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隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)的不斷發(fā)展與應(yīng)用以及用戶(hù)的特殊要求與其它工業(yè)技術(shù)的應(yīng)用，全站儀出現(xiàn)了一個(gè)新的發(fā)展時(shí)期，出現(xiàn)了帶內(nèi)存、防水型、防爆型、電腦型等等的全站儀。目前，世界上比較高精度的全站儀：測(cè)角精度（一測(cè)回方向標(biāo)準(zhǔn)偏差）0.52，測(cè)距精度 1mm+1ppm。利用ATR...

本征半導(dǎo)體：不含雜質(zhì)且無(wú)晶格缺陷的半導(dǎo)體稱(chēng)為本征半導(dǎo)體。在極低溫度下，半導(dǎo)體的價(jià)帶是滿(mǎn)帶，受到熱激發(fā)后，價(jià)帶中的部分電子會(huì)越過(guò)禁帶進(jìn)入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導(dǎo)帶，價(jià)帶中缺少一個(gè)電子后形成一個(gè)帶正電的空位，稱(chēng)為空穴。空穴導(dǎo)電并不是實(shí)際運(yùn)動(dòng)，而是...

應(yīng)注意，有些型號(hào)的全站儀在距離測(cè)量時(shí)不能設(shè)定儀器高和棱鏡高，顯示的高差值是全站儀橫軸中心與棱鏡中心的高差。3）坐標(biāo)測(cè)量（1）設(shè)定測(cè)站點(diǎn)的三維坐標(biāo)。（2）設(shè)定后視點(diǎn)的坐標(biāo)或設(shè)定后視方向的水平度盤(pán)讀數(shù)為其方位角。當(dāng)設(shè)定后視點(diǎn)的坐標(biāo)時(shí)，全站儀會(huì)自動(dòng)計(jì)算后視方向的方位...

芯片是一種集成電路，由大量的晶體管構(gòu)成。不同的芯片有不同的集成規(guī)模，大到幾億；小到幾十、幾百個(gè)晶體管。晶體管有兩種狀態(tài)，開(kāi)和關(guān)，用1、0來(lái)表示。多個(gè)晶體管產(chǎn)生的多個(gè)1與0的信號(hào)，這些信號(hào)被設(shè)定成特定的功能（即指令和數(shù)據(jù)），來(lái)表示或處理字母、數(shù)字、顏色和圖形等。...

型號(hào)的分類(lèi)： 芯片命名方式一般都是：字母+數(shù)字+字母前面的字母是芯片廠(chǎng)商或是某個(gè)芯片系列的縮寫(xiě)。像MC開(kāi)始的多半是摩托羅拉的，MAX開(kāi)始的多半是美信的。中間的數(shù)字是功能型號(hào)。像MC7805和LM7805，從7805上可以看出它們的功能都是輸出5V，只...

總之，隨著外形尺寸縮小，幾乎所有的指標(biāo)改善了，單位成本和開(kāi)關(guān)功率消耗下降，速度提高。但是，集成納米級(jí)別設(shè)備的IC也存在問(wèn)題，主要是泄漏電流。因此，對(duì)于**終用戶(hù)的速度和功率消耗增加非常明顯，制造商面臨改進(jìn)芯片結(jié)構(gòu)的尖銳挑戰(zhàn)。這個(gè)過(guò)程和在未來(lái)幾年所期望的進(jìn)步，在...

半導(dǎo)體五大特性∶電阻率特性，導(dǎo)電特性，光電特性，負(fù)的電阻率溫度特性，整流特性。在形成晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體中，人為地?fù)饺胩囟ǖ碾s質(zhì)元素，導(dǎo)電性能具有可控性。在光照和熱輻射條件下，其導(dǎo)電性有明顯的變化。晶格：晶體中的原子在空間形成排列整齊的點(diǎn)陣，稱(chēng)為晶格。共價(jià)...

