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場效應管主要參數：場效應管的參數很多，包括直流參數、交流參數和極限參數，但普通運用時主要關注以下一些重點參數：飽和漏源電流IDSS，夾斷電壓Up，（結型管和耗盡型絕緣柵管，或開啟電壓UT（加強型絕緣柵管）、跨導gm、漏源擊穿電壓BUDS、較大耗散功率PDSM和...

三極管的構造，三極管有三個區(qū)域，分別被命名為發(fā)射結、基極和集電結。它的基本原理是利用半導體材料中P型和N型材料間的PN結和PNP結的特性來實現信號放大。三極管的白色瓷體上標注著三個觸點，分別為發(fā)射極、基極和集電極。三極管的工作原理，三極管的工作原理很復雜，但可...

三極管三種工作狀態(tài)電流特征，三極管有三種工作狀態(tài)：截止、放大、飽和。用于不同目的的三極管其工作狀態(tài)不同。三極管電流方向識別，三極管電路符號中發(fā)射箭頭的方向表示三極管各電極電流流動的方向。什么是三極管，三極管（Transistor），是一種用于信號放大、開關、調...

如何看貼片三極管的型號？由于貼片三極管的體積很小，無法標注完整型號，故不少廠家都采用絲印來表示貼片三極管的型號。NPN型三極管是指由兩塊N型半導體中間夾著一塊P型半導體所組成的三極管；也稱為晶體三極管，可以說它是電子電路中較重要的器件。三極管是電子電路中較重要...

場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。主要有兩種類型：結型場效應管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS...

三極管的參數，三極管的參數有很多，可以分成三大類：直流參數、交流參數、極限參數。直流參數：a.集電極—基極反向飽和電流Icbo集電極—基極反向飽和電流是指發(fā)射極開路時，基極和集電極之間加上規(guī)定的反向電壓Ucb時的集電極反向電流。b.集電極—發(fā)射極反向電流Ice...

三極管能夠放大信號的理解，三極管具有電流放大作用，它是一個電流控制器件。所謂電流控制器件是指，它用很小的基極電流來控制比較大的集電極電流和發(fā)射極電流。三極管電路中，三極管輸出電流（集電極電流、發(fā)射極電流）是由直流電源提供的，基極電流則是一部分由所要放大的信號源...

在電子工程領域，二極管作為基礎的電子元件，其種類繁多，功能各異。其中，穩(wěn)壓二極管和普通二極管因其獨特的特性和應用場景而備受關注。本文將詳細比較穩(wěn)壓二極管與普通二極管的不同之處，以便讀者更好地理解和應用這兩種元件。功能區(qū)別，穩(wěn)壓二極管，也被稱為齊納二極管，其主要...

MOS管參數：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值，故只有一個方向。注②：柵源較大電壓VGSS，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓，由于柵極與P型半導體襯底中加了SiO2絕緣層，只要電壓一定值超過...

這些電極的名稱和它們的功能有關。柵極可以被認為是控制一個物理柵的開關。這個柵極可以通過制造或者消除源極和漏極之間的溝道，從而允許或者阻礙電子流過。如果受一個加上的電壓影響，電子流將從源極流向漏極。體很簡單的就是指柵、漏、源極所在的半導體的塊體。通常體端和一個電...

場效應晶體管。當滿足 MOS 管的導通條件時，MOS 管的 D 極和 S 極會導通，這個時候體二極管是截止狀態(tài)。因為 MOS 管導通內阻很小，不足以使寄生二極管導通。MOS管的導通條件：PMOS增強型管：UG-US|UGSTH| ， UGSTH是開啟電壓；NM...

馬達控制應用馬達控制應用是功率MOSFET大有用武之地的另一個應用領域。典型的半橋式控制電路采用2個MOSFET (全橋式則采用4個)，但這兩個MOSFET的關斷時間(死區(qū)時間)相等。對于這類應用，反向恢復時間(trr) 非常重要。在控制電感式負載(比如馬達繞...

什么是三極管？三極管，全稱應為半導體三極管，也被稱為雙極型晶體管或晶體三極管，是一種控制電流的半導體器件。它的主要功能是將微弱的電信號放大成幅度值較大的電信號，同時也被用作無觸點開關。三極管的分類，根據結構和工作原理的不同，三極管可以分為NPN型和PNP型兩種...

MOS管參數：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值，故只有一個方向。注②：柵源較大電壓VGSS，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓，由于柵極與P型半導體襯底中加了SiO2絕緣層，只要電壓一定值超過...

場效應管主要參數：一、飽和漏源電流。飽和漏源電流IDSS：是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，柵極電壓UGS＝0時的漏源電流。二、夾斷電壓，夾斷電壓Up是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。三、開啟電壓。開啟電壓UT是指加強型絕緣柵場效應...

