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如果能夠減少該晶圓層120的電阻值，就可以減少圖1與圖2的電流路徑的總電阻值。此種改進能減少消耗功率，降低熱耗損，增進芯片的使用壽命。想要減低該晶圓層120的電阻值，可以減少該晶圓層120的厚度。但如前所述，如何在減少該晶圓層120的厚度之后，還能維持相當?shù)慕Y構強度，以便抗拒應力與/或熱應力造成的損害。本申請?zhí)岢龅慕鉀Q方案之一，是至少在芯片的邊緣處具有較厚的晶圓層，但是降低在芯片中間有半導體元器件之處的晶圓厚度。如此一來，可以在降低該晶圓層120的電阻值的同時，可以維持相當?shù)慕Y構強度。請參考圖3所示，其為根據(jù)本申請一實施例的半導體基板的結構300的一剖面示意圖。該結構300依序包含一半...

氣穴振蕩是一種混沌現(xiàn)象。空化氣泡的產(chǎn)生及其破裂受到很多物理參數(shù)的影響。這些猛烈的氣穴振蕩例如不穩(wěn)定的氣穴振蕩或微噴射將損傷這些圖案結構(鰭結構、槽和通孔)。在傳統(tǒng)的超聲波或兆聲波清洗過程中，只有當功率足夠高，例如大于5-10瓦時，才會產(chǎn)生***的顆粒去除效率(“pre”)。然而，當功率大于約2瓦時，晶圓開始有明顯的損傷。因此，很難找到功率窗口使得晶圓在被有效清洗時避免重大的損傷。因此，維持穩(wěn)定或可控的氣穴振蕩是控制聲波機械力低于損傷限度而仍然能夠有效地去除圖案結構中的雜質顆粒的關鍵。因此，提供一種系統(tǒng)和方法，用于控制在晶圓清洗過程中由超聲波或兆聲波設備產(chǎn)生的氣泡氣穴振蕩，以便能夠有效地...

之后為f3，**后為f4,且f4小于f3,f3小于f1。仍與圖9c所示的清洗工藝相似，在一個實施例中，在時間段τ1內，電源的頻率先設置為f4,之后為f3，**后為f1，且f4小于f3,f3小于f1。仍與圖9c所示的清洗工藝相似，在一個實施例中，在時間段τ1內，電源的頻率先設置為f1，之后為f4，**后為f3，且f4小于f3,f3小于f1。仍與圖9c所示的清洗工藝相似，在一個實施例中，在時間段τ1內，電源的頻率先設置為f3,之后為f4，**后為f1，且f4小于f3,f3小于f1。仍與圖9c所示的清洗工藝相似，在一個實施例中，在時間段τ1內，電源的頻率先設置為f3,之后為f1，**后為f4...

所述拉桿45向上延伸部分伸出外界，且其頂面固設有手握球46，所述限制塊39頂面與所述滑動腔43的頂壁之間固定安裝有彈簧44，當所述橫條33帶動所述第二齒牙34向上移動時，所述第二齒牙34可抵接所述限制塊39，并使所述限制塊39向上移動，進而可使所述限制塊39離開所述限制腔42，則可使所述滑塊47能夠正常向左移動，當所述滑塊47需要向右移動時，手動向上拉動所述手握球46，使所述限制塊39向上移動，并手動向右拉動所述手拉塊40，則所述橫板41可帶動所述滑塊47向右移動。另外，在一個實施例中，所述升降塊15的內壁里固嵌有第二電機16，所述第二電機16的右側面動力連接設有切割軸51，所述切割片...

并均勻地到達位于腔室c內的半導體晶圓200。在實際應用中，半導體晶圓干燥設備100包含多個微波產(chǎn)生器130。一般而言，微波產(chǎn)生器130平均地環(huán)繞腔室c分布，如此一來，微波w可均勻地進入腔室c內，并均勻地到達位于腔室c內的半導體晶圓200，從而促進半導體晶圓200的干燥過程。舉例而言，如圖1所示，至少兩個微波產(chǎn)生器130平均地分布于殼體120外側，使其平均地環(huán)繞腔室c分布。另外，應當理解的是，本發(fā)明的殼體120基本上可設置于產(chǎn)業(yè)中現(xiàn)有的單晶圓濕處理設備(圖未示)上。一般而言，單晶圓濕處理設備具有旋轉基座，其用以承載單一片半導體晶圓，以于單晶圓濕處理設備內對半導體晶圓進行各種處理。經(jīng)單晶圓...

