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按照用途可以分為四種 ：普通功率型晶體管 高頻大功率晶體管 超高頻大功率晶體管 特種功率型晶體管 按制造工藝分為六種：雙擴(kuò)散硅雙基型 （bjt） 雙擴(kuò)散鋁雙基型 （btjt） 單向晶閘管 （smcntctbtct等 ） 多晶閘管及門陣列式 （pmicmosfe...

三級(jí)管作用是什么？主要是將較微弱的信號(hào)轉(zhuǎn)變成較大幅度值的電信號(hào)。三極管的全稱稱為半導(dǎo)體三極管，也就是人們常說的雙極型晶體管和晶體三極管，它主要是控制電流的一種半導(dǎo)體器件。三級(jí)管的工作狀態(tài)是怎么樣的？1、截止?fàn)顟B(tài)，當(dāng)三極管中的發(fā)射結(jié)電壓小于導(dǎo)通電壓時(shí)，集電極與發(fā)...

場(chǎng)效應(yīng)晶體管。當(dāng)滿足 MOS 管的導(dǎo)通條件時(shí)，MOS 管的 D 極和 S 極會(huì)導(dǎo)通，這個(gè)時(shí)候體二極管是截止?fàn)顟B(tài)。因?yàn)?MOS 管導(dǎo)通內(nèi)阻很小，不足以使寄生二極管導(dǎo)通。MOS管的導(dǎo)通條件：PMOS增強(qiáng)型管：UG-US|UGSTH| ， UGSTH是開啟電壓；NM...

用萬(wàn)用表判斷半導(dǎo)體三極管的極性和類型（用指針式萬(wàn)用表）：a.先選量程：R﹡100或R﹡1K檔位。b.判別半導(dǎo)體三極管基極：用萬(wàn)用表黑表筆固定三極管的某一個(gè)電極，紅表筆分別接半導(dǎo)體三極管另外兩各電極，觀察指針偏轉(zhuǎn)，若兩次的測(cè)量阻值都大或是都小，則改腳所接就是基極...

耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管與增強(qiáng)型截然不同，其初始狀態(tài)下溝道內(nèi)就已存在導(dǎo)電載流子，仿佛一條已經(jīng)有水流的河道。當(dāng)施加?xùn)旁措妷簳r(shí)，就如同調(diào)節(jié)河道的寬窄，可靈活地增加或減少溝道載流子濃度，從而精細(xì)控制電流大小。在模擬電路的偏置電路設(shè)計(jì)中，它扮演著至關(guān)重要的角色。以音頻功率放大器...

硅三極管比鍺管反向漏電流小，輸出特性平直、耐壓比較高，溫度特性較好。常用型號(hào)有：3DG系列高頻小功率硅三極管、3DX系列硅低頻管、3DA系列硅高頻大功率管、3CG系列硅高頻管、3CK系列開關(guān)三極管、3CX系列硅低頻管等。高頻管和低頻管（按特征頻率分），特征頻率...

這里我們來認(rèn)識(shí)一個(gè)基礎(chǔ)的電子元器件：三極管。內(nèi)容主要概括為以下幾個(gè)方面：①認(rèn)識(shí)三極管；②三極管的分類；③三極管的工作原理；④三極管的3種狀態(tài)；⑤三極管的功能及應(yīng)用。接下來筆者一一為大家進(jìn)行介紹。什么是三極管？三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也被稱為雙極型晶體管或...

20世紀(jì)初，由于無(wú)線電接收器探測(cè)器的需要，熱離子二極管（真空管）和固態(tài)二極管（半導(dǎo)體二極管）大約在相同的時(shí)間分別研發(fā)。直到20世紀(jì)50年代之前，真空管二極管在收音機(jī)中都更為常用。這是因?yàn)樵缙诘狞c(diǎn)接觸式半導(dǎo)體二極管（貓須探測(cè)器）并不穩(wěn)定，并且那時(shí)大多數(shù)的收音機(jī)放...

高、低頻大功率管，高頻大功率管適用于功率放大、開關(guān)電路、穩(wěn)壓電路以及無(wú)線電通信、無(wú)線電廣播、電視發(fā)送設(shè)備的放大電路、功率驅(qū)動(dòng)電路等。如：3CD30A~E 3DC020A~D 3DD12 3DD100 3DD205 3DD301A~D等。低頻大功率類型...

