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發(fā)展趨勢(shì)： 測(cè)試儀器和系統(tǒng)處于多總線和多接口并存的混亂時(shí)期:GPIB、VXI、MMS、PXI、PCI、CPCI、1394、ISA、USBSPI、SMB、I2C等多總線并存,自動(dòng)測(cè)試體系出現(xiàn)分布式結(jié)構(gòu)和多總線結(jié)構(gòu)。儀器吞并了計(jì)算機(jī)，同時(shí)又使自己成為龐大...

外形及封裝不同芯片是一種把電路（主要包括半導(dǎo)體設(shè)備，也包括被動(dòng)組件等）小型化的方式，并時(shí)常制造在半導(dǎo)體晶圓表面上。幾乎所有芯片制造商采用的**常見標(biāo)準(zhǔn)是DIP，即雙列直插式封裝。這定義了一個(gè)矩形封裝，相鄰引腳之間的間距為2.54毫米（0.1英寸），引腳排之間的...

把晶體二極管、三極管以及電阻電容都制作在同一塊硅芯片上，稱為集成電路。一塊硅芯片上集成的元件數(shù)小于 100個(gè)的稱為小規(guī)模集成電路，從 100個(gè)元件到1000 個(gè)元件的稱為中規(guī)模集成電路，從1000 個(gè)元件到100000 個(gè)元件的稱為大規(guī)模集...

LCR參數(shù)測(cè)試儀電感、電容、電阻參數(shù)測(cè)量?jī)x，不僅能自動(dòng)判斷元件性質(zhì)，而且能將符號(hào)圖形顯示出來，并顯示出其值。其還能測(cè)量Q、D、Z、Lp、Ls、Cp、Cs、Kp、Ks等參數(shù)，且顯示出等效電路圖形。 、頻譜分析儀頻譜分析儀在頻域信號(hào)分析、測(cè)試、研究、維修中有著***...

儀器工作條件儀器在15~25℃條件下工作。2、外觀儀器的工作面不得有砂眼、氣孔、碰傷、劃傷、毛刺、銹跡及其他影響使用的缺陷；裸露的非工作面不得有氣孔、砂眼、裂紋、銹蝕及其他明顯的缺陷。儀器的電鍍層應(yīng)均勻光潔。儀器的噴漆表面不得有明顯的影響外觀質(zhì)量的脫漆、斑點(diǎn)、...

產(chǎn)品分類 一、元件：工廠在加工時(shí)沒改變?cè)牧戏肿映煞值漠a(chǎn)品可稱為元件。 元件屬于不需要能源的器件。它包括：電阻、電容、電感。(又稱為被動(dòng)元件Passive Components)元件分為：1、電路類元件：二極管，電阻器等。2、連接類元件...

一般小功率電源變壓器。允許溫升為40℃～50℃，如果所用絕緣材料質(zhì)量較好，允許溫升還可提高。H 檢測(cè)判別各繞組的同名端。在使用電源變壓器時(shí)，有時(shí)為了得到所需的次級(jí)電壓，可將兩個(gè)或多個(gè)次級(jí)繞組串聯(lián)起來使用。采用串聯(lián)法使用電源變壓器時(shí)，參加串聯(lián)的各繞組的同名端必須...

無錫微原電子科技有限公司是一家專注于電子/半導(dǎo)體/集成電路領(lǐng)域的服務(wù)商，成立時(shí)間在2022年1月18日。坐落于無錫市新吳區(qū)菱湖大道111號(hào)軟件園天鵝座C座19層1903室，目前有的板塊有集成電路芯片、半導(dǎo)體器件、電子測(cè)量?jī)x器、電子元器件等相...

阻電阻在電路中用"R"加數(shù)字表示，如：R1表示編號(hào)為1的電阻。電阻在電路中的主要作用為：分流、限流、分壓、偏置等。電容電容在電路中一般用"C"加數(shù)字表示(如C13表示編號(hào)為13的電容)。電容是由兩片金屬膜緊靠，中間用絕緣材料隔開而組成的元件。電容的特性主要是隔...

電源變壓器的檢測(cè)A 通過觀察變壓器的外貌來檢查其是否有明顯異?，F(xiàn)象。如線圈引線是否斷裂，脫焊，絕緣材料是否有燒焦痕跡，鐵心緊固螺桿是否有松動(dòng)，硅鋼片有無銹蝕，繞組線圈是否有外露等。B 絕緣性測(cè)試。用萬用表R×10k擋分別測(cè)量鐵心與初級(jí)，初級(jí)與各次級(jí)、鐵心與各次...