在步驟10010中，將超聲波或兆聲波裝置置于晶圓的上表面附近。在步驟10020中，將清洗液，可以是化學液或摻了氣體的水噴射到晶圓表面以填滿晶圓和聲波裝置之間的間隙。在步驟10030中，卡盤攜帶晶圓開始旋轉以進行清洗工藝。在步驟10040中，頻率為f1以及功率水平為p1的電源被應用于聲波裝置。在步驟10050中，當頻率保持在f1時，電源的功率水平在氣泡內氣體和/或蒸汽的溫度達到內爆溫度ti之前，或在時間τ1達到由公式(11)計算的τi之前，降低到p2。在步驟10060中，氣泡內氣體和/或蒸汽溫度降至接近室溫t0或持續(xù)時間達到τ2后，電源的功率水平恢復到p1。在步驟10070中，檢查晶圓的...

該金屬層凹陷區(qū)域在該第二表面的投影區(qū)域位于該中心凹陷區(qū)域當中。在一實施例中，為了設計與制作的方便，其中該金屬層凹陷區(qū)域與該中心凹陷區(qū)域的形狀相應，該金屬層凹陷區(qū)域的面積小于該中心凹陷區(qū)域的面積?？偵纤?，本申請?zhí)峁┝司哂袕姸容^大的基板結構的芯片，其具有晶圓層的邊框結構，也可以具有晶圓層的內框結構，以便減低芯片在進行熱處理、加工與焊貼等工序時，因為應力或熱應力而導致失效的機率。在此同時，還要降低上述基板結構的電阻值，以便減少消耗功率，降低熱耗損，增進芯片的使用壽命。以上所述，*是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)...

所述拉桿45向上延伸部分伸出外界，且其頂面固設有手握球46，所述限制塊39頂面與所述滑動腔43的頂壁之間固定安裝有彈簧44，當所述橫條33帶動所述第二齒牙34向上移動時，所述第二齒牙34可抵接所述限制塊39，并使所述限制塊39向上移動，進而可使所述限制塊39離開所述限制腔42，則可使所述滑塊47能夠正常向左移動，當所述滑塊47需要向右移動時，手動向上拉動所述手握球46，使所述限制塊39向上移動，并手動向右拉動所述手拉塊40，則所述橫板41可帶動所述滑塊47向右移動。另外，在一個實施例中，所述升降塊15的內壁里固嵌有第二電機16，所述第二電機16的右側面動力連接設有切割軸51，所述切割片...

并且不同規(guī)格的花籃無法同時進行作業(yè)，**降低了生產(chǎn)的效率。技術實現(xiàn)要素：本實用新型所要解決的技術問題在于克服現(xiàn)有技術不足，提供一種半導體晶圓濕法清洗治具，可適用于不同尺寸不同形狀晶圓，且可實現(xiàn)多層同時清洗。本實用新型具體采用以下技術方案解決上述技術問題：一種半導體晶圓濕法清洗治具，該治具包括提把和一組平放花籃；所述提把沿豎直方向均勻設置有一組連接端口；所述平放花籃由圓形底盤和設置在圓形底盤邊緣的一圈鏤空側壁組成，圓形底盤上設置有一組通孔，在所述鏤空側壁的外緣設置有至少一個連接端子，所述連接端子與提把上的任一連接端口相配合可使得平放花籃可拆卸地固定于提把上對應于該連接端口的位置。推薦地，...

所述動力腔26內設有可控制所述升降塊15間歇性往返升降，來達到連續(xù)切割狀態(tài)的動力機構103，所述切割腔27靠上側位置設有兩個左右對稱，且能用來冷卻所述切割片50的海綿52，所述切割腔27的靠上側位置左右兩側連通設有冷卻水腔14，是冷卻水腔14的上側連通設有傳動腔55，所述傳動腔55內設有可控制所述海綿52在所述切割片50上升時抵接所述切割片50，達到冷卻效果的傳動機構104，所述傳動機構104與所述動力機構103聯(lián)動運轉。另外，在一個實施例中，所述步進機構101包括固設在所述滑塊47底面上的步進塊37，所述步進塊37位于所述從動腔62內，所述步進塊37的底面固設有***齒牙38，所述從...