場(chǎng)效應(yīng)管是一種電壓控制器件，其工作原理是通過改變柵極（Gate）與源極（Source）之間的電壓來控制漏極（Drain）與源極之間的電流。與傳統(tǒng)的雙極型晶體管（BJT）相比，F(xiàn)ET只利用單一類型的載流子（電子或空穴）進(jìn)行導(dǎo)電，因此也被稱為單極型晶體管。分類：結(jié)...

靜態(tài)電特性：注①：Vgs（off）其實(shí)就是開啟電壓Vgs（th），只不過這里看的角度不一樣。注②：看完前文的讀者應(yīng)該知道為什么這里兩個(gè)Rds（on）大小有差異，不知道的回去前面重新看。動(dòng)態(tài)點(diǎn)特性：注①：Ciss = Cgs + Cgd ；Coss = Cds ...

下面對(duì)MOS失效的原因總結(jié)以下六點(diǎn)，然后對(duì)1，2重點(diǎn)進(jìn)行分析：1：雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達(dá)到了一定的能力從而導(dǎo)致MOSFET失效。2：SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全工作區(qū)...

SOA失效的預(yù)防措施：1：確保在較差條件下，MOSFET的所有功率限制條件均在SOA限制線以內(nèi)。2：將OCP功能一定要做精確細(xì)致。在進(jìn)行OCP點(diǎn)設(shè)計(jì)時(shí)，一般可能會(huì)取1.1-1.5倍電流余量的工程師居多，然后就根據(jù)IC的保護(hù)電壓比如0.7V開始調(diào)試RSENSE電...

MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開關(guān)電路，MOS場(chǎng)效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管可分為NPN型PNP型。...

在1884年，愛迪生被授予了此項(xiàng)發(fā)明的專業(yè)技術(shù)。由于當(dāng)時(shí)這種裝置實(shí)際上并不能看出實(shí)用價(jià)值，這項(xiàng)專業(yè)技術(shù)更多地是為了防止別人聲稱較早發(fā)現(xiàn)了這一所謂“愛迪生效應(yīng)”。20年后，約翰·弗萊明（愛迪生前雇員）發(fā)現(xiàn)了這一效應(yīng)的實(shí)用價(jià)值，它可以用來制作精確檢波器。1904年...

搭建如下電路，使集電結(jié)反偏，發(fā)射結(jié)正偏。反向偏置的集電結(jié)在外部電場(chǎng)的幫助下變寬，同時(shí)正向偏置的發(fā)射結(jié)，由于內(nèi)部電場(chǎng)被削弱，自由電子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)增強(qiáng)，發(fā)射區(qū)內(nèi)部的大量自由電子擴(kuò)散到了基區(qū)，被集電結(jié)的內(nèi)部電場(chǎng)捕獲，被電場(chǎng)加速送到了集電結(jié)，集電區(qū)內(nèi)部的自由電子被反向偏置...

半導(dǎo)體二極管的參數(shù)介紹如下：1、反向電流IR：指管子末擊穿時(shí)的反向電流， 其值愈小，則管子的單向?qū)щ娦杂?。由于溫度增加，反向電流?huì)急劇增加，所以在使用二極管時(shí)要注意溫度的影響。2、正向壓降VD：在規(guī)定的正向電流下，二極管的正向電壓降。小電流硅二極管的正向壓降...

漏極電流iD沿溝道產(chǎn)生的電壓降使溝道內(nèi)各點(diǎn)與柵極間的電壓不再相等，靠近源極一端的電壓較大，這里溝道較厚，而漏極一端電壓較小，其值為VGD=vGS－vDS，因而這里溝道較薄。但當(dāng)vDS較小（vDS 隨著vDS的增大，靠近漏極的溝道越來越薄，當(dāng)vDS增加到使VGD...

三極管的工作原理：這里主要講一下PNP和NPN。1、PNP，PNP是一種BJT，其中一種n型材料被引入或放置在兩種p型材料之間。在這樣的配置中，設(shè)備將控制電流的流動(dòng)。PNP晶體管由2個(gè)串聯(lián)的晶體二極管組成。二極管的右側(cè)和左側(cè)分別稱為集電極-基極二極管和發(fā)射極-...

搭建如下電路，使集電結(jié)反偏，發(fā)射結(jié)正偏。反向偏置的集電結(jié)在外部電場(chǎng)的幫助下變寬，同時(shí)正向偏置的發(fā)射結(jié)，由于內(nèi)部電場(chǎng)被削弱，自由電子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)增強(qiáng)，發(fā)射區(qū)內(nèi)部的大量自由電子擴(kuò)散到了基區(qū)，被集電結(jié)的內(nèi)部電場(chǎng)捕獲，被電場(chǎng)加速送到了集電結(jié)，集電區(qū)內(nèi)部的自由電子被反向偏置...

