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當(dāng)晶閘管在正向陽(yáng)極電壓下，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)，從而提高起點(diǎn)流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過(guò)PNP管的發(fā)射結(jié)，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強(qiáng)烈的正...

在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)?？煽毓枘芤院涟布?jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過(guò)此功率，因元件開(kāi)關(guān)損耗***增加，允許通過(guò)的平均電流相降低，此時(shí)，標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用?？煽毓?..

高傳導(dǎo)點(diǎn)接觸型二極管它與高反向電阻型相反。其反向特性盡管很差，但使正向電阻變得足夠小。對(duì)高傳導(dǎo)點(diǎn)接觸型二極管而言，有SD56、1N56A等等。對(duì)高傳導(dǎo)鍵型二極管而言，能夠得到更優(yōu)良的特性。這類二極管，在負(fù)荷電阻特別低的情況下，整流效率較高。 在開(kāi)關(guān)電源中,所需...

?IGBT驅(qū)動(dòng)電路是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率的半導(dǎo)體器件IGBT驅(qū)動(dòng)電路是驅(qū)動(dòng)IGBT模塊以能讓其正常工作，并同時(shí)對(duì)其進(jìn)行保護(hù)的電路。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻...

LED燈就是發(fā)光二極管，是采用固體半導(dǎo)體芯片為發(fā)光材料，與傳統(tǒng)燈具相比，LED燈節(jié)能、環(huán)保、顯色性與響應(yīng)速度好。 [3]（一）節(jié)能是LED燈**突出的特點(diǎn)在能耗方面，LED燈的能耗是白熾燈的十分之一，是節(jié)能燈的四分之一。這是LED燈的一個(gè)比較大的特點(diǎn)?，F(xiàn)在的人...

測(cè)量靜態(tài)測(cè)量:把萬(wàn)用表放在乘100檔,測(cè)量黑表筆接1端子、紅表筆接2端子,顯示電阻應(yīng)為無(wú)窮大; 表筆對(duì)調(diào),顯示電阻應(yīng)在400歐左右.用同樣的方法,測(cè)量黑表筆接3端子、紅表筆接1端子, 顯示電阻應(yīng)為無(wú)窮大;表筆對(duì)調(diào),顯示電阻應(yīng)在400歐左右.若符合上述情況表明此...

光敏二極管是將光信號(hào)變成電信號(hào)的半導(dǎo)體器件。它的**部分也是一個(gè)PN結(jié)，和普通二極管相比，在結(jié)構(gòu)上不同的是，為了便于接受入射光照，PN結(jié)面積盡量做的大一些，電極面積盡量小些，而且PN結(jié)的結(jié)深很淺，一般小于1微米。光敏二極管是在反向電壓作用之下工作的。沒(méi)有光照時(shí)...

雙向可控硅可被認(rèn)為是一對(duì)反并聯(lián)連接的普通可控硅的集成，工作原理與普通單向可控硅相同。雙向可控硅有兩個(gè)主電極T1和T2， 一個(gè)門極G， 門極使器件在主電極的正反兩個(gè)方向均可觸發(fā)導(dǎo)通，所以雙向可控硅在第1和第3象限有對(duì)稱的伏安特性。雙向可控硅門極加正、負(fù)觸發(fā)脈沖都...

②限流特性好，分?jǐn)嗄芰Ω?；③相?duì)尺寸較小；NT系列熔斷器④價(jià)格較便宜。（2）熔斷器的主要缺點(diǎn)①故障熔斷后必須更換熔斷體；②保護(hù)功能單一，只有一段過(guò)電流反時(shí)限特性，過(guò)載、短路和接地故障都用此防護(hù)；③發(fā)生一相熔斷時(shí)，對(duì)三相電動(dòng)機(jī)將導(dǎo)致兩相運(yùn)轉(zhuǎn)的不良后果，當(dāng)然可用帶...

測(cè)量靜態(tài)測(cè)量:把萬(wàn)用表放在乘100檔,測(cè)量黑表筆接1端子、紅表筆接2端子,顯示電阻應(yīng)為無(wú)窮大; 表筆對(duì)調(diào),顯示電阻應(yīng)在400歐左右.用同樣的方法,測(cè)量黑表筆接3端子、紅表筆接1端子, 顯示電阻應(yīng)為無(wú)窮大;表筆對(duì)調(diào),顯示電阻應(yīng)在400歐左右.若符合上述情況表明此...

絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領(lǐng)域中已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用，在實(shí)際使用中除IGBT自身外，IGBT 驅(qū)動(dòng)器的作用對(duì)整個(gè)換流系統(tǒng)來(lái)說(shuō)同樣至關(guān)重要。驅(qū)動(dòng)器的選擇及輸出功率的計(jì)算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。驅(qū)動(dòng)器功率不足或選擇錯(cuò)誤可能會(huì)直接導(dǎo)致 IGBT ...

1、英標(biāo)熔斷器英式熔斷器主要用于英聯(lián)邦國(guó)家生產(chǎn)的設(shè)備。英標(biāo)熔斷器殼體采用陶瓷材質(zhì)，產(chǎn)品具有體積小、性價(jià)比高等特點(diǎn)，特別受到240V以下的UPS廠商青睞。2、美標(biāo)熔斷器美式熔斷器應(yīng)用**為***，涵蓋了大部分電力電子產(chǎn)品應(yīng)用。美標(biāo)熔斷器殼體采用三聚氰胺網(wǎng)格布加陶...

維持電流： IH 是維持可控硅保持通態(tài)所必需的**小主電流，它與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高， 則 IH 越小。 [1]·電壓上升率的**： dv/dt指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發(fā)的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。此值超限將可能導(dǎo)致可控硅出現(xiàn)誤導(dǎo)通的現(xiàn)象。由于可控硅的...

導(dǎo)通壓降電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)使電阻RN減小，使通態(tài)壓降小。關(guān)斷當(dāng)在柵極施加一個(gè)負(fù)偏壓或柵壓低于門限值時(shí)，溝道被禁止，沒(méi)有空穴注入N-區(qū)內(nèi)。在任何情況下，如果MOSFET電流在開(kāi)關(guān)階段迅速下降，集電極電流則逐漸降低，這是因?yàn)閾Q向開(kāi)始后，在N層內(nèi)還存在少數(shù)的載流子（少子）...

正式商用的高壓大電流IGBT器件至今尚未出現(xiàn)，其電壓和電流容量還很有限，遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足電力電子應(yīng)用技術(shù)發(fā)展的需求，特別是在高壓領(lǐng)域的許多應(yīng)用中，要求器件的電壓等級(jí)達(dá)到10KV以上。目前只能通過(guò)IGBT高壓串聯(lián)等技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)高壓應(yīng)用。國(guó)外的一些廠家如瑞士ABB公司采...

可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱,是一種具有三個(gè)PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流，還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)以快速接通或切斷電路，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等?？煽毓韬推渌?..

大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說(shuō)的普通晶閘管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個(gè)PN結(jié)，對(duì)外有三個(gè)電極〔圖2（P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)〔圖2（以硅單晶為基本...

· 驅(qū)動(dòng)器必須能夠提供所需的門極平均電流IoutAV 及門極驅(qū)動(dòng)功率PG。驅(qū)動(dòng)器的比較大平均輸出電流必須大于計(jì)算值。· 驅(qū)動(dòng)器的輸出峰值電流IoutPEAK 必須大于等于計(jì)算得到的比較大峰值電流。· 驅(qū)動(dòng)器的比較大輸出門極電容量必須能夠提供所需的門極電荷以對(duì)I...

4、法標(biāo)熔斷器法標(biāo)熔斷器具有循環(huán)性能強(qiáng)、體積小、構(gòu)造獨(dú)特等特點(diǎn)，適用于占用空間小的小型UPS、小型交流驅(qū)動(dòng)器以及其它小功率應(yīng)用。 [2]對(duì)于高電流保護(hù)區(qū)，所選熔斷器應(yīng)具備以下性能： ①容量大，通常在幾十到幾百A； ②能夠承受瞬間高電流、高脈沖； ③安全可靠性高...

1979年，MOS柵功率開(kāi)關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個(gè)類晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成)，其特點(diǎn)是通過(guò)強(qiáng)堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期，用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS(雙擴(kuò)散形成的金屬-氧化物-半導(dǎo)...

②限流特性好，分?jǐn)嗄芰Ω?；③相?duì)尺寸較??；NT系列熔斷器④價(jià)格較便宜。（2）熔斷器的主要缺點(diǎn)①故障熔斷后必須更換熔斷體；②保護(hù)功能單一，只有一段過(guò)電流反時(shí)限特性，過(guò)載、短路和接地故障都用此防護(hù)；③發(fā)生一相熔斷時(shí)，對(duì)三相電動(dòng)機(jī)將導(dǎo)致兩相運(yùn)轉(zhuǎn)的不良后果，當(dāng)然可用帶...