信號(hào)發(fā)生器信號(hào)發(fā)生器（包括函數(shù)發(fā)生器）為檢修、調(diào)試電子設(shè)備和儀器時(shí)提供信號(hào)源。它是一種能夠產(chǎn)生一定波形、頻率和幅度的振蕩器。例如：產(chǎn)生正弦波、方波、三角波、斜波和矩形脈沖波等。 晶體管特性圖示儀晶體管特性圖示儀是一種**示波器，它能...

光電與顯示顯示管/顯像管/指示管示波管/攝像管/投影管光電管/發(fā)射器件/其他光電與顯示器件磁性元器件磁頭/鋁鎳磁鋼永磁元件金屬軟磁元件(粉芯)/鐵氧體軟磁元件(磁芯)鐵氧體永磁元件/稀土永磁元件其它磁性元器件集成電路電視機(jī)IC/音響IC/電源模塊影碟機(jī)IC...

作用不同芯片可以封裝更多的電路。這樣增加了每單位面積容量，可以降低成本和增加功能，見(jiàn)摩爾定律，集成電路中的晶體管數(shù)量，每1.5年增加一倍。集成電路所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個(gè)整體，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進(jìn)了一大步。IC可以在一塊豌...

估測(cè)溫度系數(shù)αt 先在室溫t1下測(cè)得電阻值Rt1，再用電烙鐵作熱源，靠近熱敏電阻Rt，測(cè)出電阻值RT2，同時(shí)用溫度計(jì)測(cè)出此時(shí)熱敏電阻RT表面的平均溫度t2再進(jìn)行計(jì)算。7 壓敏電阻的檢測(cè)。用萬(wàn)用表的R×1k擋測(cè)量壓敏電阻兩引腳之間的正、反向絕緣電阻，均為無(wú)窮大，...

半導(dǎo)體器件材料和性能？ 大多數(shù)半導(dǎo)體使用單晶硅，但使用的其他材料包括鍺、砷化鎵(GaAs)、砷化鎵、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電率是由晶體結(jié)構(gòu)中引起自由電子過(guò)剩和缺乏的雜質(zhì)決定的，一般是通過(guò)多數(shù)載流子（N型半導(dǎo)體中的電子，P型...

通用電子測(cè)量?jī)x器是現(xiàn)代工業(yè)的基礎(chǔ)，使用場(chǎng)景***，高低端跨度大，是電子工業(yè)發(fā)展和國(guó)家戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性重要產(chǎn)業(yè)之一，常見(jiàn)類(lèi)型包括示波器、射頻類(lèi)儀器、波形發(fā)生器、電源與電子負(fù)載。**儀器以某一個(gè)或幾個(gè)**功能為目的，設(shè)計(jì)制造難度極高，應(yīng)用領(lǐng)域較小，如光纖測(cè)試儀器、電...

半導(dǎo)體材料的質(zhì)量系數(shù)不能夠根據(jù)需要得到進(jìn)一步的提升，這就必然會(huì)對(duì)半導(dǎo)體制冷技術(shù)的應(yīng)用造成影響。其二，對(duì)冷端散熱系統(tǒng)和熱端散熱系統(tǒng)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，但是在技術(shù)上沒(méi)有升級(jí)，依然處于理論階段，沒(méi)有在應(yīng)用中更好地發(fā)揮作用，這就導(dǎo)致半導(dǎo)體制冷技術(shù)不能夠根據(jù)...

無(wú)錫微原電子科技有限公司是一家專(zhuān)注于電子/半導(dǎo)體/集成電路領(lǐng)域的服務(wù)商，成立時(shí)間在2022年1月18日。坐落于無(wú)錫市新吳區(qū)菱湖大道111號(hào)軟件園天鵝座C座19層1903室，目前有的板塊有集成電路芯片、半導(dǎo)體器件、電子測(cè)量?jī)x器、電子元器件等相...

在使用自動(dòng)測(cè)試設(shè)備（ATE）包裝前，每個(gè)設(shè)備都要進(jìn)行測(cè)試。測(cè)試過(guò)程稱(chēng)為晶圓測(cè)試或晶圓探通。晶圓被切割成矩形塊，每個(gè)被稱(chēng)為晶片（“die”）。每個(gè)好的die被焊在“pads”上的鋁線(xiàn)或金線(xiàn)，連接到封裝內(nèi)，pads通常在die的邊上。封裝之后，設(shè)備在晶圓探通中使用...

