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方旭:一個(gè)律師的理想信念-浙江銘生
筆記:如何追加轉(zhuǎn)讓股權(quán)的未出資股東為被執(zhí)行人
生命中無(wú)法缺失的父愛(ài)(婚姻家庭)
律師提示:如何應(yīng)對(duì)婚前財(cái)產(chǎn)約定
搞垮一個(gè)事務(wù)所的辦法有很多,辦好一個(gè)事務(wù)所的方法卻只有一個(gè)
顛覆認(rèn)知:語(yǔ)文數(shù)學(xué)總共考了96分的人生會(huì)怎樣?
寧波律師陳春香:爆款作品創(chuàng)作者如何提醒網(wǎng)絡(luò)言論的邊界意識(shí)
搖號(hào)成功選房后還可以后悔要求退還意向金嗎
誤以為“低成本、高回報(bào)”的假離婚,多少人誤入歧途
雙向可控硅屬于NPNPN五層器件,三個(gè)電極分別是T1、T2、G。因該器件可以雙向?qū)ǎ食T(mén)極G以外的兩個(gè)電極統(tǒng)稱為主端子,用T1、T2表示,不再劃分成陽(yáng)極或陰極。其特點(diǎn)是,當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1,的電壓均為正時(shí),T2是陽(yáng)極,T1是陰極。反之,當(dāng)G極和T2極...
發(fā)光二極管在很多領(lǐng)域得到普遍應(yīng)用,下面介紹幾點(diǎn)其主要應(yīng)用:(1)電子用品中的應(yīng)用發(fā)光二極管在電子用品中一般用作屏背光源或作顯示、照明應(yīng)用。從大型的液晶電視、電腦顯示屏到媒體播放器MP3、MP4以及手機(jī)等的顯示屏都將發(fā)光二極管用作屏背光源。 [6](2)汽車以及...
此外,熔斷器根據(jù)分?jǐn)嚯娏鞣秶€可分為一般用途熔斷器,后備熔斷器和全范圍熔斷器。一般用途熔斷器的分?jǐn)嚯娏鞣秶笍倪^(guò)載電流大于額定電流1.6~2倍起,到比較大分?jǐn)嚯娏鞯姆秶?。這種熔斷器主要用于保護(hù)電力變壓器和一般電氣設(shè)備。后備熔斷器的分?jǐn)嚯娏鞣秶笍倪^(guò)載電流大于額...
分?jǐn)嗄芰?qiáng)發(fā)生短路故障時(shí),圓孔狹頸處首先被熔斷,電弧被石英砂分隔成許多小段,電弧被很快熄滅。由于石英砂是絕緣的,電弧熄滅后,熔斷器立即變成一個(gè)絕緣體,將電路分?jǐn)?。因而快速熔斷器分?jǐn)嗄芰?qiáng),可高達(dá)50kA。負(fù)載設(shè)備承受的沖擊能量小電路出現(xiàn)短路故障時(shí),負(fù)載設(shè)備承受...
90年代中期,溝槽柵結(jié)構(gòu)又返回到一種新概念的IGBT,它是采用從大規(guī)模集成(LSI)工藝借鑒來(lái)的硅干法刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)的新刻蝕工藝,但仍然是穿通(PT)型芯片結(jié)構(gòu)。[4]在這種溝槽結(jié)構(gòu)中,實(shí)現(xiàn)了在通態(tài)電壓和關(guān)斷時(shí)間之間折衷的更重要的改進(jìn)。硅芯片的重直結(jié)構(gòu)也得到了急...
將兩只單向可控硅SCRl、SCR2反向并聯(lián).再將控制板與本觸發(fā)電路連接,就組成了一個(gè)簡(jiǎn)單實(shí)用的大功率無(wú)級(jí)調(diào)速電路。這個(gè)電路的獨(dú)特之處在于可控硅控制極不需外加電源,只要將負(fù)載與本電路串聯(lián)后接通電源,兩個(gè)控制極與各自的陰極之間便有5V~8V脈動(dòng)直流電壓產(chǎn)生,調(diào)節(jié)電...
反向電流反向電流是指二極管在常溫(25℃)和比較高反向電壓作用***過(guò)二極管的反向電流。反向電流越小,管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶?。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關(guān)系,大約溫度每升高10℃,反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管,在25℃時(shí)反向電流若為25...
變?nèi)荻O管將萬(wàn)用表紅、黑表筆怎樣對(duì)調(diào)測(cè)量,變?nèi)荻O管的兩引腳間的電阻值均應(yīng)為無(wú)窮大。如果在測(cè)量中,發(fā)現(xiàn)萬(wàn)用表指針向右有輕微擺動(dòng)或阻值為零,說(shuō)明被測(cè)變?nèi)荻O管有漏電故障或已經(jīng)擊穿壞。 [8]單色發(fā)光二極管在萬(wàn)用表外部附接一節(jié)能1.5V干電池,將萬(wàn)用表置R×10或...
