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在變壓器的設(shè)計(jì)中，銅和鐵的用量可以均衡考慮。因?yàn)橐坏┳儔浩鞯娜萘看_定了，電流就確定了，導(dǎo)線的粗細(xì)也就確定了，增大匝數(shù)W，磁通Φ就可以小一些，鐵芯的截面積就可以小一些，但是要把這些匝數(shù)繞進(jìn)去，鐵芯的窗口要大一些；相反，減小匝數(shù)W，磁通Φ就要大一些，鐵芯的截面積要...

IGBT的應(yīng)用范圍一般都在耐壓600V以上、電流10A以上、頻率為1kHz以上的區(qū)域。多使用在工業(yè)用電機(jī)、民用小容量電機(jī)、變換器（逆變器）、照相機(jī)的頻閃觀測(cè)器、感應(yīng)加熱（InductionHeating）電飯鍋等領(lǐng)域。根據(jù)封裝的不同，IGBT大致分為兩種類型，...

表1 IGBT門極驅(qū)動(dòng)條件與器件特性的關(guān)系由于IGBT的開(kāi)關(guān)特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅(qū)動(dòng)電路的變化而變化，因而驅(qū)動(dòng)電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作。IGBT對(duì)其驅(qū)動(dòng)電路提出了以下要求。1)向IGBT提供適當(dāng)?shù)恼驏艍骸２⑶以?..

通常，小規(guī)模的ipm的特點(diǎn)在于其引線框架技術(shù)。穿孔銅板用作功率開(kāi)關(guān)和驅(qū)動(dòng)ic的載體。通過(guò)一層薄薄的塑料或絕緣金屬板進(jìn)行散熱。 用于中高功率應(yīng)用的ipm模塊的設(shè)計(jì)特點(diǎn)是將模塊分為兩個(gè)層次。功率半導(dǎo)體在底部，驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)電路在上部。本領(lǐng)域內(nèi)名氣比較大的ipm是賽...

（3）器身：器身絕緣墊塊均采用**度的層壓木和層壓紙板支撐，使繞組的端部的支撐面積達(dá)到95%以上，進(jìn)一步提高了產(chǎn)品抗短路能力，提高產(chǎn)品的運(yùn)行可靠性。器身與箱蓋的連接采用了呆板帶緩沖結(jié)構(gòu)，克服了器身“懸空”和“頂蓋”現(xiàn)象。絕緣材料均采用**度、高密度電纜紙包繞，...

晶閘管模塊：現(xiàn)代電力電子技術(shù)的關(guān)鍵器件在當(dāng)今的電力電子技術(shù)領(lǐng)域，晶閘管模塊作為一種關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件，扮演著舉足輕重的角色。它不僅在整流、調(diào)壓、逆變等電力轉(zhuǎn)換過(guò)程中發(fā)揮著重要作用，還在眾多工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域中展現(xiàn)了其獨(dú)特的價(jià)值和優(yōu)勢(shì)。本文將深入探討晶閘管模塊的基本...

冊(cè)中所給出的輸入電容Cies值近似地估算出門極電荷：如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的認(rèn)為Cin=4.5Cies，門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [...

跨越施工前應(yīng)由技術(shù)負(fù)責(zé)人按線路施工圖中交叉跨越點(diǎn)斷面圖，對(duì)跨越點(diǎn)交叉角度、被跨越不停電電力線路架空地線在交叉點(diǎn)的對(duì)地高度、下導(dǎo)線在交叉點(diǎn)的對(duì)地高度、導(dǎo)線邊線間寬度、地形情況進(jìn)行復(fù)測(cè)。根據(jù)復(fù)測(cè)結(jié)果，選擇跨越施工方案。(1) 跨越不停電電力線，在架線施工前，施工單...

導(dǎo)通壓降電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)使電阻RN減小，使通態(tài)壓降小。關(guān)斷當(dāng)在柵極施加一個(gè)負(fù)偏壓或柵壓低于門限值時(shí)，溝道被禁止，沒(méi)有空穴注入N-區(qū)內(nèi)。在任何情況下，如果MOSFET電流在開(kāi)關(guān)階段迅速下降，集電極電流則逐漸降低，這是因?yàn)閾Q向開(kāi)始后，在N層內(nèi)還存在少數(shù)的載流子（少子）...

建筑與家用電器：在建筑照明系統(tǒng)中，晶閘管模塊通過(guò)智能模塊精確控制燈光亮度，可以實(shí)現(xiàn)節(jié)能環(huán)保的效果。同時(shí)，在空調(diào)、洗衣機(jī)、微波爐等家電中，晶閘管模塊用于實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確的溫控和能耗管理，提高了設(shè)備的使用壽命和可靠性。醫(yī)療設(shè)備：晶閘管模塊用于控制X射線機(jī)、CT掃描儀等設(shè)備...