非晶態(tài)半導(dǎo)體。它又被叫做無(wú)定形半導(dǎo)體或玻璃半導(dǎo)體，屬于半導(dǎo)電性的一類(lèi)材料。非晶半導(dǎo)體和其他非晶材料一樣，都是短程有序、長(zhǎng)程無(wú)序結(jié)構(gòu)。它主要是通過(guò)改變?cè)酉鄬?duì)位置，改變?cè)械闹芷谛耘帕?，形成非晶硅。晶態(tài)和非晶態(tài)主要區(qū)別于原子排列是否具有長(zhǎng)程序。非晶...

無(wú)錫微原電子科技有限公司正站在新的起點(diǎn)上，以創(chuàng)新的精神和不懈的努力，不斷推進(jìn)企業(yè)的發(fā)展壯大。隨著市場(chǎng)的不斷拓展和技術(shù)的不斷進(jìn)步，公司有望在未來(lái)的半導(dǎo)體器件行業(yè)中占據(jù)更加重要的位置，為全球電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展做出更大的貢獻(xiàn)。在這個(gè)充滿(mǎn)變革和挑戰(zhàn)...

電子測(cè)量?jī)x器是什么？ 電子測(cè)量?jī)x器是以模擬電路技術(shù)、數(shù)字電路技術(shù)為基礎(chǔ)，涵蓋信號(hào)處理技術(shù)、通信技術(shù)、軟件技術(shù)、總線(xiàn)技術(shù)等多學(xué)科融合的高精尖測(cè)量設(shè)備或系統(tǒng)，并用于監(jiān)測(cè)、測(cè)量、計(jì)算各類(lèi)物理參數(shù)和成分的儀器。其用途是對(duì)電特性進(jìn)行定性或定量測(cè)量，目前已經(jīng)廣泛...

將純半導(dǎo)體單晶熔化成半導(dǎo)體，并緩慢擠壓生長(zhǎng)成棒狀。回歸型它是從含有少量施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì)的溶液中擠出來(lái)的，如果擠出速度快，則生長(zhǎng)出P型半導(dǎo)體，如果慢則生長(zhǎng)出N型半導(dǎo)體。因?yàn)榛鶚O區(qū)較厚，高頻特性較差。戈隆擴(kuò)散當(dāng)在擠壓過(guò)程中添加到溶解半導(dǎo)體中的雜質(zhì)發(fā)生變化時(shí)，...

無(wú)錫微原電子科技有限公司是一家專(zhuān)注于電子/半導(dǎo)體/集成電路領(lǐng)域的服務(wù)商，成立時(shí)間在2022年1月18日。坐落于無(wú)錫市新吳區(qū)菱湖大道111號(hào)軟件園天鵝座C座19層1903室，目前有的板塊有集成電路芯片、半導(dǎo)體器件、電子測(cè)量?jī)x器、電子元器件等相...

三極管三極管在中文含義里面只是對(duì)三個(gè)腳的放大器件的統(tǒng)稱(chēng)，我們常說(shuō)的三極管，可能有多種器件?？梢钥吹?，雖然都叫三極管，其實(shí)在英文里面的說(shuō)法是千差萬(wàn)別的，三極管這個(gè)詞匯其實(shí)也是中文特有的一個(gè)象形意義上的的詞匯電子三極管 Triode 這個(gè)是英漢字典里面“三極管”這...

新型材料應(yīng)用：二維材料、量子點(diǎn)、碳納米管等新型材料的研究和應(yīng)用，為芯片設(shè)計(jì)帶來(lái)了新的發(fā)展機(jī)遇。這些材料具有優(yōu)異的電學(xué)、熱學(xué)和力學(xué)性能，可以顯著提高芯片的性能和可靠性。封裝技術(shù)優(yōu)化：先進(jìn)的封裝技術(shù)，如3D封裝、系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）等，使得芯片在集成度和互連性上得...