用電子測(cè)量?jī)x器是利用電子技術(shù)來進(jìn)行測(cè)量的儀器。電子測(cè)量?jī)x器是指以電子技術(shù)為基礎(chǔ)，結(jié)合電子測(cè)量、數(shù)字信號(hào)處理、微電子、射頻微波設(shè)計(jì)等多領(lǐng)域技術(shù)，組成單機(jī)或自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)，并用于監(jiān)測(cè)、測(cè)量、計(jì)算各類物理參數(shù)和成分的儀器。其具有檢測(cè)測(cè)量、信號(hào)傳遞和數(shù)據(jù)處理等功能，...

帶有“視距絲”的光學(xué)速測(cè)儀，由于其快速、簡(jiǎn)易，而在短距離（100米以內(nèi)）、低精度 （1/200(1/500）的測(cè)量中，如碎部點(diǎn)測(cè)定中，有其優(yōu)勢(shì)，得到了廣泛的應(yīng)用。隨著電子測(cè)距技術(shù)的出現(xiàn)，**地推動(dòng)了速測(cè)儀的發(fā)展。用電磁波測(cè)距儀代替光學(xué)視距經(jīng)緯儀，使得測(cè)程更...

封裝概念狹義:利用膜技術(shù)及微細(xì)加工技術(shù)，將芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘貼固定及連接，引出接線端子并通過可塑性絕緣介質(zhì)灌封固定，構(gòu)成整體立體結(jié)構(gòu)的工藝。廣義:將封裝體與基板連接固定，裝配成完整的系統(tǒng)或電子設(shè)備，并確保整個(gè)系統(tǒng)綜合性能的工程。芯片封裝實(shí)現(xiàn)的...

阻電阻在電路中用"R"加數(shù)字表示，如：R1表示編號(hào)為1的電阻。電阻在電路中的主要作用為：分流、限流、分壓、偏置等。電容電容在電路中一般用"C"加數(shù)字表示(如C13表示編號(hào)為13的電容)。電容是由兩片金屬膜緊靠，中間用絕緣材料隔開而組成的元件。電容的特性主要是隔...

空間電荷區(qū)：擴(kuò)散到P區(qū)的自由電子與空穴復(fù)合，而擴(kuò)散到N區(qū)的空穴與自由電子復(fù)合，所以在交界面附近多子的濃度下降，P區(qū)出現(xiàn)負(fù)離子區(qū)，N區(qū)出現(xiàn)正離子區(qū)，它們是不能移動(dòng)，稱為空間電荷區(qū)。電場(chǎng)形成：空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場(chǎng)。空間電荷加寬，內(nèi)電場(chǎng)增強(qiáng)，其...

具有一個(gè)基座測(cè)量面,以電容擺的平衡原理測(cè)量被側(cè)面相對(duì)水平面微小傾角的測(cè)量器具。其中,以指針式指示裝置指示測(cè)量值的儀器稱為指針式電子水平儀,以數(shù)顯式指示裝置指示測(cè)量值的儀器稱為數(shù)顯式電子水平儀。擴(kuò)展量程裝置儀器若已處于測(cè)量的極限位置,重新調(diào)整到零位,從而在該...

電位器的檢測(cè)。檢查電位器時(shí)，首先要轉(zhuǎn)動(dòng)旋柄，看看旋柄轉(zhuǎn)動(dòng)是否平滑，開關(guān)是否靈活，開關(guān)通、斷時(shí)“喀噠”聲是否清脆，并聽一聽電位器內(nèi)部接觸點(diǎn)和電阻體摩擦的聲音，如有“沙沙”聲，說明質(zhì)量不好。用萬用表測(cè)試時(shí)，先根據(jù)被測(cè)電位器阻值的大小，選擇好萬用表的合適電阻擋位，然...

1906年美國(guó)人德福雷斯特發(fā)明真空三極管，用來放大電話的聲音電流。此后，人們強(qiáng)烈地期待著能夠誕生一種固體器件，用來作為質(zhì)量輕、價(jià)廉和壽命長(zhǎng)的放大器和電子開關(guān)。1947年，點(diǎn)接觸型鍺晶體管的誕生，在電子器件的發(fā)展史上翻開了新的一頁。但是，這種點(diǎn)接觸型晶...

本征半導(dǎo)體：不含雜質(zhì)且無晶格缺陷的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。在極低溫度下，半導(dǎo)體的價(jià)帶是滿帶，受到熱激發(fā)后，價(jià)帶中的部分電子會(huì)越過禁帶進(jìn)入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導(dǎo)帶，價(jià)帶中缺少一個(gè)電子后形成一個(gè)帶正電的空位，稱為空穴?？昭▽?dǎo)電并不是實(shí)際運(yùn)動(dòng)，而是...

作用不同芯片可以封裝更多的電路。這樣增加了每單位面積容量，可以降低成本和增加功能，見摩爾定律，集成電路中的晶體管數(shù)量，每1.5年增加一倍。集成電路所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個(gè)整體，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進(jìn)了一大步。IC可以在一塊豌...