N溝型的 IGBT工作是通過(guò)柵極－發(fā)射極間加閥值電壓VTH以上的（正）電壓，在柵極電極正下方的p層上形成反型層（溝道），開(kāi)始從發(fā)射極電極下的n-層注入電子。該電子為p+n-p晶體管的少數(shù)載流子，從集電極襯底p+層開(kāi)始流入空穴，進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制（雙極工作），所以可...

2、保護(hù)單臺(tái)長(zhǎng)期工作的電機(jī)熔體電流可按比較大起動(dòng)電流選取，也可按下式選?。篒RN ≥ (1.5～2.5)IN式中IRN：熔體額定電流；IN：電動(dòng)機(jī)額定電流。如果電動(dòng)機(jī)頻繁起動(dòng)，式中系數(shù)可適當(dāng)加大至3～3.5，具體應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況而定。3、保護(hù)多臺(tái)長(zhǎng)期工作的電機(jī)（...

Cies : IGBT的輸入電容（Cies 可從IGBT 手冊(cè)中找到）如果IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中已經(jīng)給出了正象限的門極電荷曲線，那么只用Cies 近似計(jì)算負(fù)象限的門極電荷會(huì)更接近實(shí)際值：門極電荷 QG ≈ QG(on) + ΔUGE · Cies · 4.5 = ...

在電子技術(shù)中常用的數(shù)碼管，發(fā)光二極管的原理與光電二極管相反。當(dāng)發(fā)光二極管正向偏置通過(guò)電流時(shí)會(huì)發(fā)出光來(lái)，這是由于電子與空穴直接復(fù)合時(shí)放出能量的結(jié)果。它的光譜范圍比較窄，其波長(zhǎng)由所使用的基本材料而定。 [4]用來(lái)表示二極管的性能好壞和適用范圍的技術(shù)指標(biāo)，稱為二極管...

二極管是用半導(dǎo)體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件 [1]。二極管有兩個(gè)電極，正極，又叫陽(yáng)極；負(fù)極，又叫陰極，給二極管兩極間加上正向電壓時(shí)，二極管導(dǎo)通， 加上反向電壓時(shí)，二極管截止。 二極管的導(dǎo)通和截止，則相當(dāng)于開(kāi)關(guān)的接通與斷開(kāi) [2]。二極管具有單向?qū)щ?..

絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領(lǐng)域中已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用，在實(shí)際使用中除IGBT自身外，IGBT 驅(qū)動(dòng)器的作用對(duì)整個(gè)換流系統(tǒng)來(lái)說(shuō)同樣至關(guān)重要。驅(qū)動(dòng)器的選擇及輸出功率的計(jì)算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。驅(qū)動(dòng)器功率不足或選擇錯(cuò)誤可能會(huì)直接導(dǎo)致 IGBT ...

△V（B）=V（B0）-V（BR）。一般△V（B）應(yīng)小于2伏。雙向觸發(fā)二極管的正向轉(zhuǎn)折電壓值一般有三個(gè)等級(jí)：20-60V、100-150V、200-250V。由于轉(zhuǎn)折電壓都大于20V，可以用萬(wàn)用表電阻擋正反向測(cè)雙向二極管，表針均應(yīng)不動(dòng)（RX10k),但還不能完...

晶閘管T在工作過(guò)程中，它的陽(yáng)極A和陰極K與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路雙向晶閘管的結(jié)構(gòu)與符號(hào)。它屬于NPNP四層器件，三個(gè)電極分別是T1、T2、G。因該器件可以雙向?qū)?，故除門極G以外的...

斷路器也可以實(shí)現(xiàn)線路的短路和過(guò)載保護(hù)，不過(guò)原理不一樣，它是通過(guò)電流的磁效應(yīng)（電磁脫扣器）實(shí)現(xiàn)斷路保護(hù)，通過(guò)電流的熱效應(yīng)實(shí)現(xiàn)過(guò)載保護(hù)（不是熔斷，多不用更換器件）。具體到實(shí)際中，當(dāng)電路中的用電負(fù)荷長(zhǎng)時(shí)間接近于所用熔斷器的負(fù)荷時(shí)，熔斷器會(huì)逐漸加熱，直至熔斷。像上面說(shuō)...