國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)與客戶認(rèn)證
公司通過ISO9001、ISO14001等認(rèn)證，并嚴(yán)格執(zhí)行8S現(xiàn)場(chǎng)管理，生產(chǎn)環(huán)境潔凈度達(dá)Class 10級(jí)。其光刻膠產(chǎn)品已通過京東方、TCL華星的供應(yīng)商認(rèn)證，在顯示面板領(lǐng)域的市占率約5%，成為本土企業(yè)中少數(shù)能與日本JSR、德國(guó)默克競(jìng)爭(zhēng)的廠商。
全流程可追溯體系
吉田半導(dǎo)體建立了從原材料入庫到成品出庫的全流程追溯系統(tǒng)，關(guān)鍵批次數(shù)據(jù)（如樹脂分子量分布、光敏劑純度）實(shí)時(shí)上傳云端，確保產(chǎn)品一致性和可追溯性。這一體系使其在車規(guī)級(jí)芯片等對(duì)可靠性要求極高的領(lǐng)域獲得突破，2023年車用光刻膠銷售額同比增長(zhǎng)120%。
半導(dǎo)體材料方案選吉田，歐盟 REACH 合規(guī)，24 小時(shí)技術(shù)支持！遼寧LCD光刻膠品牌
吉田半導(dǎo)體獲評(píng) "專精特新" 企業(yè)，行業(yè)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，以技術(shù)創(chuàng)新與標(biāo)準(zhǔn)化生產(chǎn)為，吉田半導(dǎo)體榮獲 "廣東省專精特新企業(yè)" 稱號(hào)，樹立行業(yè)。
憑借在光刻膠領(lǐng)域的表現(xiàn)，吉田半導(dǎo)體獲評(píng) "廣東省專精特新企業(yè)"" "，承擔(dān)多項(xiàng)國(guó)家 02 專項(xiàng)課題。公司主導(dǎo)制定《半導(dǎo)體光刻膠用樹脂技術(shù)規(guī)范》等行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，推動(dòng)國(guó)產(chǎn)材料標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程。未來，吉田半導(dǎo)體將繼續(xù)以" 中國(guó)半導(dǎo)體材料方案提供商 "為愿景，深化技術(shù)研發(fā)與市場(chǎng)拓展，為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻(xiàn)" 中國(guó)力量 "。常州LED光刻膠廠家正性光刻膠生產(chǎn)廠家。
市場(chǎng)拓展
短期目標(biāo)：2025年前實(shí)現(xiàn)LCD光刻膠國(guó)內(nèi)市占率10%，半導(dǎo)體負(fù)性膠進(jìn)入中芯國(guó)際、華虹供應(yīng)鏈，納米壓印膠完成臺(tái)積電驗(yàn)證。
長(zhǎng)期愿景：成為全球的半導(dǎo)體材料方案提供商，2030年芯片光刻膠營(yíng)收占比超40%，布局EUV光刻膠和第三代半導(dǎo)體材料。
. 政策與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同
受益于廣東省“強(qiáng)芯工程”和東莞市10億元半導(dǎo)體材料基金，獲設(shè)備采購補(bǔ)貼（30%）和稅收減免，加速KrF/ArF光刻膠研發(fā)。
與松山湖材料實(shí)驗(yàn)室、華為終端建立聯(lián)合研發(fā)中心，共同攻關(guān)光刻膠關(guān)鍵技術(shù)，縮短客戶驗(yàn)證周期（目前平均12-18個(gè)月）。
. 挑戰(zhàn)與應(yīng)對(duì)
技術(shù)壁壘：ArF/EUV光刻膠仍依賴進(jìn)口，計(jì)劃2026年建成中試線，突破分辨率和靈敏度瓶頸（目標(biāo)曝光劑量<10mJ/cm）。
供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)：部分原材料（如樹脂）進(jìn)口占比超60%，正推進(jìn)“國(guó)產(chǎn)替代計(jì)劃”，與鼎龍股份、久日新材建立戰(zhàn)略合作為原材料供應(yīng)。
技術(shù)驗(yàn)證周期長(zhǎng)
