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截至 2018 年，絕大多數(shù)晶體管都是使用平坦的二維平面工藝，在硅芯片一側的單層中制造的。研究人員已經(jīng)生產了幾種有希望的替代品的原型，例如:堆疊幾層晶體管以制造三維集成電路(3DC)的各種方法，例如硅通孔，“單片 3D”， 堆疊引線接合， 和其他方法。由其他材...

設備按照終端數(shù)量可以分為二端設備、三端設備和多端設備。目前***使用的固態(tài)器件包括晶體管、場效應晶體管(FET)、晶閘管(SCR)、二極管（整流器）和發(fā)光二極管(LED)。半導體器件可以用作單獨的組件，也可以用作集成多個器件的集成電路，這些器件可以在單個基...

直讀法用直接指出被測量大小的指示儀表進行測量，能夠直接從儀表刻度盤商或從顯示器上讀取被測量數(shù)值的測量方法，稱為直讀法。比較法將被測量與標準量在比較儀器中直接比較，從而獲得被測量數(shù)值的方法，稱為比較法。 時域測量時域測量也叫作瞬時測量，主要是測量被測量...

三極管三極管在中文含義里面只是對三個腳的放大器件的統(tǒng)稱，我們常說的三極管，可能有多種器件?？梢钥吹剑m然都叫三極管，其實在英文里面的說法是千差萬別的，三極管這個詞匯其實也是中文特有的一個象形意義上的的詞匯電子三極管 Triode 這個是英漢字典里面“三極管”這...

微電子技術和計算機技術的迅速發(fā)展，給傳統(tǒng)的測繪技術和測繪儀器帶來了很大的沖擊，使測繪儀器的發(fā)展產生了**性的變化，電子經(jīng)緯儀也是其中之一。 在國外電子經(jīng)緯儀的研究和試制大約要追溯到六十年代末和七十年代初，美國K&E公司試制了***臺數(shù)字經(jīng)緯儀...

半導體發(fā)光二極管半導體發(fā)光二極管的結構是一個PN結，它正向通電流時，注入的少數(shù)載流子靠復合而發(fā)光。它可以發(fā)出綠光、黃光、紅光和紅外線等。所用的材料有 GaP、GaAs、GaAs1-xPx、Ga1-xAlxAs、In1-xGaxAs1-yPy等。半導...

電子元件：指在工廠生產加工時不改變分子成分的成品。如電阻器、電容器、電感器。因為它本身不產生電子，它對電壓、電流無控制和變換作用，所以又稱無源器件。按分類標準，電子元件可分為11個大類。2、電子器件：指在工廠生產加工時改變了分子結構的成品。例如晶體管、電子管、...

鍵盤鍵盤是全站儀在測量時輸入操作指令或數(shù)據(jù)的硬件，全站型儀器的鍵盤和顯示屏均為雙面式，便于正、倒鏡作業(yè)時操作。4．存儲器全站儀存儲器的作用是將實時采集的測量數(shù)據(jù)存儲起來，再根據(jù)需要傳送到其它設備如計算機等中，供進一步的處理或利用，全站儀的存儲器有內存儲器和存儲...

頻域測量頻域測量也稱為穩(wěn)態(tài)測量，主要目的是獲取待測量與頻率之間的關系。如用頻譜分析儀分析信號的頻譜，測量放大器的幅頻特性、相頻特性等。數(shù)據(jù)域測量數(shù)據(jù)域測量也稱邏輯量測量，主要是對數(shù)字信號或電路的邏輯狀態(tài)進行測量，如用邏輯分析儀等設備測量計數(shù)器的狀態(tài)。隨機測...

基爾比之后半年，仙童半導體公司的羅伯特·諾伊斯開發(fā)了一種新的集成電路，比基爾比的更實用。諾伊斯的設計由硅制成，而基爾比的芯片由鍺制成。諾伊斯將以下原理歸功于斯普拉格電氣的庫爾特·利霍韋克p–n絕緣結，這也是集成電路背后的關鍵概念。[17]這種絕緣允許每個晶體管...

新型材料應用：二維材料、量子點、碳納米管等新型材料的研究和應用，為芯片設計帶來了新的發(fā)展機遇。這些材料具有優(yōu)異的電學、熱學和力學性能，可以顯著提高芯片的性能和可靠性。封裝技術優(yōu)化：先進的封裝技術，如3D封裝、系統(tǒng)級封裝（SiP）等，使得芯片在集成度和互連性上得...

傳感器傳感器能感受規(guī)定的被測量并按照一定的規(guī)律轉換成可用信號的器件或裝置，通常由敏感元件和轉換元件組成。電磁傳感器/敏感元件光電傳感器/光纖傳感器氣體傳感器/濕敏傳感器位移傳感器/視覺、圖像傳感器其他傳感器電感器能產生電感作用的元件統(tǒng)稱為電感原件，常常直接...

新型材料應用：二維材料、量子點、碳納米管等新型材料的研究和應用，為芯片設計帶來了新的發(fā)展機遇。這些材料具有優(yōu)異的電學、熱學和力學性能，可以顯著提高芯片的性能和可靠性。封裝技術優(yōu)化：先進的封裝技術，如3D封裝、系統(tǒng)級封裝（SiP）等，使得芯片在集成度和互連性上得...

半導體五大特性∶電阻率特性，導電特性，光電特性，負的電阻率溫度特性，整流特性。在形成晶體結構的半導體中，人為地摻入特定的雜質元素，導電性能具有可控性。在光照和熱輻射條件下，其導電性有明顯的變化。晶格：晶體中的原子在空間形成排列整齊的點陣，稱為晶格。共價...

