石墨烯、二硫化鉬等二維材料的器件制備依賴高精度圖案轉(zhuǎn)移，Polos 光刻機(jī)的激光直寫技術(shù)避免了傳統(tǒng)濕法轉(zhuǎn)移的污染問(wèn)題。某納米電子實(shí)驗(yàn)室在 SiO基底上直接曝光出 10nm 間隔的電極陣列，成功制備出石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其電子遷移率達(dá) 2×10 cm/(Vs)，接近理論極限。該技術(shù)支持快速構(gòu)建多種二維材料異質(zhì)結(jié)，使器件研發(fā)效率提升 5 倍，相關(guān)成果推動(dòng)二維材料在柔性電子、量子計(jì)算領(lǐng)域的應(yīng)用研究進(jìn)入快車道。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。無(wú)掩模技術(shù)優(yōu)勢(shì)：摒棄傳統(tǒng)掩模，圖案實(shí)時(shí)調(diào)整，研發(fā)成本降低 70%，小批量生產(chǎn)經(jīng)濟(jì)性突出。天津POLOSBEAM-XL光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸

在tumor轉(zhuǎn)移機(jī)制研究中，某tumor研究中心利用 Polos 光刻機(jī)構(gòu)建了仿生tumor微環(huán)境芯片。通過(guò)無(wú)掩模激光光刻技術(shù)，在 PDMS 基底上制造出三維tumor血管網(wǎng)絡(luò)與間質(zhì)纖維化結(jié)構(gòu)，其中血管直徑可精確控制在 10-50μm。實(shí)驗(yàn)顯示，該芯片模擬的tumor微環(huán)境中，tumor細(xì)胞遷移速度較傳統(tǒng)二維培養(yǎng)提升 2.3 倍，且化療藥物滲透效率降低 40%，與臨床數(shù)據(jù)高度吻合。該團(tuán)隊(duì)通過(guò)軟件實(shí)時(shí)調(diào)整通道曲率和細(xì)胞外基質(zhì)密度，成功復(fù)現(xiàn)了tumor細(xì)胞上皮 - 間質(zhì)轉(zhuǎn)化（EMT）過(guò)程，相關(guān)成果發(fā)表于《Cancer Research》，并被用于新型抗轉(zhuǎn)移藥物的篩選平臺(tái)開(kāi)發(fā)。天津POLOSBEAM-XL光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸Polos-BESM 光刻機(jī)：無(wú)掩模激光技術(shù)，成本降低 50%，任意圖案輕松輸入，適配實(shí)驗(yàn)室微納加工。

德國(guó) Polos 光刻機(jī)系列是電子學(xué)領(lǐng)域不可或缺的精密設(shè)備。其無(wú)掩模激光光刻技術(shù)，讓電路圖案曝光不再受限于掩模，能夠?qū)崿F(xiàn)超高精度的圖案繪制。在芯片研發(fā)過(guò)程中，Polos 光刻機(jī)可precise刻畫出納米級(jí)別的電路結(jié)構(gòu)，為芯片性能提升奠定基礎(chǔ)。 科研團(tuán)隊(duì)使用 Polos 光刻機(jī)，成功開(kāi)發(fā)出更高效的集成電路，降低芯片能耗，提高運(yùn)算速度。而且，該光刻機(jī)可輕松輸入任意圖案，滿足不同電子元件的多樣化設(shè)計(jì)需求。無(wú)論是新型傳感器的電路制作，還是微型處理器的研發(fā)，Polos 光刻機(jī)都能以高精度、低成本的優(yōu)勢(shì)，為電子學(xué)領(lǐng)域的科研成果產(chǎn)出提供有力保障，推動(dòng)電子技術(shù)不斷創(chuàng)新。

在微流體領(lǐng)域，Polos系列光刻機(jī)通過(guò)無(wú)掩模技術(shù)實(shí)現(xiàn)了復(fù)雜3D流道結(jié)構(gòu)的快速成型。例如，中科院理化所利用類似技術(shù)制備跨尺度微盤陣列，研究細(xì)胞球浸潤(rùn)行為，為組織工程提供了新型生物界面設(shè)計(jì)策略10。Polos設(shè)備的精度與靈活性可支持此類仿生結(jié)構(gòu)的批量生產(chǎn)，推動(dòng)醫(yī)療診斷芯片的研發(fā)。無(wú)掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化，無(wú)需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒(méi)有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì)。Polos-BESM XL：大尺寸加工空間，保留緊湊設(shè)計(jì)，科研級(jí)精度實(shí)現(xiàn)復(fù)雜結(jié)構(gòu)一次性成型。

某集成電路實(shí)驗(yàn)室利用 Polos 光刻機(jī)開(kāi)發(fā)了基于相變材料的存算一體芯片。其激光直寫技術(shù)在二氧化硅基底上實(shí)現(xiàn)了 100nm 間距的電極陣列，器件的讀寫速度達(dá) 10ns，較傳統(tǒng) SRAM 提升 100 倍。通過(guò)在電極間集成 20nm 厚的 Ge2Sb2Te5 相變材料，芯片實(shí)現(xiàn)了計(jì)算與存儲(chǔ)的原位融合，能效比達(dá) 1TOPS/W，較傳統(tǒng)馮諾依曼架構(gòu)提升 1000 倍。該技術(shù)被用于邊緣計(jì)算設(shè)備，使圖像識(shí)別延遲從 50ms 縮短至 5ms，相關(guān)芯片已進(jìn)入小批量試產(chǎn)階段。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。能源收集：微型壓電收集器效率 35%，低頻振動(dòng)發(fā)電支持無(wú)源物聯(lián)網(wǎng)。北京PSP光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

緊湊桌面設(shè)計(jì)：Polos-BESM系統(tǒng)only占桌面空間，適合實(shí)驗(yàn)室高效原型開(kāi)發(fā)。天津POLOSBEAM-XL光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸

在科研領(lǐng)域，設(shè)備的先進(jìn)程度往往決定了研究的深度與廣度。德國(guó)的 Polos - BESM、Polos - BESM XL、SPS 光刻機(jī) POLOS 帶來(lái)了革新之光。它們運(yùn)用無(wú)掩模激光光刻技術(shù)，摒棄了傳統(tǒng)光刻中昂貴且制作周期長(zhǎng)的掩模，極大降低了成本。這些光刻機(jī)可輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光，在微流體、電子學(xué)和納 / 微機(jī)械系統(tǒng)等領(lǐng)域大顯身手。例如在微流體研究中，能precise制造復(fù)雜的微通道網(wǎng)絡(luò)，助力藥物傳輸、細(xì)胞培養(yǎng)等研究。在電子學(xué)方面，可實(shí)現(xiàn)高精度的電路圖案曝光，為芯片研發(fā)提供有力支持。其占用空間小，對(duì)于空間有限的研究實(shí)驗(yàn)室來(lái)說(shuō)堪稱完美。憑借出色特性，它們已助力眾多科研團(tuán)隊(duì)取得成果，成為科研創(chuàng)新的得力助手 。天津POLOSBEAM-XL光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