無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子產(chǎn)品，如計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話或是數(shù)字錄音機(jī)當(dāng)中的**單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)聯(lián)。常見的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，硅是各種半導(dǎo)體材料應(yīng)用中相當(dāng)有有影響力的一種。 ...

以GaN（氮化鎵）為**的第三代半導(dǎo)體材料及器件的開發(fā)是新興半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的**和基礎(chǔ)，其研究開發(fā)呈現(xiàn)出日新月異的發(fā)展勢(shì)態(tài)。GaN基光電器件中，藍(lán)色發(fā)光二極管LED率先實(shí)現(xiàn)商品化生產(chǎn)成功開發(fā)藍(lán)光LED和LD之后，科研方向轉(zhuǎn)移到GaN紫外光探測(cè)器上GaN材...

1985年，***塊64K DRAM 在無錫國(guó)營(yíng)724廠試制成功。1988年，上無十四廠建成了我國(guó)***條4英寸線。1989年，機(jī)電部在無錫召開“八五”集成電路發(fā)展戰(zhàn)略研討會(huì)，提出振興集成電路的發(fā)展戰(zhàn)略；724廠和永川半導(dǎo)體研究所無錫分所合并成立了中國(guó)華晶...

全站儀幾乎可以用在所有的測(cè)量領(lǐng)域。電子全站儀由電源部分、測(cè)角系統(tǒng)、測(cè)距系統(tǒng)、數(shù)據(jù)處理部分、通訊接口、及顯示屏、鍵盤等組成。同電子經(jīng)緯儀、光學(xué)經(jīng)緯儀相比，全站儀增加了許多特殊部件，因此而使得全站儀具有比其它測(cè)角、測(cè)距儀器更多的功能，使用也更方便。這些特殊部件構(gòu)成...

空載電流的檢測(cè)。(a) 直接測(cè)量法。將次級(jí)所有繞組全部開路，把萬用表置于交流電流擋500mA，串入初級(jí)繞組。當(dāng)初級(jí)繞組的插頭插入220V交流市電時(shí)，萬用表所指示的便是空載電流值。此值不應(yīng)大于變壓器滿載電流的10%～20%。一般常見電子設(shè)備電源變壓器的正?？蛰d電...

無錫微原電子科技有限公司是一家專注于電子/半導(dǎo)體/集成電路領(lǐng)域的服務(wù)商，成立時(shí)間在2022年1月18日。坐落于無錫市新吳區(qū)菱湖大道111號(hào)軟件園天鵝座C座19層1903室，目前有的板塊有集成電路芯片、半導(dǎo)體器件、電子測(cè)量?jī)x器、電子元器件等相...

用電子測(cè)量?jī)x器是利用電子技術(shù)來進(jìn)行測(cè)量的儀器。電子測(cè)量?jī)x器是指以電子技術(shù)為基礎(chǔ)，結(jié)合電子測(cè)量、數(shù)字信號(hào)處理、微電子、射頻微波設(shè)計(jì)等多領(lǐng)域技術(shù)，組成單機(jī)或自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)，并用于監(jiān)測(cè)、測(cè)量、計(jì)算各類物理參數(shù)和成分的儀器。其具有檢測(cè)測(cè)量、信號(hào)傳遞和數(shù)據(jù)處理等功能，...

半導(dǎo)體器件材料和性能？ 大多數(shù)半導(dǎo)體使用單晶硅，但使用的其他材料包括鍺、砷化鎵(GaAs)、砷化鎵、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電率是由晶體結(jié)構(gòu)中引起自由電子過剩和缺乏的雜質(zhì)決定的，一般是通過多數(shù)載流子（N型半導(dǎo)體中的電子，P型...

因?yàn)镃MOS設(shè)備只引導(dǎo)電流在邏輯門之間轉(zhuǎn)換，CMOS設(shè)備比雙極型組件（如雙極性晶體管）消耗的電流少很多。透過電路的設(shè)計(jì)，將多顆的晶體管管畫在硅晶圓上，就可以畫出不同作用的集成電路。隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是**常見類型的集成電路，所以密度比較高的設(shè)備是存儲(chǔ)器，但即使是微...

分類： 基礎(chǔ)儀器和通用儀器：數(shù)字多用表、電源、函數(shù)發(fā)生器、計(jì)數(shù)器...射頻和微波儀器及系統(tǒng)：頻譜分析儀、網(wǎng)絡(luò)分析儀、信號(hào)發(fā)生器、功率計(jì)、噪聲系數(shù)分析儀示波器、邏輯分析儀和數(shù)字測(cè)試：示波器、邏輯分析儀、仿真跡線端口分析儀、BERT…EDA 軟件：電子設(shè)...