導帶中的電子和價帶中的空穴合稱電子 - 空穴對，均能自由移動，即載流子，它們在外電場作用下產生定向運動而形成宏觀電流，分別稱為電子導電和空穴導電。這種由于電子-空穴對的產生而形成的混合型導電稱為本征導電。導帶中的電子會落入空穴，電子-空穴對消失，...

鍺和硅是**常用的元素半導體；化合物半導體包括Ⅲ-Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物(硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態(tài)半導體外，還有非...

信號發(fā)生器信號發(fā)生器（包括函數(shù)發(fā)生器）為檢修、調試電子設備和儀器時提供信號源。它是一種能夠產生一定波形、頻率和幅度的振蕩器。例如：產生正弦波、方波、三角波、斜波和矩形脈沖波等。 晶體管特性圖示儀晶體管特性圖示儀是一種**示波器，它能...

無錫微原電子科技有限公司，一家在半導體器件領域嶄露頭角的企業(yè)，以其創(chuàng)新的技術和***的產品質量，正在穩(wěn)步地擴大其市場份額。公司致力于研發(fā)、生產和銷售高性能的半導體器件，服務于全球范圍內的電子產品制造企業(yè)。半導體器件是現(xiàn)代電子設備的**組件...

空載電流的檢測。(a) 直接測量法。將次級所有繞組全部開路，把萬用表置于交流電流擋500mA，串入初級繞組。當初級繞組的插頭插入220V交流市電時，萬用表所指示的便是空載電流值。此值不應大于變壓器滿載電流的10%～20%。一般常見電子設備電源變壓器的正?？蛰d電...

光電與顯示顯示管/顯像管/指示管示波管/攝像管/投影管光電管/發(fā)射器件/其他光電與顯示器件磁性元器件磁頭/鋁鎳磁鋼永磁元件金屬軟磁元件(粉芯)/鐵氧體軟磁元件(磁芯)鐵氧體永磁元件/稀土永磁元件其它磁性元器件集成電路電視機IC/音響IC/電源模塊影碟機IC...

1913年斯科特對該系統(tǒng)進行了改進，偉大的德雷爾火控臺誕生。也在這年皇家海軍對自己的主力艦***換裝這套系統(tǒng)，自“無畏”號誕生7年之后真正意義上“無畏艦時代”來臨。是否裝備火控指揮系統(tǒng)是區(qū)別無畏艦與前無畏艦的主要特征。全站型電子速測儀（Electronic T...

電容 1、電容在電路中一般用“C”加數(shù)字表示(如C13表示編號為13的電容)。電容是由兩片金屬膜緊靠，中間用絕緣材料隔開而組成的元件。電容的特性主要是隔直流通交流。電容容量的大小就是表示能貯存電能的大小，電容對交流信號的阻礙作用稱為容抗，它與交流信號...

作用不同芯片可以封裝更多的電路。這樣增加了每單位面積容量，可以降低成本和增加功能，見摩爾定律，集成電路中的晶體管數(shù)量，每1.5年增加一倍。集成電路所有元件在結構上已組成一個整體，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進了一大步。IC可以在一塊豌...

1954年，結型硅晶體管誕生。此后，人們提出了場效應晶體管的構想。隨著無缺陷結晶和缺陷控制等材料技術、晶體外誕生長技術和擴散摻雜技術、耐壓氧化膜的制備技術、腐蝕和光刻技術的出現(xiàn)和發(fā)展，各種性能優(yōu)良的電子器件相繼出現(xiàn)，電子元器件逐步從真空管時代進入晶體管時代和大...

無錫微原電子科技有限公司是一家專注于電子/半導體/集成電路領域的服務商，成立時間在2022年1月18日。坐落于無錫市新吳區(qū)菱湖大道111號軟件園天鵝座C座19層1903室，目前有的板塊有集成電路芯片、半導體器件、電子測量儀器、電子元器件等相...

估測溫度系數(shù)αt 先在室溫t1下測得電阻值Rt1，再用電烙鐵作熱源，靠近熱敏電阻Rt，測出電阻值RT2，同時用溫度計測出此時熱敏電阻RT表面的平均溫度t2再進行計算。7 壓敏電阻的檢測。用萬用表的R×1k擋測量壓敏電阻兩引腳之間的正、反向絕緣電阻，均為無窮大，...

在使用自動測試設備（ATE）包裝前，每個設備都要進行測試。測試過程稱為晶圓測試或晶圓探通。晶圓被切割成矩形塊，每個被稱為晶片（“die”）。每個好的die被焊在“pads”上的鋁線或金線，連接到封裝內，pads通常在die的邊上。封裝之后，設備在晶圓探通中使用...

將一光源對準光敏電阻的透光窗口，此時萬用表的指針應有較大幅度的擺動，阻值明顯減些 此值越小說明光敏電阻性能越好。若此值很大甚至無窮大，表明光敏電阻內部開路損壞，也不能再繼續(xù)使用。C 將光敏電阻透光窗口對準入射光線，用小黑紙片在光敏電阻的遮光窗上部晃動，使其間斷...

半導體器件材料和性能？ 大多數(shù)半導體使用單晶硅，但使用的其他材料包括鍺、砷化鎵(GaAs)、砷化鎵、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。半導體材料的導電率是由晶體結構中引起自由電子過剩和缺乏的雜質決定的，一般是通過多數(shù)載流子（N型半導體中的電子，P型...

通用電子測量儀器是現(xiàn)代工業(yè)的基礎，使用場景***，高低端跨度大，是電子工業(yè)發(fā)展和國家戰(zhàn)略性、基礎性重要產業(yè)之一，常見類型包括示波器、射頻類儀器、波形發(fā)生器、電源與電子負載。**儀器以某一個或幾個**功能為目的，設計制造難度極高，應用領域較小，如光纖測試儀器、電...