基片的應(yīng)用在管體的P+和N+ 區(qū)之間創(chuàng)建了一個(gè)J1結(jié)。當(dāng)正柵偏壓使柵極下面反演P基區(qū)時(shí),一個(gè)N溝道形成,同時(shí)出現(xiàn)一個(gè)電子流,并完全按照功率MOSFET的方式產(chǎn)生一股電流。如果這個(gè)電子流產(chǎn)生的電壓在0.7V范圍內(nèi),那么,J1將處于正向偏壓,一些空穴注入N-區(qū)內(nèi),...
Q 為柵極電荷,可參考IGBT模塊參數(shù)手冊(cè)。例如,常見(jiàn)IGBT驅(qū)動(dòng)器(如TX-KA101)輸出正電壓15V,負(fù)電壓-9V,則U=24V,假設(shè) F=10KHz,Q=2.8uC可計(jì)算出 P=0.67w ,柵極電阻應(yīng)選取2W電阻,或2個(gè)1W電阻并聯(lián)。三、設(shè)置柵極電阻...
熔斷電流,指導(dǎo)線在熔斷時(shí)所能通過(guò)的比較大的電流。但隨著導(dǎo)線的電阻增大,其熔斷電流也將降低。熔斷電流:Fusing current 單位: mA,A等。在導(dǎo)線橫截面積一定的情況下,長(zhǎng)度越長(zhǎng),電阻越大,其熔斷電流也就越小。在長(zhǎng)度一定的情況下,導(dǎo)線橫截面積越大,其電...
?IGBT驅(qū)動(dòng)電路是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率的半導(dǎo)體器件IGBT驅(qū)動(dòng)電路是驅(qū)動(dòng)IGBT模塊以能讓其正常工作,并同時(shí)對(duì)其進(jìn)行保護(hù)的電路。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻...
可控硅一個(gè)關(guān)鍵用途在于做為無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。在自動(dòng)化設(shè)備中,用無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)代替通用繼電器已被逐步應(yīng)用。其***特點(diǎn)是無(wú)噪音,壽命長(zhǎng)。可控硅***陽(yáng)極A1與第二陽(yáng)極A2間,無(wú)論所加電壓極性是正向還是反向,只要控制極G和***陽(yáng)極A1間加有正負(fù)極性不同的觸發(fā)電壓,就可觸發(fā)...
熔斷器:1、熔斷器的主要優(yōu)點(diǎn)和特點(diǎn)(1)選擇性好。上下級(jí)熔斷器的熔斷體額定電流只要符合國(guó)標(biāo)和IEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的過(guò)電流選擇比為1.6:1 的要求,即上級(jí)熔斷體額定電流不小于下級(jí)的該值的1.6 倍,就視為上下級(jí)能有選擇性切斷故障電流;(2)限流特性好,分?jǐn)嗄芰Ω?;?..
自復(fù)熔斷器是可多次動(dòng)作使用的熔斷器,在日本稱為長(zhǎng)久熔斷器。在分?jǐn)噙^(guò)載或短路電流后瞬間,熔體能自動(dòng)恢復(fù)到原狀。自復(fù)熔斷器是可多次動(dòng)作使用的熔斷器,在日本稱為長(zhǎng)久熔斷器。在分?jǐn)噙^(guò)載或短路電流后瞬間,熔體能自動(dòng)恢復(fù)到原狀 [1]。外殼由奧氏體不銹鋼制成,外殼中心埋有...
電子電路應(yīng)用二極管幾乎在所有的電子電路中,都要用到半導(dǎo)體二極管。半導(dǎo)體二極管在電路中的使用能夠起到保護(hù)電路,延長(zhǎng)電路壽命等作用。半導(dǎo)體二極管的發(fā)展,使得集成電路更加優(yōu)化,在各個(gè)領(lǐng)域都起到了積極的作用。二極管在集成電路中的作用很多,維持著集成電路正常工作。下面簡(jiǎn)...
?IGBT電源模塊?是一種由絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)構(gòu)成的功率模塊。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半...
圖7是雙向觸發(fā)二極管與雙向可控硅等元件構(gòu)成的臺(tái)燈調(diào)光電路。通過(guò)調(diào)節(jié)電位器R2,可以改變雙向可控硅的導(dǎo)通角,從而改變通過(guò)燈泡的電流(平均值)實(shí)現(xiàn)連續(xù)調(diào)光。如果將燈泡換電熨斗、電熱褥還可實(shí)現(xiàn)連續(xù)調(diào)溫。該電路在雙向可控硅加散熱器的情況下,可控負(fù)載功率可達(dá)500W,各...