[3](2)如果主電極T2仍加正向電壓，而把觸發(fā)信號(hào)改為反向信號(hào)(圖5b)，這時(shí)雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后，通態(tài)電流的方向仍然是從T2到T1。我們把這種觸發(fā)叫做“***象限的負(fù)觸發(fā)”或稱為I-觸發(fā)方式。(3)兩個(gè)主電極加上反向電壓U12(圖5c)，輸入正向觸發(fā)信號(hào)，...

常用的不控整流電路有四種。三相半波電路（圖2a）指在電源一個(gè)周期內(nèi)有三個(gè)二極管輪流導(dǎo)電，就可得到三脈波整流電壓。該電路優(yōu)點(diǎn)是接線簡(jiǎn)單，但變壓器次級(jí)繞組的導(dǎo)電角*120°，因此繞組的利用率較低，而且電流是單方向的，它的直流分量形成直流安匝的磁通勢(shì)并產(chǎn)生較大的漏磁...

IGBT電源模塊是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，其**由MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和GTR（巨型晶體管）復(fù)合結(jié)構(gòu)組成，兼具高輸入阻抗與低導(dǎo)通壓降的優(yōu)勢(shì)。該模塊廣泛應(yīng)用于高壓變流系統(tǒng)，包括工業(yè)變頻器、電力牽引傳動(dòng)裝置及智能電網(wǎng)設(shè)備等...

對(duì)稱式多脈沖整流就是整流橋輸出的電壓是相等的，各整流橋之間是并列關(guān)系，它們相互之間互不干擾；不對(duì)稱式結(jié)構(gòu)是整流橋在工作時(shí)整流橋相互之間是主從關(guān)系，主整流橋傳輸大部分功率，輔整流橋傳輸部分功率，主整流橋和輔整流橋之間會(huì)相互影響。但對(duì)稱式結(jié)構(gòu)增加了平衡電抗器。 [...

多脈沖整流是指在一個(gè)三相電源系統(tǒng)中，輸出直流電壓在一個(gè)周期內(nèi)多于6個(gè)波頭，通常有12、18、24脈沖。多脈沖整流器通常由移相整流變壓器和整流橋兩部分組成。輸入三相電壓通過(guò)變壓器移相，產(chǎn)生幾組三相電壓輸出到整流橋。多組三相整流橋相互連接，使得整流橋電路產(chǎn)生的諧波...

四、直流輸電用這類整流變壓器的電壓一般在110kV以上，容量在數(shù)萬(wàn)千伏安。需特別注意對(duì)地絕緣的交、直流疊加問(wèn)題。 此外還有電鍍用或電加工用直流電源，勵(lì)磁用直流電源，充電用及靜電除塵用直流電源等。應(yīng)用整流變**多的化學(xué)行業(yè)中，大功率整流裝置也是二次電壓低，電流...

· 驅(qū)動(dòng)器的比較大輸出門極電容量必須能夠提供所需的門極電荷以對(duì)IGBT 的門極充放電。在POWER-SEM 驅(qū)動(dòng)器的數(shù)據(jù)表中，給出了每脈沖的比較大輸出電荷，該值在選擇驅(qū)動(dòng)器時(shí)必須要考慮。另外在IGBT驅(qū)動(dòng)器選擇中還應(yīng)該注意的參數(shù)包括絕緣電壓Visol IO 和...

1979年，MOS柵功率開(kāi)關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個(gè)類晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成)，其特點(diǎn)是通過(guò)強(qiáng)堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期，用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS(雙擴(kuò)散形成的金屬-氧化物-半導(dǎo)...

“雙向可控硅”：是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅，而且*需一個(gè)觸發(fā)電路，是比較理想的交流開(kāi)關(guān)器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開(kāi)關(guān)之意。雙向可控硅為什么稱為“TRIAC”?三端：TRIode(取**個(gè)字母)交流半導(dǎo)體開(kāi)...

一、結(jié)構(gòu)與工作原理結(jié)構(gòu)：晶閘管是由四層半導(dǎo)體材料（P-N-P-N）組成的三端器件，具有三個(gè)電極：陽(yáng)極（A）、陰極（K）和控制極或稱為門極（G）。工作原理：當(dāng)陽(yáng)極接正向電壓，而控制極無(wú)觸發(fā)電壓或觸發(fā)電壓不足以使內(nèi)部的三極管導(dǎo)通時(shí)，晶閘管處于阻斷狀態(tài)，電流不能流過(guò)...