晶圓測(cè)試經(jīng)過(guò)上面的幾道工藝之后，晶圓上就形成了一個(gè)個(gè)格狀的晶粒。通過(guò)針測(cè)的方式對(duì)每個(gè)晶粒進(jìn)行電氣特性檢測(cè)。一般每個(gè)芯片的擁有的晶粒數(shù)量是龐大的，組織一次針測(cè)試模式是非常復(fù)雜的過(guò)程，這要求了在生產(chǎn)的時(shí)候盡量是同等芯片規(guī)格構(gòu)造的型號(hào)的大批量的生產(chǎn)。數(shù)量越大相對(duì)成本...

該過(guò)程使用了對(duì)紫外光敏感的化學(xué)物質(zhì)，即遇紫外光則變軟。通過(guò)控制遮光物的位置可以得到芯片的外形。在硅晶片涂上光致抗蝕劑，使得其遇紫外光就會(huì)溶解。這時(shí)可以用上***份遮光物，使得紫外光直射的部分被溶解，這溶解部分接著可用溶劑將其沖走。這樣剩下的部分就與遮光物的形狀...

技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)新型元器件將繼續(xù)向微型化、片式化、高性能化、集成化、智能化、環(huán)保節(jié)能方向發(fā)展。市場(chǎng)需求分析隨著下一代互聯(lián)網(wǎng)、新一代移動(dòng)通信和數(shù)字電視的逐步商用，電子整機(jī)產(chǎn)業(yè)的升級(jí)換代將為電子材料和元器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶來(lái)巨大的市場(chǎng)機(jī)遇?！笆晃濉卑l(fā)展重點(diǎn)我國(guó)《電子...

電源及電子負(fù)載：電源及電子負(fù)載主要用于給測(cè)試對(duì)象供電或吸收測(cè)試對(duì)象產(chǎn)生的電能，并對(duì)測(cè)試回路的電能進(jìn)行測(cè)量分析 萬(wàn)用表：萬(wàn)用表是一種多用途電子測(cè)量?jī)x器，主要用于準(zhǔn)確測(cè)量電壓、電流等基本電學(xué)量以及電路故障診斷等，通常包括安培計(jì)、電壓表、歐姆計(jì)等。其應(yīng)用場(chǎng)景包括...

本征半導(dǎo)體：不含雜質(zhì)且無(wú)晶格缺陷的半導(dǎo)體稱(chēng)為本征半導(dǎo)體。在極低溫度下，半導(dǎo)體的價(jià)帶是滿(mǎn)帶，受到熱激發(fā)后，價(jià)帶中的部分電子會(huì)越過(guò)禁帶進(jìn)入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導(dǎo)帶，價(jià)帶中缺少一個(gè)電子后形成一個(gè)帶正電的空位，稱(chēng)為空穴?？昭▽?dǎo)電并不是實(shí)際運(yùn)動(dòng)，而是...

簡(jiǎn)稱(chēng)測(cè)距儀。用電磁波(光波或微波)運(yùn)載測(cè)距信號(hào)以測(cè)量點(diǎn)間距離的儀器。其測(cè)距基本原理為測(cè)定傳輸在待測(cè)點(diǎn)間的電磁波一次往返所需的時(shí)間t，并根據(jù)電磁波在大氣中的傳輸速度c，求得距離D=1/2ct。按測(cè)定t的方式不同，分為脈沖式測(cè)距儀(直接測(cè)定t)，相位式測(cè)距儀和脈沖...

半導(dǎo)體五大特性∶電阻率特性，導(dǎo)電特性，光電特性，負(fù)的電阻率溫度特性，整流特性。在形成晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體中，人為地?fù)饺胩囟ǖ碾s質(zhì)元素，導(dǎo)電性能具有可控性。在光照和熱輻射條件下，其導(dǎo)電性有明顯的變化。晶格：晶體中的原子在空間形成排列整齊的點(diǎn)陣，稱(chēng)為晶格。共價(jià)...