點(diǎn)接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后,再通過(guò)電流法而形成的。因此,其PN結(jié)的靜電容量小,適用于高頻電路。點(diǎn)接觸型與面結(jié)型相比,較少使用于大電流和整流。因?yàn)闃?gòu)造簡(jiǎn)單,所以價(jià)格便宜。對(duì)于小信號(hào)的檢波、整流、調(diào)制、混頻和限幅等一般用途而言,它是應(yīng)用...
· 驅(qū)動(dòng)器必須能夠提供所需的門(mén)極平均電流IoutAV 及門(mén)極驅(qū)動(dòng)功率PG。驅(qū)動(dòng)器的比較大平均輸出電流必須大于計(jì)算值?!?驅(qū)動(dòng)器的輸出峰值電流IoutPEAK 必須大于等于計(jì)算得到的比較大峰值電流?!?驅(qū)動(dòng)器的比較大輸出門(mén)極電容量必須能夠提供所需的門(mén)極電荷以對(duì)I...
從晶閘管的內(nèi)部分析工作過(guò)程:晶閘管是四層三端器件,它有J1、J2、J3三個(gè)PN結(jié),可以把它中間的NP分成兩部分,構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管.當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí),為使晶閘管導(dǎo)通,必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。中每個(gè)晶...
IGBT是先進(jìn)的第三代功率模塊,工作頻率1-20khz,主要應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即dc/ac變換中。例電動(dòng)汽車、伺服控制器、UPS、開(kāi)關(guān)電源、斬波電源、無(wú)軌電車等。問(wèn)世迄今有十年多歷史,幾乎已替代一切其它功率器件,例SCR、GTO、GTR...
光敏二極管是將光信號(hào)變成電信號(hào)的半導(dǎo)體器件。它的**部分也是一個(gè)PN結(jié),和普通二極管相比,在結(jié)構(gòu)上不同的是,為了便于接受入射光照,PN結(jié)面積盡量做的大一些,電極面積盡量小些,而且PN結(jié)的結(jié)深很淺,一般小于1微米。光敏二極管是在反向電壓作用之下工作的。沒(méi)有光照時(shí)...
可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱,是一種具有三個(gè)PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流,還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)以快速接通或切斷電路,實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。可控硅和其它...
熔斷器的選擇主要依據(jù)負(fù)載的保護(hù)特性和短路電流的大小選擇熔斷器的類型。對(duì)于容量小的電動(dòng)機(jī)和照明支線,常采用熔斷器作為過(guò)載及短路保護(hù),因而希望熔體的熔化系數(shù)適當(dāng)小些。通常選用鉛錫合金熔體的熔斷器。對(duì)于較大容量的電動(dòng)機(jī)和照明干線,則應(yīng)著重考慮短路保護(hù)和分?jǐn)嗄芰?。通?..
通常為達(dá)到更好的驅(qū)動(dòng)效果,IGBT開(kāi)通和關(guān)斷可以采取不同的驅(qū)動(dòng)速度,分別選取 Rgon和Rgoff(也稱 Rg+ 和 Rg- )往往是很必要的。IGBT驅(qū)動(dòng)器有些是開(kāi)通和關(guān)斷分別輸出控制,只要分別接上Rgon和Rgoff就可以了。有些驅(qū)動(dòng)器只有一個(gè)輸出端,這就...
雙向可控硅固定到散熱器的主要方法有三種,夾子壓接、螺栓固定和鉚接。前二種方法的安裝工具很容易取得。 很多場(chǎng)合下,鉚接不是一種推薦的方法。 [1]夾子壓接:是推薦的方法,熱阻**小。夾子對(duì)器件的塑封施加壓力。這同樣適用于非絕緣封裝(sot82 和sot78 ) ...
導(dǎo)通壓降電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)使電阻RN減小,使通態(tài)壓降小。關(guān)斷當(dāng)在柵極施加一個(gè)負(fù)偏壓或柵壓低于門(mén)限值時(shí),溝道被禁止,沒(méi)有空穴注入N-區(qū)內(nèi)。在任何情況下,如果MOSFET電流在開(kāi)關(guān)階段迅速下降,集電極電流則逐漸降低,這是因?yàn)閾Q向開(kāi)始后,在N層內(nèi)還存在少數(shù)的載流子(少子)...
確定IGBT 的門(mén)極電荷對(duì)于設(shè)計(jì)一個(gè)驅(qū)動(dòng)器來(lái)說(shuō),**重要的參數(shù)是門(mén)極電荷QG(門(mén)極電壓差時(shí)的IGBT 門(mén)極總電荷),如果在IGBT 數(shù)據(jù)手冊(cè)中能夠找到這個(gè)參數(shù),那么我們就可以運(yùn)用公式計(jì)算出:門(mén)極驅(qū)動(dòng)能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on)...
?IGBT電源模塊?是一種由絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)構(gòu)成的功率模塊。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半...