某能源研究團隊采用 Polos 光刻機制造了壓電式微型能量收集器。其激光直寫技術在 PZT 薄膜上刻制出 50μm 的叉指電極，器件的能量轉(zhuǎn)換效率達 35%，在 10Hz 振動下可輸出 50μW/cm 的功率。通過自定義電極間距和厚度，該收集器可適配不同頻率的環(huán)境振動，在智能穿戴設備中實現(xiàn)了運動能量的實時采集與存儲。其輕量化設計（體積 < 1mm）還被用于物聯(lián)網(wǎng)傳感器節(jié)點，使傳感器續(xù)航時間從 3 個月延長至 2 年。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。德國技術基因：融合精密光學與自動化控制，確保設備高穩(wěn)定性與長壽命。陜西光刻機分辨率1.5微米
石墨烯、二硫化鉬等二維材料的器件制備依賴高精度圖案轉(zhuǎn)移，Polos 光刻機的激光直寫技術避免了傳統(tǒng)濕法轉(zhuǎn)移的污染問題。某納米電子實驗室在 SiO基底上直接曝光出 10nm 間隔的電極陣列，成功制備出石墨烯場效應晶體管，其電子遷移率達 2×10 cm/(Vs)，接近理論極限。該技術支持快速構建多種二維材料異質(zhì)結，使器件研發(fā)效率提升 5 倍，相關成果推動二維材料在柔性電子、量子計算領域的應用研究進入快車道。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。廣東桌面無掩模光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸固態(tài)電池：鋰金屬界面阻抗降至 50Ωcm，電池循環(huán)壽命提升 3 倍。
某基因treatment團隊采用 Polos 光刻機開發(fā)了微米級 DNA 遞送載體。通過 STL 模型直接導入，在生物可降解聚合物表面刻制出 1-5μm 的蜂窩狀微孔結構，載體的 DNA 負載量達 200μg/mg，較傳統(tǒng)電穿孔法提升 5 倍。動物實驗顯示，該載體在肝臟靶向遞送中，基因轉(zhuǎn)染效率達 65%，且免疫原性降低 70%。其無掩模特性支持根據(jù)不同細胞表面受體定制載體形貌，在 CAR-T 細胞treatment中，CAR 基因?qū)胄蕪?30% 提升至 75%，相關技術已申請國際patent。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。
德國 Polos 光刻機系列是電子學領域不可或缺的精密設備。其無掩模激光光刻技術，讓電路圖案曝光不再受限于掩模，能夠?qū)崿F(xiàn)超高精度的圖案繪制。在芯片研發(fā)過程中，Polos 光刻機可precise刻畫出納米級別的電路結構，為芯片性能提升奠定基礎。 科研團隊使用 Polos 光刻機，成功開發(fā)出更高效的集成電路，降低芯片能耗，提高運算速度。而且，該光刻機可輕松輸入任意圖案，滿足不同電子元件的多樣化設計需求。無論是新型傳感器的電路制作，還是微型處理器的研發(fā)，Polos 光刻機都能以高精度、低成本的優(yōu)勢，為電子學領域的科研成果產(chǎn)出提供有力保障，推動電子技術不斷創(chuàng)新。微型傳感器量產(chǎn)：80 m開環(huán)諧振器加工能力，推動工業(yè)級MEMS傳感器升級。
細胞培養(yǎng)芯片需根據(jù)不同細胞類型設計表面微結構，傳統(tǒng)光刻依賴掩模庫，難以滿足個性化需求。Polos 光刻機支持 STL 模型直接導入，某干細胞研究所在 24 小時內(nèi)完成了神經(jīng)干細胞三維培養(yǎng)支架的定制加工。其制造的微柱陣列間距可精確控制在 5-50μm，適配不同分化階段的細胞黏附需求。實驗顯示，使用該支架的神經(jīng)細胞軸突生長速度提升 30%，為神經(jīng)再生機制研究提供了高效工具，相關技術已授權給生物芯片企業(yè)實現(xiàn)量產(chǎn)。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。POLOS ：超緊湊設計，納米級精度專攻微流控與細胞芯片。湖北德國PSP-POLOS光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米
環(huán)保低能耗設計：固態(tài)光源能耗較傳統(tǒng)設備降低30%，符合綠色實驗室標準。陜西光刻機分辨率1.5微米
形狀記憶合金、壓電陶瓷等智能材料的微結構加工需要高精度圖案定位。Polos 光刻機的亞微米級定位精度，幫助科研團隊在鎳鈦合金薄膜上刻制出復雜驅(qū)動電路，成功制備出微型可編程抓手。該抓手在 40℃溫場中可實現(xiàn) 0.1mm 行程的precise控制，抓取力達 50mN，較傳統(tǒng)微加工方法性能提升 50%。該技術被應用于微納操作機器人，在單細胞膜片鉗實驗中成功率從 40% 提升至 75%，為細胞級precise操作提供了關鍵工具。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。陜西光刻機分辨率1.5微米