半導(dǎo)體光刻膠的客戶驗(yàn)證周期通常為2-3年，需經(jīng)歷PRS（性能測(cè)試）、STR（小試）、MSTR（批量驗(yàn)證）等階段。南大光電的ArF光刻膠自2021年啟動(dòng)驗(yàn)證，預(yù)計(jì)2025年才能進(jìn)入穩(wěn)定供貨階段。
原材料依賴仍存
樹脂和光酸仍依賴進(jìn)口，如KrF光刻膠樹脂的單體國(guó)產(chǎn)化率不足10%。國(guó)內(nèi)企業(yè)需在“吸附一重結(jié)晶一過濾一干燥”耦合工藝等關(guān)鍵技術(shù)上持續(xù)突破。
未來技術(shù)路線
金屬氧化物基光刻膠：氧化鋅、氧化錫等材料在EUV光刻中展現(xiàn)出更高分辨率和穩(wěn)定性，清華大學(xué)團(tuán)隊(duì)已實(shí)現(xiàn)5nm線寬的原型驗(yàn)證。
電子束光刻膠：中科院微電子所開發(fā)的聚酰亞胺基電子束光刻膠，分辨率達(dá)1nm，適用于量子芯片制造。
AI驅(qū)動(dòng)材料設(shè)計(jì)：華為與中科院合作，利用機(jī)器學(xué)習(xí)優(yōu)化光刻膠配方，研發(fā)周期縮短50%。
發(fā)展戰(zhàn)略與行業(yè)地位。
工藝流程
目的：去除基板表面油污、顆粒，增強(qiáng)感光膠附著力。
方法：
化學(xué)清洗（硫酸/雙氧水、去離子水）；
表面處理（硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化，PCB基板用粗化處理）。
涂布（Coating）
方式：
旋涂：半導(dǎo)體/顯示領(lǐng)域，厚度控制精確（納米至微米級(jí)），轉(zhuǎn)速500-5000rpm；
噴涂/輥涂：PCB/MEMS領(lǐng)域，適合大面積或厚膠（微米至百微米級(jí)，如負(fù)性膠可達(dá)100μm）。
關(guān)鍵參數(shù)：膠液黏度、涂布速度、基板溫度（影響厚度均勻性）。
前烘（Soft Bake）
目的：揮發(fā)溶劑，固化膠膜，增強(qiáng)附著力和穩(wěn)定性。
條件：
溫度：60-120℃（正性膠通常更低，如90℃；負(fù)性膠可至100℃以上）；
時(shí)間：5-30分鐘（根據(jù)膠厚調(diào)整，厚膠需更長(zhǎng)時(shí)間）。
曝光（Exposure）
光源：
紫外光（UV）：G線（436nm）、I線（365nm）用于傳統(tǒng)光刻（分辨率≥1μm）；
深紫外（DUV）：248nm（KrF）、193nm（ArF）用于半導(dǎo)體先進(jìn)制程（分辨率至20nm）；
極紫外（EUV）：13.5nm，用于7nm以下制程（只能正性膠適用）。
曝光方式：
接觸式/接近式：掩膜版與膠膜直接接觸（PCB、MEMS，低成本但精度低）；
投影式：通過物鏡聚焦（半導(dǎo)體，分辨率高，如ArF光刻機(jī)精度達(dá)22nm）。
LCD 光刻膠供應(yīng)商哪家好?吉田半導(dǎo)體高分辨率 +低 VOC 配方!福建PCB光刻膠多少錢
松山湖光刻膠廠家吉田，2000 萬級(jí)產(chǎn)能，48 小時(shí)極速交付！遼寧LCD光刻膠品牌
差異化競(jìng)爭(zhēng)策略
在高級(jí)市場(chǎng)（如ArF浸沒式光刻膠），吉田半導(dǎo)體采取跟隨式創(chuàng)新，通過優(yōu)化現(xiàn)有配方（如提高酸擴(kuò)散抑制效率）逐步縮小與國(guó)際巨頭的差距；在中低端市場(chǎng)（如PCB光刻膠），則憑借性價(jià)比優(yōu)勢(shì)（價(jià)格較進(jìn)口產(chǎn)品低20%-30%）快速搶占份額，2023年P(guān)CB光刻膠市占率突破10%。
前沿技術(shù)儲(chǔ)備
公司設(shè)立納米材料研發(fā)中心，重點(diǎn)攻關(guān)分子玻璃光刻膠和金屬有機(jī)框架（MOF）光刻膠，目標(biāo)在5年內(nèi)實(shí)現(xiàn)EUV光刻膠的實(shí)驗(yàn)室級(jí)突破。此外，其納米壓印光刻膠已應(yīng)用于3D NAND存儲(chǔ)芯片的孔陣列加工，分辨率達(dá)10nm，為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商提供了替代方案。
遼寧LCD光刻膠品牌