三極管（英語：transistor）是一種電子器件，具有電流放大作用。三極管的三個電極連接著交流電源的正負極，中間部分是基區(qū)。當基區(qū)加上正向電壓時，集電結正偏而形成發(fā)射結；反之集電結反偏而形成漏極-源二極。三極管是電子設備中較重要的無源元件之一，在電路中用"v...

恒流二極管 （ 英語 ： Constant Current Diode ） （或稱定電流二極管，CRD、Current Regulative Diode），被施加順方向電壓的場合，無論電壓多少，可以得到一定的電流的元件。通常的電流容量在1~15mA的范圍。雖然...

電流放大原理，下面的分析只對于NPN型硅三極管.我們把從基極B流至發(fā)射極E的電流叫做基極電流Ib;把從集電極C流至發(fā)射極E的電流叫做集電極電流 Ic.這兩個電流的方向都是流出發(fā)射極的,所以發(fā)射極E上就用了一個箭頭來表示電流的方向.三極管的放大作用就是：集電極電...

三極管的分類：1、按材質分: 硅管（導通壓降0.7V）、鍺管（導通壓降0.3V）。2、按結構分: NPN 、 PNP。3、按功能分: 開關管、功率管、達林頓管、光敏管。達林頓管：又叫復合管，將兩個三極管串聯(lián)，以組成一只等效的新的三極管。接法總共有4種：NPN+...

三極管飽和情況，像圖1因為受到電阻Rc的限制(Rc是固定值，那么較大電流為U/Rc，其中U為電源電壓)，集電極電流是不能無限增加下去的。當基極電流的增大，不能使集電極電流繼續(xù)增大時，三極管就進入了飽和狀態(tài)。一般判斷三極管是否飽和的準則是：Ib*β〉Ic。進入飽...

反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區(qū)內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產生齊納擊...

二極管的反向特性：當外加反向電壓時，所加的反向電壓加強了內電場對多數載流子的阻擋，所以二極管中幾乎沒有電流通過。但是這時的外電場能促使少數載流子漂移，所以少數載流子形成很小的反向電流。由于少數載流子數量有限，只要加不大的反向電壓就可以使全部少數載流子越過PN結...

二極管的分類：一、按半導體材料分類，二極管按其使用的材料可分為鍺（Ge）二極管、硅（Si）二極管、砷化鎵（GaAs）二極管、磷化鎵（GaP）二極管等。二、按封裝形式分類，二極管按其封裝形式可分為塑料二極管、玻璃二極管、金屬二極管、片狀二極管、無引線圓柱形二極管...

場效應管（Field-Effect Transistor，簡稱FET）是電子技術中普遍使用的一種半導體器件，具有高輸入阻抗、噪聲低和低功耗等優(yōu)點。場效應管的用途：一、場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解...

雪崩二極管，雪崩二極管的英文名稱為Avalanche diode，它是利用半導體結構中載流子的碰撞電離和渡越時間兩種物理效應而產生負阻的固體微波器件。當反向電壓增大到一定數值時，PN結被反向擊穿，載流子倍增就像雪崩一樣，反向電流突然快速增加。雪崩二極管用于在特...

二極管的英文是diode。二極管的正.負二個端子,一端稱為陽極,一端稱為陰極。電流只能從陽極向陰極方向移動。二極管是由半導體組成的器件。半導體無論哪個方向都能流動電流。二極管（英語：Diode），電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過。...

晶體三極管的種類：硅管和鍺管（按半導體材料分），鍺管比硅管的起始工工作電壓低、飽和壓降較低。三極管導通時，發(fā)射極和集電極的電壓鍺管比硅管更低。因為鍺材料制成的PN結比硅材料制成的PN結的正向導通電壓低，前者為0.2～0.3V，后者為0.6～0.7V。所以鍺三極...

反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區(qū)內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產生齊納擊...

1874年，德國物理學家卡爾·布勞恩在卡爾斯魯厄理工學院發(fā)現了晶體的整流能力。因此1906年開發(fā)出的頭一代二極管——“貓須二極管”是由方鉛礦等礦物晶體制成的。早期的二極管還包含了真空管，真空管二極管具有兩個電極 ，一個陽極和一個熱式陰極。在半導體性能被發(fā)現后，...

可以通過手動調節(jié)晶體表面上的導線，以獲得較佳的信號。這個較為麻煩的設備在20世紀20年代由熱離子二極管所取代。20世紀50年代，高純度的半導體材料出現。因為新出現的鍺二極管價格便宜，晶體收音機重新開始被大規(guī)模使用。貝爾實驗室還開發(fā)了鍺二極管微波接收器。20世紀...