在這r1個(gè)分段TCR中，只有一個(gè)分段TCR的觸發(fā)角是受控的，其他的分段TCR要么是全導(dǎo)通，要么是全關(guān)斷，以吸收制定量的無(wú)功功率。由于每個(gè)分段TCR的電感增加了rl倍，因此受控TCR的容量就減小了n倍，受控TCR產(chǎn)生的諧波相對(duì)于額定基波電流也減小了n倍。采用上述...

橋式電路的特點(diǎn)是整流橋中有兩組：共陰極組和共陽(yáng)極組，兩組共同串聯(lián)到負(fù)載上，因此適宜在高電壓、小電流情況下運(yùn)行。如果電源大小合適，可不用變壓器。在低電壓、大電流情況下運(yùn)行應(yīng)是兩組三相半波電路的并聯(lián)結(jié)線（圖2d）。并聯(lián)后，利用變壓器繞組的適當(dāng)連接，消除了直流磁化，...

[3](2)如果主電極T2仍加正向電壓，而把觸發(fā)信號(hào)改為反向信號(hào)(圖5b)，這時(shí)雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后，通態(tài)電流的方向仍然是從T2到T1。我們把這種觸發(fā)叫做“***象限的負(fù)觸發(fā)”或稱為I-觸發(fā)方式。(3)兩個(gè)主電極加上反向電壓U12(圖5c)，輸入正向觸發(fā)信號(hào)，...

TCR的響應(yīng)迅速，典型的響應(yīng)時(shí)間為1．5～3個(gè)周期。實(shí)際的響應(yīng)時(shí)間是測(cè)量延遲、TCR控制器的參數(shù)和系統(tǒng)強(qiáng)度的函數(shù)。如果對(duì)TCR采用電壓控制的正常運(yùn)行區(qū)域就被壓縮到一條特性曲線上。這種特性曲線體現(xiàn)了補(bǔ)償器的硬電壓控制特性，它將系統(tǒng)電壓精確地穩(wěn)定在電壓設(shè)定值%上。...

廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：直流拖動(dòng)、軋鋼、電解、電鍍機(jī)床、造紙、紡織、勵(lì)磁、低壓大電流工業(yè)電爐等領(lǐng)域。整流器運(yùn)行操作流程：1、接通交流電源，控制電源與主開(kāi)關(guān)電源相序同步，將“2SA”按鈕置于啟動(dòng)位置， “給定” 電位器旋至**小位置。2、合上交流接觸器、運(yùn)行指示燈亮...

TCR的作用就像一個(gè)可變電納，改變觸發(fā)角就可以改變電納值，因?yàn)樗拥慕涣麟妷菏呛愣ǖ?，改變電納值就可以改變基波電流，從而導(dǎo)致電抗器吸收無(wú)功功率的變化。但是，當(dāng)觸發(fā)角超過(guò)90°以后，電流變?yōu)榉钦业?，隨之就產(chǎn)生諧波。如果兩個(gè)晶閘管在正半波和負(fù)半波對(duì)稱觸發(fā)，就只會(huì)...

4、故障解除：當(dāng)整流器故障時(shí)，發(fā)出燈光報(bào)警信號(hào)并停機(jī)，操作人員應(yīng)在排除故障以后可 合閘，否則將擴(kuò)大故障范圍，造成更大損失，故障排除后，可將 K 主令開(kāi)關(guān)置一下，除去電 笛聲，排除故障后，然后按正常運(yùn)行程序開(kāi)機(jī)。5、起動(dòng)后，直流輸出電壓或電流達(dá)不到額定值則丟脈沖...

晶閘管模塊（Silicon Controlled Rectifier Module）是現(xiàn)代電力電子技術(shù)中的重要器件之一，以下是對(duì)其的詳細(xì)介紹：一、基本原理晶閘管模塊是一種將晶閘管與換流電路等集成在一起的產(chǎn)品，采用模塊化設(shè)計(jì)，便于安裝和使用。其**元件晶閘管本身...

在這r1個(gè)分段TCR中，只有一個(gè)分段TCR的觸發(fā)角是受控的，其他的分段TCR要么是全導(dǎo)通，要么是全關(guān)斷，以吸收制定量的無(wú)功功率。由于每個(gè)分段TCR的電感增加了rl倍，因此受控TCR的容量就減小了n倍，受控TCR產(chǎn)生的諧波相對(duì)于額定基波電流也減小了n倍。采用上述...

功率半導(dǎo)體模塊就是按一定功能、模式的組合體，功率半導(dǎo)體模塊是大功率電子電力器件按一定的功能組合再灌封成一體。功率半導(dǎo)體模塊可根據(jù)封裝的元器件的不同實(shí)現(xiàn)不同功能，功率半導(dǎo)體模塊配用風(fēng)冷散熱可作風(fēng)冷模塊，配用水冷散熱可作水冷模塊等。功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半...