大小和體積分別減小到原始值的43%和27%。對(duì)于更大電流的轉(zhuǎn)換器，可以通過降低電感直流電阻來獲得成本和效率方面的進(jìn)一步好處。

升壓升壓轉(zhuǎn)換器-數(shù)據(jù)表規(guī)定了-穩(wěn)壓IC

集成功率MOSFET開關(guān)?？蓪?shí)現(xiàn)的實(shí)際輸出電流的粗略估計(jì)是占空比的函數(shù)，可以使用以下公式進(jìn)行估計(jì)：IOUT=0.65xISwitch（**?。﹛（VIN/VOUT）降壓升壓轉(zhuǎn)換器-ADC/DC轉(zhuǎn)換器必須能夠在所有可能的輸入電壓條件下調(diào)節(jié)輸出電壓，無論VIN高于或低于VOUT。

TI的單電感buck-boost變換器在芯片上集成了四個(gè)功率MOSFET，以節(jié)省空間并在操作模式之間無縫過渡。

分軌變流器-TPS6513x分軌系列的每個(gè)成員

轉(zhuǎn)換器（+VOUT1/–VOUT2）從一個(gè)輸入軌產(chǎn)生調(diào)節(jié)的正負(fù)電源電壓。這降低了BOM成本和空間，同時(shí)為工業(yè)和汽車應(yīng)用提供了前列的性能。 電源IC、穩(wěn)壓IC就找特克電子，德州儀器、亞德諾、英飛凌原裝現(xiàn)貨，期待您的光臨！

數(shù)據(jù)表SMPS設(shè)備評(píng)估模塊中公布的傳導(dǎo)和輻射EMI結(jié)果根據(jù)**嚴(yán)格的工業(yè)和汽車EMI標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測(cè)試，數(shù)據(jù)表中公布的結(jié)果有助于您提前了解設(shè)備的EMI性能。您可以通過單擊設(shè)備數(shù)據(jù)表第一頁上的“針對(duì)**EMI要求進(jìn)行了優(yōu)化”來訪問詳細(xì)的EMI報(bào)告。LM62440-Q1數(shù)據(jù)表中的EMI報(bào)告包括CISPR 25 5級(jí)傳導(dǎo)和輻射設(shè)置的完整數(shù)據(jù)。
此外，TI可以在內(nèi)部執(zhí)行系統(tǒng)級(jí)EMI建模和測(cè)量，以幫助您驗(yàn)證EMI性能并加快循環(huán)時(shí)間。
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增強(qiáng)型熱棒? QFN公司
增強(qiáng)型HotRod quad flat no lead（QFN）封裝提供了HotRod封裝的所有EMI降低功能，并具有更低開關(guān)節(jié)點(diǎn)電容的額外優(yōu)勢(shì)，從而大降低了振鈴。在具有增強(qiáng)型熱棒QFN的設(shè)備中，寄生在輸入電壓（VIN）和接地（GND）引腳上的電阻-導(dǎo)體-電容器（RLC）也較低
與HotRod軟件包相比。
LM60440-Q1降壓轉(zhuǎn)換器采用增強(qiáng)型熱棒QFN，下頁圖18顯示了引腳和電路板布局。增強(qiáng)型HotRod QFN不僅提高了效率，還包括封裝中心有一個(gè)大型模具連接墊（DAP）的封裝外形。與熱棒封裝相比，DAP有助于通過PCB更好地散熱，并將結(jié)溫升高降低15%以上。此外，VIN、GND和開關(guān)節(jié)點(diǎn)引腳上較低的RLC寄生也會(huì)提高效率并降低EMI。正如預(yù)期的那樣，這會(huì)產(chǎn)生更好的EMI，尤其是在交換機(jī)節(jié)點(diǎn)振鈴頻帶周圍
如下圖19所示。
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