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重慶德國PSP-POLOS光刻機不需要緩慢且昂貴的光掩模 誠信互利 上海跡亞國際商貿(mào)供應(yīng)

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發(fā)布時間:2025-07-31

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在微流體領(lǐng)域,Polos系列光刻機通過無掩模技術(shù)實現(xiàn)了復(fù)雜3D流道結(jié)構(gòu)的快速成型。例如,中科院理化所利用類似技術(shù)制備跨尺度微盤陣列,研究細胞球浸潤行為,為組織工程提供了新型生物界面設(shè)計策略10。Polos設(shè)備的精度與靈活性可支持此類仿生結(jié)構(gòu)的批量生產(chǎn),推動醫(yī)療診斷芯片的研發(fā)。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進行納米級圖案化,無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下,將該技術(shù)帶到了桌面上,進一步提升了其優(yōu)勢。多材料兼容性:同步加工陶瓷 / PDMS / 金屬,微流控芯片集成電極與通道一步成型。重慶德國PSP-POLOS光刻機不需要緩慢且昂貴的光掩模

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某半導(dǎo)體實驗室采用 Polos 光刻機開發(fā)氮化鎵(GaN)基高電子遷移率晶體管(HEMT)。其激光直寫技術(shù)在藍寶石襯底上實現(xiàn)了 50nm 柵極長度的precise曝光,較傳統(tǒng)光刻工藝線寬偏差降低 60%。通過自定義多晶硅柵極圖案,器件的電子遷移率達 2000 cm/(Vs),擊穿電壓提升至 1200V,遠超商用產(chǎn)品水平。該技術(shù)還被用于 SiC 基功率器件的臺面刻蝕,刻蝕深度均勻性誤差小于 ±3%,助力我國新能源汽車電控系統(tǒng)core器件的國產(chǎn)化突破。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。重慶POLOSBEAM-XL光刻機讓你隨意進行納米圖案化低成本科研普惠:桌面化設(shè)計減少投入,無掩膜工藝降低中小型實驗室門檻。

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某生物物理實驗室利用 Polos 光刻機開發(fā)了基于壓阻效應(yīng)的細胞力傳感器。其激光直寫技術(shù)在硅基底上制造出 5μm 厚的懸臂梁結(jié)構(gòu),傳感器的力分辨率達 10pN,較傳統(tǒng) AFM 提升 10 倍。通過在懸臂梁表面刻制 100nm 的微柱陣列,實現(xiàn)了單個心肌細胞收縮力的實時監(jiān)測,力信號信噪比提升 60%。該傳感器被用于心臟纖維化機制研究,成功捕捉到心肌細胞在病理狀態(tài)下的力學(xué)變化,相關(guān)數(shù)據(jù)為心肌修復(fù)藥物開發(fā)提供了關(guān)鍵依據(jù)。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。

超表面通過納米結(jié)構(gòu)調(diào)控光場,傳統(tǒng)電子束光刻成本高昂且效率低下。Polos 光刻機的激光直寫技術(shù)在石英基底上實現(xiàn)了亞波長量級的圖案曝光,將超表面器件制備成本降低至傳統(tǒng)方法的 1/5。某光子學(xué)實驗室利用該設(shè)備,研制出寬帶消色差超表面透鏡,在 400-1000nm 波長范圍內(nèi)成像誤差小于 5μm。其靈活的圖案編輯功能還支持實時優(yōu)化結(jié)構(gòu)參數(shù),使器件研發(fā)周期從數(shù)周縮短至 24 小時,推動超表面技術(shù)從理論走向集成光學(xué)應(yīng)用。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。德國 SPS Polos:深耕微納加工 35 年,專注半導(dǎo)體與生命科學(xué)領(lǐng)域,全球布局 6 大技術(shù)中心,服務(wù) 500 + 科研機構(gòu)。

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Polos光刻機在微機械加工中表現(xiàn)outstanding。其亞微米分辨率可制造80 m直徑的開環(huán)諧振器和2 m叉指電極,適用于傳感器與執(zhí)行器開發(fā)。結(jié)合雙光子聚合技術(shù)(如Nanoscribe系統(tǒng)),用戶還能擴展至3D微納結(jié)構(gòu)打印,為微型機器人及光學(xué)元件提供多尺度制造方案。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進行納米級圖案化,無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下,將該技術(shù)帶到了桌面上,進一步提升了其優(yōu)勢。Polos-BESM:基礎(chǔ)款高性價比,適合高校實驗室基礎(chǔ)微納加工。重慶POLOSBEAM-XL光刻機讓你隨意進行納米圖案化

納 / 微機械:亞微米級結(jié)構(gòu)加工,微型齒輪精度達 ±50nm,推動微機電系統(tǒng)創(chuàng)新。重慶德國PSP-POLOS光刻機不需要緩慢且昂貴的光掩模

石墨烯、二硫化鉬等二維材料的器件制備依賴高精度圖案轉(zhuǎn)移,Polos 光刻機的激光直寫技術(shù)避免了傳統(tǒng)濕法轉(zhuǎn)移的污染問題。某納米電子實驗室在 SiO基底上直接曝光出 10nm 間隔的電極陣列,成功制備出石墨烯場效應(yīng)晶體管,其電子遷移率達 2×10 cm/(Vs),接近理論極限。該技術(shù)支持快速構(gòu)建多種二維材料異質(zhì)結(jié),使器件研發(fā)效率提升 5 倍,相關(guān)成果推動二維材料在柔性電子、量子計算領(lǐng)域的應(yīng)用研究進入快車道。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。重慶德國PSP-POLOS光刻機不需要緩慢且昂貴的光掩模

 

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