按照用途可以分為四種 ：普通功率型晶體管 高頻大功率晶體管 超高頻大功率晶體管 特種功率型晶體管 按制造工藝分為六種：雙擴(kuò)散硅雙基型 （bjt） 雙擴(kuò)散鋁雙基型 （btjt） 單向晶閘管 （smcntctbtct等 ） 多晶閘管及門陣列式 （pmicmosfe...

晶體二極管分類如下：1、點(diǎn)接觸型二極管，點(diǎn)接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再通過電流法而形成的。因此，其PN結(jié)的靜電容量小，適用于高頻電路。但是，與面結(jié)型相比較，點(diǎn)接觸型二極管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大電流和整流。因?yàn)闃?gòu)造...

單極型場(chǎng)效應(yīng)管以其簡(jiǎn)單而獨(dú)特的結(jié)構(gòu)區(qū)別于雙極型晶體管，它依靠一種載流子（電子或空穴）來導(dǎo)電。這種結(jié)構(gòu)使得它的輸入電阻極高，幾乎沒有柵極電流，就像一個(gè)幾乎不消耗能量的信號(hào)接收站。在高阻抗信號(hào)放大與處理領(lǐng)域，它大顯身手。在傳感器信號(hào)調(diào)理電路中，以光電傳感器為例，當(dāng)...

高、低頻小功率管，高頻小功率三極管一般指特征頻率大于3MHz，功率小于1W的晶體三極管。主要使用于工作頻率比較高，功率不高于1W的放大電路，高頻振蕩電路。比如在晶體管收錄機(jī)、收音機(jī)、電視機(jī)的高頻電路中，可選用高頻小功率管。如3CG3A—E，3DG6A－D。低頻...

SOA失效的預(yù)防措施：1：確保在較差條件下，MOSFET的所有功率限制條件均在SOA限制線以內(nèi)。2：將OCP功能一定要做精確細(xì)致。在進(jìn)行OCP點(diǎn)設(shè)計(jì)時(shí)，一般可能會(huì)取1.1-1.5倍電流余量的工程師居多，然后就根據(jù)IC的保護(hù)電壓比如0.7V開始調(diào)試RSENSE電...

穩(wěn)壓二極管，穩(wěn)壓二極管英文名稱為Zener diode，又叫齊納二極管。利用PN結(jié)反向擊穿狀態(tài)，其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象，制成的起穩(wěn)壓作用的二極管。穩(wěn)壓二極管的特點(diǎn)就是擊穿后，其兩端的電壓基本保持不變。這樣，當(dāng)把穩(wěn)壓管接入電路以后，若由于電...

三極管主要參數(shù)，三極管的參數(shù)有很多，可以分成三大類：直流參數(shù)、交流參數(shù)、極限參數(shù)。1、直流參數(shù)，共發(fā)射極直流放大倍數(shù)：共發(fā)射極電路中，沒有交流輸入時(shí)，集電極電流與基極電流之比；集電極-基極反向截至電流：發(fā)射極開路時(shí)，集電極上加有規(guī)定的反向偏置電壓，此時(shí)的集電極...

三極管的 3 種工作狀態(tài)，分別是截止?fàn)顟B(tài)、放大狀態(tài)、飽和狀態(tài)。接下來分享在其他公眾號(hào)看到的一種通俗易懂的講法：1、截止?fàn)顟B(tài)，三極管的截止?fàn)顟B(tài)，這應(yīng)該是比較好理解的，當(dāng)三極管的發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏時(shí)，三極管就會(huì)進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)。這就相當(dāng)于一個(gè)關(guān)緊了的水龍頭，水龍頭...

本文介紹N溝道增強(qiáng)型MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管；（1）結(jié)構(gòu)，在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上，制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個(gè)電極，分別作漏極d和源極s。然后在半導(dǎo)體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個(gè)鋁電極...

觸發(fā)二極管，觸發(fā)二極管又稱雙向觸發(fā)二極管，英文名稱為Diode AC switch,簡(jiǎn)寫為DIAC，觸發(fā)二極管實(shí)際上是一種電壓控制元件，一般的它們都有一個(gè)觸發(fā)電壓，當(dāng)兩端電壓低于這個(gè)觸發(fā)電壓的時(shí)候，二極管是開路狀態(tài)，當(dāng)電壓達(dá)到觸發(fā)電壓的時(shí)候，二極管瞬間導(dǎo)通，將...